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[发明专利]一种阵列微环谐振腔基同质集成多波长可调谐半导体激光器及其制备方法-CN202310767155.7在审
发明人：王警辉;孙静雯;赵青;洪乾;郑之远;常夏森 -专利权人：河南仕佳光子科技股份有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种阵列微环谐振腔基同质集成多波长可调谐半导体激光器及其制备方法，属于集成光学的技术领域，用以解决多波长可调谐半导体激光器工艺难度高、输出功率低的技术问题。包括衬底，衬底的两侧分别设有n面电极和外延层，所述外延层上包括增益放大区和非增益放大区，增益放大区中设有增益结构，增益结构包括增益波导，增益波导上设有P面电极，非增益放大区中设有微环阵列波长调谐结构，微环阵列波长调谐结构包括平行排列的输入耦合波导和输出耦合波导，输入耦合波导和输出耦合波导之间设有沿波导方向平行排列的N个微环波导，N为≥2的整数。本发明具有结构简单可靠，集成度高、制备成本低等优势。
一种阵列谐振腔同质集成波长调谐半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种面发射多阶涡旋光束的分布反馈激光器-CN202111533380.1有效
发明人：张敏明;栾井;刘德明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种面发射多阶涡旋光束的分布反馈激光器，其包括相邻的有源区和无源区，其中，有源区包括依次堆叠的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上内包层和上包层，上内包层内具有选模光栅；无源区包括依次堆叠的衬底、下包层、波导芯层、上包层和叉状光栅，波导芯层侧壁与有源区中至少包含有源层的子叠层具有接触界面，上包层位于无源区的部分呈梳状结构，梳状结构的末端具有至少两个分离的条形波导，每个条形波导上形成有叉状光栅。有源区为谐振腔结构用来产生激光，无源区可以将激光器输出模式分成多个不同的模式，然后在条形波导上的叉状光栅输出不同阶数的面发射涡旋光束。
一种发射涡旋光束分布反馈激光器

[发明专利]一种高功率窄线宽外腔半导体激光器-CN202310964969.X在审
发明人：田震;王文亭;付孟博;牛嘉琪;管爽;祝宁华 -专利权人：雄安创新研究院
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种高功率窄线宽外腔半导体激光器。其结构包括激光器增益芯片、两个模斑转换器、光栅波导结构、半导体光放大器、半导体制冷器、热沉和热敏电阻。激光器增益芯片产生光信号经过模斑转换器进入光栅波导结构，光栅波导结构将满足特定模式的光反射回激光器增益芯片进行放大，完成多次往返后激光经半导体光放大器进行功率放大并输出。本发明所提供的高功率窄线宽外腔半导体激光器，采用了柱状阵列的光栅波导结构，具有极低的腔损耗，可以提高有效腔长来压窄线宽；采用脊波导楔形渐变结构的模斑转换器，提高光耦合效率，从而减少能量损耗；集成了半导体光放大器，实现了激光器的大功率输出，为高功率窄线宽激光器的设计提供了思路。
一种功率窄线宽外腔半导体激光器

[发明专利]频率连续可调的单片式柔性结构猫眼外腔半导体激光器-CN202310769089.7在审
发明人：王艺蓉;高奎意;张威 -专利权人：中国人民大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了频率连续可调的单片式柔性结构猫眼外腔半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域；该激光器包括激光器外壳、激光器固定座，激光器固定座上连接有一体式底座，一体式底座内部一侧从右至左依次同轴安装有激光二极管、二极管准直透镜、会聚透镜、环形压电陶瓷、部分反射镜、输出激光准直透镜；一体式底座内部另一侧从右至左依次同轴安装有柱形压电陶瓷、精密六角调节器；一体式底座内部镂空设有柔性梁，柔性梁一侧安装有干涉滤光片，且另一侧安装有柔性梁卡扣，柱形压电陶瓷向柔性梁施加压力，用于改变干涉滤光片的角度从而改变选频范围。本发明结构紧凑，机械稳定性高，调节自由度高，具有很强的可移植性，适用于多种工作环境。
频率连续可调单片柔性结构猫眼半导体激光器

[发明专利]一种多通道干涉大范围可调谐激光器的集成光电组件-CN202310847920.6在审
发明人：国伟华;陈子枫;王宽宽;陈泉安;陆巧银 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明具体公开一种多通道干涉大范围可调谐激光器的集成光电组件，将多通道干涉大范围可调谐激光器芯片、波长锁定器、半导体制冷器等封装在一个发射机光学组件中，设计了小型化的印刷电路板以及用于装配的散热装置。本发明首次实现了基于MCI‑WTL的Nano规格的集成调谐光组件。基于MCI‑WTL的Nano‑ITLA实现了大于48nm的调谐范围，覆盖从1524nm至1572nm的120个标准ITU通信信道波长，所有通道的边模抑制比均大于46dB，输出光功率均大于16.5dBm，洛伦兹线宽均小于150kHz，无光关断功能实现信道切换期间大于40dB的消光比。在环境温度75℃下的整体功耗小于3W。整个组件的尺寸仅为25.0mm×15.6mm×6.7mm。本发明大大推进了该高端国产化光通信芯片的商用进程。
一种通道干涉范围调谐激光器集成光电组件

[发明专利]一种电泵氮化物悬空波导微激光器及其制备方法-CN202111328188.9有效
发明人：朱刚毅;纪鑫;秦飞飞 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开一种电泵氮化物悬空波导微激光器及其制备方法。本发明在硅衬底氮化物外延片上利用光刻、ICP氮化物干法刻蚀、硅湿法刻蚀工艺，电子束蒸镀工艺制备悬空波导结构的氮化物微腔激光器；其微腔被悬空，垂直方向光学损耗极大降低，同时电极发光区与微腔区重合，引线在两端的柱子上，避免了复杂的引线工艺。
一种氮化物悬空波导激光器及其制备方法

[发明专利]一种半导体光放大器及其制备方法-CN202310527444.X在审
发明人：单静春;李中坤;李吴皓;王定理;赵建宜;黄晓东 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体光放大器及其制备方法，该半导体光放大器包括波导结构，该波导结构呈U型，其中：波导结构的U型的两端分别为作为半导体光放大器的输入端和输出端，输入端和输出端均位于半导体光放大器的光学镀膜面，且波导结构相对光学镀膜面倾斜。这样，利用U型波导结构将输入端和输出端设置在半导体光放大器的同一端面(光学镀膜面)，从而在工艺过程中，只需要镀一次光学膜，减少了工艺步骤，优化了工艺流程。另外，采用倾斜的波导结构，还有效避免了光波在半导体光放大器内部发生谐振，减小了光谱纹波。
一种半导体放大器及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器-CN202310711690.0在审
发明人：曾越;黄少华;李明逵;叶涛;曹少威;黄瀚之;颜同伟;邱若生;杜明伟 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体激光器，包括衬底，外延结构和欧姆接触层，而外延层又包括N型半导体层、有源层和P型半导体层，P型半导体层远离有源层的一端具有向上凸起的脊形部。其中，脊形部靠近欧姆接触层一侧的上表面含有Sn原子。本申请通过将Sn原子引入至脊形部，并利用Sn原子与脊形部内的其他金属原子之间可以共价结合多出空穴，使脊形部内靠近上表面一侧的空穴载流子浓度得到进一步提高，进而在半导体激光器正向导通时，使脊形部内能够拥有更多的空穴载流子参与导电，有利于降低欧姆接触层与脊形部之间的接触电阻，改善半导体激光器的电流传输效率的作用，提高半导体激光器的光电转换效率。
一种半导体激光器

[发明专利]一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器及设计方法-CN202310736718.6在审
发明人：寇慧玲;程晨;刘畅;周玉翔 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种微纳腔结构的自聚焦钙钛矿激光器及设计方法，涉及激光器技术领域，具体方案包括：包括具有多个同心圆环结构的超表面，所述超表面，是在钙钛矿薄膜上，沿圆环路径，连续设置微纳结构单元；所述微纳结构单元中心设置有空气孔，规则排列的微纳结构单元构成BIC谐振腔，用于在泵浦光激发下得到增益后的激光，并将光束聚焦目标聚焦位置；本发明将卤化钙钛矿制备的BIC微纳激光器与可实现聚焦功能的超表面相结合，可自主实现激光光束的聚焦，无需添加聚焦透镜，激光器尺寸仅为10微米左右，便于实现片上集成。
一种微纳腔结构自聚焦钙钛矿激光器设计方法

[发明专利]一种回音壁微腔自注入激光器锁定带宽提升装置与方法-CN202310211131.3在审
发明人：刘刚;刘清波;段利红;胡泽一 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种回音壁微腔自注入激光器锁定带宽提升装置与方法，包括激光光源，光纤分束器，回音壁微腔，光纤隔离器，相位调节器和光电探测器；本发明主要用于高精度原子磁场及惯性测量中进行光抽运或光检测的窄线宽低噪声半导体激光光源，具有结构简单、易于实现和噪声降低效果显著等优点；本发明利用回音壁微腔产生背向瑞利散射光进行激光器自注入锁定线宽压窄，并利用光纤分束器组成环形光路，使得激光多次通过回音壁微腔，等效于提高了微腔产生的背向瑞利散射光强度。本发明可以有效的降低激光光源的线宽和频率噪声，提升注入锁定的带宽，改善回音壁微腔激光自注入锁定的稳定性，进而提高原子自旋磁场及惯性测量的检测灵敏度。
一种回音壁注入激光器锁定带宽提升装置方法

[发明专利]一种具有高功率高光束质量的GaAs基大功率锥形激光器芯片及其制备方法-CN202210168177.7在审
发明人：王潇潇;苏建;刘琦;徐现刚;郑兆河 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高功率高光束质量的GaAs基大功率锥形激光器芯片及其制备方法，本发明提供的GaAs基大功率锥形激光器芯片将传统的锥形激光器单模区和锥形放大区的脊条形式改为边缘具有微结构的宽条区和锥形放大区的脊条形式，边缘具有微结构的宽条区通过边缘滤波实现模式的筛选，不再采用模式宽度截止的方法，实现了功率可提升的目的，并且光束质量不受边缘具有微结构的宽条区的长度影响，可以通过控制边缘具有微结构的宽条区的长度实现功率大小的调控，进而实现锥形激光器高功率高光束质量要求。
一种具有功率光束质量 gaas 大功率锥形激光器芯片及其制备方法

[发明专利]半导体激光元件及其制造方法-CN202310039775.9在审
发明人：宫本晋太郎;北村政治 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：提供抑制了FFP中干涉条纹的产生的半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件(100)在从与半导体基板(110)正交的方向俯视观察激光谐振器(140)时具有出射区域(A1)。在正面观察激光谐振器(140)的出射端面(S1)时，关于激光的光束轮廓，强度为峰值的1/e2的假想线(2)落入出射区域(A1)中的上部覆盖层(126)内。
半导体激光元件及其制造方法

[发明专利]光源组件及半导体激光器-CN202310496683.3在审
发明人：王警卫;侯栋 -专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本申请实施例涉及激光技术领域，公开了一种光源组件及半导体激光器，该光源组件包括：激光芯片、正衬底件和负衬底件；激光芯片的两侧分别与正衬底件和负衬底件贴合设置，激光芯片用于发射激光；正衬底件和负衬底件中的至少一个，其背离激光芯片的一面设置为斜面。通过上述方式，本申请实施例提高了激光器的可靠性。
光源组件半导体激光器

[发明专利]一种基于自由纳米线-硅波导结构的片上超连续谱光源-CN202111444459.7有效
发明人：辛晨光;范长江;李孟委;金丽;李晋华 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明属于片上集成激光器技术领域，具体涉及一种基于自由纳米线‑硅波导结构的片上超连续谱光源，所述硅光栅设置在SiO2衬底上，所述SiO2衬底设置在Au膜反射层上，所述Au膜反射层的底部设置有Si衬底，所述硅光栅通过锥形宽度渐变结构连接有第一硅波导，所述第一硅波导通过第一自由纳米线‑硅波导复合结构与自由纳米线的一端连接，所述自由纳米线的另一端通过第二自由纳米线‑硅波导复合结构与第二硅波导连接。本发明基于绝热耦合原理，利用轴向渐变复合波导结构，实现自由纳米线与硅波导高效率、宽波段的光学耦合。该混合集成方案受益于自由纳米线的高非线性，可以达到更高的非线性转换效率，从而实现低功耗、短距离、高集成的片上超连续谱输出。
一种基于自由纳米波导结构片上超连续谱光源

[发明专利]一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法-CN202111443872.1有效
发明人：朱刚毅;高菲;秦飞飞 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开一种ZnO悬浮碗状结构的垂直腔面激光发射器及其制备方法，所述激光发射器以硅基SOI晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、二氧化硅层、二氧化硅支柱层、二氧化硅圆盘层、氧化锌圆盘层；所述激光发射器形成有多个从上至下刻穿氧化锌圆盘层、二氧化硅圆盘层、二氧化硅支柱层直至二氧化硅层的孔洞。本发明激光发射器具有极高的光学增益和极低的损耗，利于光电子器件集成，具有高品质低阈值低损耗的优势，其制备方法具有工艺性好、加工精度高的优势。
一种 zno 悬浮结构垂直激光发射器及其制备方法

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