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[发明专利]micro-LED显示矩阵制备方法及micro-LED显示矩阵-CN202210202459.4有效
发明人： 潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及一种micro‑LED显示矩阵制备方法，包括：获取半导体材料层；半导体材料层用于形成micro‑LED阵列，包括依次设置的第一类型半导体、第二类型半导体以及第一衬底；在半导体材料层制备与第一类型半导体接触的第一电极；将制备完第一电极的半导体材料层进行第二电极制备预处理，以使第二类型半导体无衬底覆盖；在半导体材料层制备与第二类型半导体接触的第二电极，得到micro‑LED显示矩阵；其中，第一电极用于连接micro‑LED阵列中同一行/列的micro‑LED单元，第二电极用于连接micro‑LED阵列中同一列/行的micro‑LED单元；避免了现有单片集成方案需要将金属触点对准键合的难点，改变了巨量转移方案带来的芯片间距空隙过大和TFT背板的电流耐受问题，显著提升中型显示屏的亮度。
micro led 显示矩阵制备方法

[发明专利]发光单元、显示装置及其制备方法-CN202210296638.9有效
发明人： 潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本公开涉及一种发光单元、显示装置及其制备方法。发光单元包括：无源背板；第一LED芯片，位于无源背板的正面；第二LED芯片，位于无源背板的正面；第三LED芯片，位于第二LED芯片上；第一LED芯片和第二LED芯片均为蓝光LED芯片且第三LED芯片为绿光LED芯片，或第一LED芯片和第二LED芯片均为绿光LED芯片且第三LED芯片为蓝光LED芯片；色转换材料层覆盖所述第一LED芯片；多个阳极背面引出电极，自无源背板的背面贯穿无源背板。上述发光单元不仅减小了Micro‑LED结构的尺寸，还确保在具有较小尺寸的情况下仍具有较高的红光外量子效率。
发光单元显示装置及其制备方法

[发明专利]Micro-LED分立器件-CN202210247957.0有效
发明人： 潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种Micro‑LED分立器件，包括：无源背板，所述无源背板中设有一个阴极触点以及多个阳极触点；第一键合层，位于所述无源背板上，发光组件，通过所述第一键合层与所述无源背板键合，所述发光组件包括多个层叠设置的发光结构，相邻两层所述发光结构中下一层所述发光结构相对于上一层所述发光结构在第一方向上伸出而形成阶梯结构，位于顶层的所述发光结构的N型半导体层至少部分外露以及剩余所述发光结构的N型半导体层在所述阶梯结构处至少部分外露，其中，多层外露的所述N型半导体层彼此电连接，多层所述发光结构的欧姆接触层分别与多个所述阳极触点一一对应电连接。采用本申请提供的器件可以实现三原色Micro‑LED分立器件的一体集成。
micro led 分立器件

[发明专利]Micro-LED器件及微显示屏-CN202210247918.0有效
发明人： 潘安练;朱小莉 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种Micro‑LED器件及微显示屏，所述器件包括：基板驱动背板，所述基板驱动背板中包括驱动电路和多个阳极电极；第一键合层，位于所述基板驱动背板靠近所述阳极电极的一侧上；发光组件，通过所述第一键合层与所述基板驱动背板键合，所述发光组件包括多个层叠设置的发光结构，相邻两层所述发光结构中下一层所述发光结构相对于上一层所述发光结构在第一方向上伸出而形成阶梯结构，各所述发光结构的N型半导体层至少部分外露且彼此电连接，多层所述发光结构的欧姆接触层分别与多个所述阳极电极一一对应电连接。采用本申请提供的器件可以实现垂直方向上的Micro‑LED器件的堆叠，减小器件尺寸。
micro led 器件显示屏

[发明专利]一种面外p-n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用-CN202311110105.8在审
发明人：王笑;曾周晓松;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种面外p‑n结面内自发电极化二维体光伏材料及其制备方法和应用。所述二维体光伏材料由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层，BP层、MoS2层、封装层和电极层；所述Si层、SiO2层，BP层和MoS2层组成光伏层；所述BP层和MoS2层的扶手椅晶向平行。该二维体光伏材料基于各材料层的协同作用，利用BP层和MoS2层之间特殊的沉积角度，产生体光伏效应，进而产生位移电流，突破肖特利‑奎伊瑟光电转换极限，基于所提供的二维体光伏材料所制备的光电探测器，有效的将面外的光伏效应与面内的体光伏效应相结合，产生了多维度电极化，具有高偏振度的近红外响应以及超快的响应速度，实现高效光电探测。
一种结面内自发极化二维体光伏材料及其制备方法应用

[发明专利]像素单元、显示装置及其制备方法-CN202210295462.5有效
发明人： 潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开涉及一种像素单元、显示装置及其制备方法。像素单元包括有源背板；发光单元，位于有源背板上，包括第一LED芯片、第二LED芯片、第三LED芯片和色转换材料层；第一LED芯片位于第二LED芯片一侧；第三LED芯片位于第二LED芯片上，第三LED芯片在第二LED芯片上表面的正投影位于第二LED芯片的上表面内；第一LED芯片和第二LED芯片均为蓝光LED芯片且第三LED芯片为绿光LED芯片，或第一LED芯片和第二LED芯片均为绿光LED芯片且第三LED芯片为蓝光LED芯片；色转换材料层覆盖第一LED芯片，以将第一LED芯片发出的光转换为红光。上述像素单元不仅减小了像素单元的尺寸，还确保在具有较小尺寸的情况下仍具有较高的红光外量子效率。
像素单元显示装置及其制备方法

[发明专利]一种基于分子束外延生长的碲化钼的方法-CN202310576616.2在审
发明人：王笑;赵海鹏;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分子束外延生长的碲化钼的方法。将钼源和碲源分别置于不同的蒸发源内，蒸发的碲、钼原子在超高真空环境中沉积于表面处理后的Au（111）衬底表面，即得；所述钼原子的沉积速率为0.015~0.03ML/min，所述碲原子与钼原子的沉积速率比为18~25：1；所述Au（111）衬底的表面温度为265~285℃。该方法基于各过程间的协同控制，通过控制原料的沉积速率和衬底的表面温度可控合成单层1T′相碲化钼单晶；基于本发明所提供的技术方案所得的单层1T′相碲化钼单晶尺寸可达微米级，且所得晶体缺陷少，结晶质量高，无1H等杂相的混合，可满足高能低耗电子学器件制备的性能要求。
一种基于分子外延生长碲化钼方法

[发明专利]一种Micro-LED光信息传感与存储单元、光子集成芯片、阵列及制备方法-CN202110822816.2有效
发明人： 潘安练;李晟曼;张成 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED光信息传感与存储单元、光子集成芯片、阵列及制备方法，其中的光子集成芯片的信息传感与存储单元包括从下至上依次对准叠合设置的Micro‑LED、平滑层、铁电半导体、介质层和钝化层，还包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极分别嵌入在介质层的底部两侧并与铁电半导体接触，所述栅极嵌入在钝化层的底部并位于介质层的上方中间位置。本发明可以实现对光信息同步传感与存储，提高信号处理效率，简化电路结构，在未来光子芯片和图像识别领域具有重要的应用前景。
一种 micro led 信息传感存储单元光子集成芯片阵列制备方法

[发明专利]一种厘米级单晶单层的MoS2-CN202310543438.3在审
发明人：郑弼元;李东;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种厘米级单晶单层的MoS2薄膜及其快速制备方法，将C/A‑蓝宝石衬底与Mo源置于管式炉的中心区，其中C/A‑蓝宝石衬底位于相比Mo源更靠近管式炉的上游的位置，且C/A‑蓝宝石衬底与Mo源的间距≤3cm，将S源置于管式炉的上游，然后通过化学气相沉积即得MoS2薄膜，所述Mo源由Mo箔以及夹在两片Mo箔中间的混合粉末组成，所述混合粉末由MoO3粉与NaCl粉组成。本发明只需2min左右生长保温时间，即可以获得高质量厘米级单晶单层的MoS2薄膜。相对于现有技术，生长时间大幅缩短。本发明有效解决了现有技术中厘米级单晶单层MoS2薄膜的生长速度慢，合成时间长的难题。
一种厘米级单晶单层 mos base sub

[发明专利]一种超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用-CN202011167167.9有效
发明人：王笑;张丹亮;易琛;朱小莉;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用，属于二维磁性材料开发技术领域。所述新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料，为片状结构；其中，单个片状三硒化二铬纳米片中，厚度为单个晶胞厚度～N个晶胞厚度；所述N大于1；所述单个片状三硒化二铬纳米片的尺寸大于等于18微米。其制备方法为：在保护气氛下，将硒气和含铬气体置于800‑900℃的环境中进行化学气相沉积，得到三硒化二铬纳米片。本发明所设计和制备的三硒化二铬纳米片可应用于过渡金属硫化物的能谷调控；其能谷调控效果明显并能在大气环境下稳定工作。
一种超薄三硒化二铬纳米磁性材料及其制备应用

[发明专利]一种量子点光刻胶的合成方法及其在Mini LED/Micro LED应用-CN202310304893.8在审
发明人：李梓维;黄建华;蔡林翰;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点光刻胶的合成方法，采用油酸、油胺长链配体，以极性溶剂为反应溶剂，添加卤化铅以及铯源为前驱体物质，一步生成高质量钙钛矿量子点，然后通过试剂对钙钛矿量子点表面配体进行清除形成表面缺陷，让钙钛矿量子点具备电负性，再添加卤化铵封端的配体与量子点表面的缺陷结合后制备成光刻胶。本发明不仅提升了量子点光刻胶的稳定性，而且增强了量子点与感光配体的作用力，进而实现了高精度的量子点显示阵列器件的可控制备，易于实现量产，解决了微小显示屏多彩色转换的复杂工艺，相较其他现有产品具有更简便的工艺、更高的稳定性、色彩纯度高和更大的显示色域，有助于推动Mini LED/Micro LED彩色化应用。
一种量子光刻合成方法及其 mini led micro 应用

[发明专利]一种基于电子墨水的Micro-LED全彩化显示方法-CN202310233679.8在审
发明人：蔡林翰;李梓维;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于电子墨水的Micro‑LED全彩化显示方法，所述方法通过分别对电子墨水微胶囊中的第一微胶囊、第二微胶囊和第三微胶囊的磁场强度进行控制，进而分别对蓝光量子点在第一微胶囊右侧的浓度、红光量子点在第二微胶囊右侧的浓度以及绿光量子点在第三微胶囊右侧的浓度进行调节，实现了每一个蓝光Micro‑LED对应蓝光的色转化及其色转化强度的控制，从而完成基于电子墨水的蓝光Micro‑LED全彩化显示；而且，本发明中蓝光量子点、红光量子点和绿光量子点的粒径均为纳米级显示粒子，因此，使得该电子墨水微胶囊密度大、可调范围大、具有对电场响应速度快和像素密度大的特点，进而显示清晰度高。
一种基于电子墨水 micro led 全彩显示方法

[发明专利]轨道角动量片上探测器及制备方法、探测装置与光子芯片-CN202310312143.5在审
发明人：王晓霞;何承林;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种轨道角动量片上探测器及制备方法、探测装置与光子芯片。其中，轨道角动量片上探测器包括透明基底部件以及纳米线，所述透明基底部件的第一表面具有膜层，所述膜层上贯穿有多条弧形的纳米狭缝，多条弧形的所述纳米狭缝组成等离激元超表面结构，多条弧形的所述纳米狭缝间隔设置；所述纳米线的数量为多个，多个所述纳米线间隔设置在所述膜层上，所述纳米线为钙钛矿纳米线。本发明的轨道角动量片上探测器通过轨道角动量等离子体场的亚波长聚焦，选择性激发纳米线中单个横向激光模式，实现了零模式串扰的轨道角动量片上探测，对于全光逻辑门、超快光学开关、纳米光子探测器以及片上光学和量子信息处理具有极其重要的意义。
轨道角动量探测器制备方法探测装置光子芯片

[发明专利]发光器件的弱化结构及其制备方法-CN202310247521.6在审
发明人： 潘安练;胡楠;李梓维 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件的弱化结构及其制备方法，其中发光器件弱化结构的制备方法包括：先提供设置有发光器件的衬底，然后于发光器件上形成保护层，再基于保护层对非器件区域的衬底进行一次刻蚀并去除保护层，如此实现了对于衬底的第一次减薄。继而，于一次刻蚀后的衬底和发光器件上形成掩膜层，然后基于图形化的掩膜层对非器件区域的衬底进行二次刻蚀，再对器件区域且外露的衬底进行各向异性刻蚀，形成结构柱并去除掩膜层，实现了对衬底的第二次减薄，结构柱与一次刻蚀后器件区域的衬底即结构臂构成T形弱化结构，可采用普通转移头对T形弱化结构上的发光器件进行选择性拾取，提高了发光器件巨量转移的效率，降低了发光器件巨量转移的成本。
发光器件弱化结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制备方法-CN202310342093.5在审
发明人： 潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制备方法，半导体装置包括驱动背板、键合层、显示像素区和多个互连层，驱动背板一侧间隔设置有多个电极触点，键合层设置于驱动背板设置有电极触点的一侧，键合层上与各电极触点相接触的部位均开设有通孔；显示像素区包括多个间隔设置于键合层背离驱动背板一侧的发光单元，多个发光单元的阳极均与键合层连接；互连层、发光单元、通孔为一一对应关系，互连层的一部分容置于通孔中，并与电极触点连接，互连层的另一部分设置于键合层朝向发光单元的一侧，并与发光单元的阴极连接。本发明的半导体装置一方面能减小制备时所需的刻蚀空间，有利于半导体装置进一步微缩化，也无需采用极高的对准精度，简化制备工艺。
半导体装置及其制备方法

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