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[发明专利]一种可调谐窄线宽高速激光器及其调制方法-CN202310862003.5在审
发明人： 班德超;白金花;王健;金亚;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种可调谐窄线宽高速激光器及其调制方法，该激光器包括：衬底(1)；第一温度控制载体(2)、第二温度控制载体(3)、第三温度控制载体(4)、标准载体(5)及第四温度控制载体(6)，沿着激光器芯片的出光方向，依次且间隔设于衬底(1)上；激光器芯片，包括增益区(7)、光栅区(8)及调制区(9)，沿出光方向，依次设于第四温度控制载体(6)上；准直透镜(10)，设于标准载体(5)上；第一F‑P标准具(11)及第F‑P标准具(12)，第一F‑P标准具(11)设于第三温度控制载体(4)上，第F‑P标准具(12)设于第二温度控制载体(3)上；反射晶体(13)，设于第一温度控制载体(2)上。
一种调谐窄线宽高速激光器及其调制方法

[发明专利]紫外胶预固化时间测量装置及方法-CN202110803459.5有效
发明人：陈伟;陈少康;金亚;班德超;翟鲲鹏;穆春元;陈寅芳;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外胶预固化时间测量装置及方法，装置包括振动测试平台；子载体，安装在振动测试平台上，以随振动测试平台振动；激光发射组件，安装在子载体上；汇聚透镜，通过待测的紫外胶可移除地粘接在子载体上；紫外光源，被构造成照射紫外胶，使得紫外胶至少发生预固化，以改变汇聚透镜相对于子载体的位置；以及探测器阵列，被构造成记录激光发射组件发射的激光经汇聚透镜后的光强，以通过根据紫外光源照射紫外胶的时间和由于紫外胶的预固化导致的光强的变化确定紫外胶的预固化时间。本发明与目前依靠经验去选取预固化时间的方式相比，通过实验测试得到的结果更准确，提高了光模块生产的可靠性，提高了光模块生产的产能。
紫外固化时间测量装置方法

[发明专利]一种基于氮化硅外腔的高性能可调谐半导体激光器-CN202310590437.4在审
发明人：王文亭;田震;曹悦;金亚;班德超;祝宁华 -专利权人：雄安创新研究院
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氮化硅外腔的高性能可调谐半导体激光器。其结构包括激光器增益芯片、模斑转换器、微环谐振器、相位转换器、微环相位调制器、MZI耦合器、MZI传输臂、可调谐回路反射器。激光器增益芯片产生光信号经过模斑转换器与相位转换器传入微环谐振器，微环谐振器将满足特定干涉条件的光从微环波导输出，并通过微环相位调制器对微环进行光相位调节和模式选择，经MZI耦合器和MZI传输臂将光汇合。本发明采用了三微环结构，解决了传统激光器调谐范围受限，集成度不高，波导损耗大等问题，同时本发明结合了模斑转换器的设计，实现III‑V材料和无机材料的混合集成，提高了光耦合效率，为可调谐半导体激光器的设计提供了思路。
一种基于氮化硅外腔性能调谐半导体激光器

[发明专利]半导体激光器及制备方法-CN202310257535.6在审
发明人： 班德超;王健;金亚;徐长达;陈少康;白金花;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体激光器及制备方法，半导体激光器包括衬底；负电极设置在衬底的底面；有源层设置在衬底的顶面；光栅层和波导层均设置在有源层上；脊波导设置在光栅层和波导层上；第一正电极和第二正电极均设置在脊波导上，第二正电极位于光栅层的上方，第二正电极被构造成施加交流电和调整半导体激光器工作状态的直流电。在半导体激光器上设置部分光栅结构、设置第一正电极下面的光反馈结构、减少第二电极的长度，使得半导体激光器在实现较高带宽的同时提高了激光器的单模率和抗反射特性；设置第一正电极下面的光反馈结构，便于半导体激光器的解理和散热；采用同一有源层能够简化外延生长工艺，降低了半导体激光器的成本，提高了成品率。
半导体激光器制备方法

[发明专利]半导体激光器-CN202211560226.8在审
发明人：陈少康;刘宇;班德超;徐长达;白金花;王欣;袁海庆;陈伟;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体激光器，所述半导体激光器包括在同一衬底上并排配置的有源区、增益调控区、相位区、光栅区和隔离区，其中，所述增益调控区采用与所述有源区相同的结构和材料，用于与所述有源区产生光电相互耦合作用，以改变所述半导体激光器的增益。
半导体激光器

[发明专利]用于光电子器件封装的微型芯片显微转移装置及方法-CN202211423428.8在审
发明人：陈少康;白金花;班德超;刘宇;吉贵军;周赤;郑耀国;陈伟;王欣;袁海庆;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所;珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02B21/24 文献下载
摘要：本申请实施例提出了用于光电子器件封装的微型芯片显微转移装置及方法，包括观察组件，其包括物镜组件和目镜组件；其中物镜组件包括双筒件以及设置在双筒件内两组独立的连续变焦透镜组；目镜组件包括双目头目镜；双目头目镜设置在物镜组件的上方，且与透镜组一一对应，并将透镜组放大所得的样品实像再分别放大；载物组件，其设置在物镜组件的下方，用于放置样品；和支撑组件，观察组件设置在支撑组件上并调节物镜组件的焦距通过在物镜内设两组独立的连续变焦透镜组，使用左右眼交替观察的方式，克服了使用传统显微镜不能聚焦至两个平面高度的问题，使得转移芯片的过程更加简便，快捷，并且可以减少芯片夹取次数，减少损伤。
用于光电子器件封装微型芯片显微转移装置方法

[发明专利]一种外腔窄线宽激光器-CN202110688731.X有效
发明人：陈少康;陈伟;徐长达;王健;齐艺超;班德超;穆春元;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种外腔窄线宽激光器，包括热沉、芯片、电极、耦合透镜、多模干涉波导结构以及反射结构，热沉上端面形成有一沿左右向延展的安装区；芯片设于所述安装区内；电极设于所述芯片的上方；耦合透镜设于所述安装区内，并位于所述芯片的右侧；多模干涉波导结构包括若干个单模波导和若干个多模波导，若干个所述单模波导和若干个所述多模波导沿光轴依次交替设于所述安装区内，并位于所述耦合透镜的右侧；反射结构设于所述安装区内，并位于所述多模干涉波导结构的右侧。其中芯片提供光增益，多模干涉级联外腔与反射镜组成外腔反馈系统，起到选模和压窄线宽的作用，可以实现单模输出并且压窄线宽。
一种外腔窄线宽激光器

[发明专利]调谐激光器芯片-CN202011250258.9有效
发明人：孙文惠;徐长达;班德超;陈伟;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：一种调谐激光器芯片，包括：后向光栅区(1)、第一增益区(2)、微环谐振腔(c)及前向光栅区(5)；所述微环谐振腔(c)包括依次环形连接的第二增益区(3)、第一多模干涉波导(6)、调相区(4)及第二多模干涉波导(7)；所述后向光栅区(1)连接至所述第一增益区(2)，所述第一增益区(2)连接至所述第一多模干涉波导(6)，所述前向光栅区(5)连接至所述第二多模干涉波导(7)；其中，所述后向光栅区(1)与所述前向光栅区(5)构成布拉格反射谐振腔，所述第二增益区(3)与所述调相区(4)构成增益谐振腔。该激光器芯片可以实现对L波段光谱的精细调谐及宽范围调谐并避免跳模。
调谐激光器芯片

[发明专利]窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法-CN202010139459.5有效
发明人：孙甲政;许博蕊;孙文惠;夏施君;袁海庆;祝宁华;班德超;刘泽秋;张晨炜;徐长达 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种分布反馈半导体激光器，所述激光器自下而上依次包括N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、二次外延光栅层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、钝化层和P面电极层；包层和欧姆接触层构成波导结构，所述波导结构为脊波导结构。本发明利用垂直方向上下两层光栅结构，共同反馈选模。分布在有源区附近的二次外延光栅与光场高效耦合，实现频率选择和压窄线宽。电极取样光栅单一反射峰线宽窄，与波导内光场充分耦合反馈，能够进一步稳定工作波长，提高边模抑制比，减小线宽因子，有效压窄激光线宽。
窄线宽分布反馈半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种多通道光跳频系统、信号加密方法和光通信设备-CN202110716094.2在审
发明人：王健;班德超;陈寅芳;陈伟;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种多通道光跳频系统，该系统包括：发射机，用于产生至少两路不同的用户信号和至少两路第一伪随机码信号，并基于至少两路第一伪随机码信号产生至少两路光载波，将至少两路不同的用户信号调制到至少两路光载波上，每一路光载波上调制一路用户信号，得到至少两路调制光载波，并将至少两路调制光载波耦合为一路已调光载波，完成加密处理；接收机，和发射机相连接，用于接收已调光载波，并对已调光载波进行解密得到至少两路不同的用户信号，完成解密处理。该多通道光跳频系统，应用光跳频理论，把用户信号分割成多个片段，并将多个片段调制到多个波长不同的光载波上，每个波长的光载波只携带部分用户信号，可以有效提高通信的安全性。
一种通道光跳频系统信号加密方法光通信设备

[发明专利]一种夹取芯片的镊子-CN202110688598.8在审
发明人：陈少康;陈伟;吉贵军;周赤;徐长达;金亚;班德超;王健;翟鲲鹏;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所;珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B25B9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种夹取芯片的镊子，用于夹取芯片，所述夹取芯片的镊子包括两个夹臂和限位结构；每一所述夹臂具有沿其长度方向呈相对设置的连接端及夹持端，所述两个夹臂的两个所述连接端相连接，所述两个夹臂的两个所述夹持端能够沿相互靠近的夹持方向活动；限位结构，包括限位件，所述限位件的长度可调地设于所述两个夹臂的所述两个夹持端之间；其中，所述两个夹臂的所述两个夹持端上均设有用以夹取芯片的金属片。通过限位件控制镊臂的闭合，起到缓冲作用，使用底端的金属片夹取芯片，增大接触面积，减免芯片夹取带来的损伤。本发明提供的夹取芯片的镊子无需调节，操作简单，有效降低夹取芯片带来的损伤。
一种芯片镊子

[发明专利]双增益芯片的可调谐外腔激光器-CN202011513301.6在审
发明人：徐长达;班德超;孙文惠;陈伟;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双增益芯片的可调谐外腔激光器，包括：偏振分光棱镜，偏振分光棱镜的分光面与第一方向和第二方向均呈45°角；第一增益芯片，沿第一方向设置，第一增益芯片发出的光沿第一方向入射到分光面并透射穿过偏振分光棱镜；第二增益芯片，沿第二方向设置，第二增益芯片发出的光沿第二方向入射到分光面并沿第一方向反射；反馈腔，沿第一方向设置，反馈腔和第一增益芯片分别设置在偏振分光棱镜的两对侧，反馈腔包括沿第一方向设置的至少一个独立法布里‑珀罗标准具、至少一个空气隙法布里‑珀罗腔和反射镜；第一方向垂直于第二方向，采用两个增益芯片配合偏振分束棱镜可以共用一个反馈腔，可以实现对波长和相位的调节，获得更大的调谐范围。
增益芯片调谐激光器

[发明专利]可调谐外腔激光器-CN202011513806.2在审
发明人：徐长达;孙文惠;班德超;陈伟;祝宁华;李明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐外腔激光器，包括：立方分束棱镜，其分光面与第一方向和第二方向均呈45°角，第一方向垂直第二方向；增益芯片，沿第一方向设置，发出的光入射到分光面沿第一方向透射，并沿第二方向反射；独立法布里‑珀罗标准具，沿第二方向设置，用于光路中波长的选择和线宽的压窄，至少一个独立法布里‑珀罗标准具分别设置在立方分束棱镜的至少一侧，独立法布里‑珀罗标准具背向立方分束棱镜一侧设置第一反射镜；空气隙法布里‑珀罗腔，沿第一方向设置，空气隙法布里‑珀罗腔和增益芯片分别设置在立方分束棱镜的两对侧，空气隙法布里‑珀罗腔背向立方分束棱镜一侧设置第二反射镜，可实现双轴输出，降低光路的耦合和调整的难度。
调谐激光器

[发明专利]电极部分覆盖脊条的DFB激光器-CN202010616307.X在审
发明人：徐长达;陈伟;班德超;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所;雄芯光电科技有限责任公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本公开提供一种电极部分覆盖脊条的DFB激光器，包括：衬底层；下限制层，位于衬底层上；下波导层，位于下限制层上；有源层，位于下波导层上；上波导层，位于有源层上；上限制层，位于上波导层上，其内设置有光栅，沿上限制层设置有一纵向脊波导；欧姆接触层，覆于脊波导上表面共同构成脊条结构；绝缘层，位于上限制层表面及脊条结构侧壁；以及P面电极，覆于脊条结构中间段的表面并沿绝缘层延伸出一外部接入电极；其中，脊条结构的两端未覆盖P面电极的部分分别形成第一区域和第二区域。
电极部分覆盖 dfb 激光器

[发明专利]有源腔与无源腔交替结构的DFB激光器-CN202010616598.2在审
发明人：徐长达;陈伟;班德超;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所;雄芯光电科技有限责任公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本公开提供一种有源腔与无源腔交替结构的DFB激光器，包括：衬底层；下限制层，位于衬底层上；下波导层，位于下限制层上；有源层，位于下波导层上；上波导层，位于有源层上；上限制层，位于上波导层上，其内设置有光栅结构；沿上限制层设置有一纵向脊波导；欧姆接触层，覆于脊波导上表面共同构成脊条结构；绝缘层，位于上限制层表面及脊条结构侧壁；以及P面电极，成梳齿状纵向间隔覆于脊条结构的上表面并覆满脊条结构侧壁后沿绝缘层延伸出一外部接入电极；其中，有源层中对应脊条结构有覆盖P面电极的部分形成多个有源腔，有源层中对应脊条结构未覆盖P面电极的部分形成多个无源腔，从而使得激光器沿纵向方向上形成有源腔与无源腔的交替结构。
有源无源交替结构 dfb 激光器

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