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[发明专利]一种脱醇型室温硫化硅橡胶密封剂及其制备方法-CN202111421008.1有效
发明人：王德波;王映品;李功捷;赵志斌;王艺臻;曲轶 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C09J183/08 文献下载
摘要：本发明提供一种脱醇型室温硫化硅橡胶密封剂及其制备方法，该密封剂各组分按重量份数计包括以下组分：A.羟基封端聚二甲基硅氧烷100份；封端剂0.5‑4份；封端催化剂0.01‑0.1份；二甲基硅油10‑30份；补强填料80‑150份；交联剂3‑8份；硅烷偶联剂0.5‑3份；湿气固化催化剂0.5‑5份。本发明采用封端剂对羟基封端聚二甲基硅氧烷进行封端，制备工艺快速简便，反应程度高，残留硅羟基少，密封剂具有优异的耐高温高湿性能和储存性能，可应用于电子、光伏、家电、汽车等行业的密封与粘接。
一种脱醇型室温硫化硅橡胶密封剂及其制备方法

[发明专利]一种双波长单片集成面发射半导体激光器-CN202010600397.3有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;李功捷;乔忠良;赵志斌;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种双波长单片集成面发射半导体激光器，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底顶端自下而上依次生长有缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层，窗口层。本发明不仅能够获得高质量的高反射率腔镜，还能有效减小谐振腔的腔长，有利于芯片集成。
一种波长单片集成发射半导体激光器

[发明专利]蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法-CN202011450850.3有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;乔忠良;李功捷;赵志斌;陈浩;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光隧道结纳米环光放大器外延结构及放大器的制备方法，包括：衬底层、缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层；衬底层上依次生长缓冲层、底部GaN同质结分布布拉格反射镜层、下势垒层、有源层、隧道结层、电流注入层、上势垒层、顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层和欧姆接触层。本发明能够改善现有纳米环光放大器的刻蚀缺陷，从而能够保证获得高质量的蓝光隧道结纳米环光放大器，方法易于控制，工艺稳定。
隧道纳米放大器外延结构制备方法

[发明专利]一种多通道分时触发脉冲开关、激光系统及激光产生方法-CN202210363408.X在审
发明人：吕栋栋;费红阳;彭鸿雁;丁蕴丰;张铁民;王春妮;李功捷;孙丽;张焓笑;潘孟美;刘晓莹;王德波 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01S3/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种多通道分时触发脉冲开关、激光系统及激光产生方法，该脉冲开关包括：单通道脉冲开关、分时触发器、绝缘筒和放电室隔离盘，单通道脉冲开关的数量大于1，分时触发器的触发脉冲的路数与单通道脉冲开关的数量相同；该激光系统包括所述脉冲开关、充电电感、储能电容、峰化电容、激光腔和激光发生设备；该方法包含以下步骤：充电电感为储能电容充电后，各个单通道脉冲开关在分时触发脉冲的作用下分时导通，储能电容为峰化电容充电从而向激光腔放电形成激励源进而产生激光；本发明实现了高功率脉冲气体激光器在高功率输出条件下的稳定工作，有效延长一次启动时的激光器工作时间。
一种通道分时触发脉冲开关激光系统产生方法

[发明专利]一种阵列式放电元件及阵列电极型脉冲放电气体激光器-CN202210364569.0在审
发明人：吕栋栋;费红阳;彭鸿雁;丁蕴丰;张铁民;王春妮;李功捷;孙丽;张焓笑;潘孟美;刘晓莹;王德波 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01S3/097 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列式放电元件及阵列电极型脉冲放电气体激光器，该放电元件包括金属基板、多个单元电极和多个预电离针；所述金属基板上设置有多个呈阵列排布的电极安装孔；所述单元电极一一对应安装在每个所述电极安装孔中；所述预电离针一一对应套设于所述单元电极的内部中心位置；该气体激光器包括阵列式放电元件、峰化电容、多个储能电容和地电极，所述放电元件与所述多个储能电容对应连接，所述峰化电容一端与所述放电元件连接，另一端与地电极连接；本发明预电离针在电极平面的均匀分布，可以使电极空间的的电离电荷更趋于均匀分布，达到整体均匀预电离的效果，有利于主放电的均匀进行。
一种阵列放电元件电极脉冲气体激光器

[发明专利]一种镜头压圈扳手-CN202111551648.4在审
发明人：吕栋栋;费红阳;彭鸿雁;丁蕴丰;张铁民;王春妮;李功捷;孙丽;张焓笑;潘孟美;刘晓莹;王德波 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： B25B13/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种镜头压圈扳手，包括：扳手本体上转动支撑有调节轴，调节轴上依次设置有两段旋向不同的螺纹段，扳手本体上滑动限位有滑块，滑块旋设在调节轴上，两个紧固件的一端各自与两个滑块固定，两个紧固件的另一端均可拆卸固定有一个顶杆，在扳手本体上且沿调节轴的长度方向设置有长度刻度线，紧固件上设置有定位标线，定位标线能够与长度刻度线共线。本发明通过转动调节轴，确保两个顶杆之间的距离可调，使得该扳手能够适用于不同尺寸的镜头压圈；扳手本体上设置有长度刻度线，紧固件上设置有定位标线，该设置确保两个顶杆之间的距离能够精确调整，避免两个顶杆的间距调节不合适，顶杆在安装或拆卸镜头压圈时划伤镜片。
一种镜头扳手

[实用新型]一种蓝光纳米环光放大器-CN202022091165.8有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;杨云帆;乔忠良;李功捷;陈浩;赵志斌;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种蓝光纳米环光放大器技术方案，该方案包括蓝宝石衬底，缓冲层，底部GaN同质结分布布拉格反射镜层，下势垒层，有源层，电流注入层，上势垒层，顶部GaN同质结分布布拉格反射镜层，欧姆接触层。该方案先采用ICP刻蚀出纳米环基本结构，再利用电化学刻蚀技术继续刻蚀，最终实现一种蓝光纳米环光放大器，能有效减小ICP刻蚀所引入的缺陷。本实用新型之方法易于控制，工艺稳定。
一种纳米放大器

[发明专利]一种动态测量非线性负载阻抗的方法-CN202011619303.3在审
发明人：王映品;李林;李志波;王德波;曾丽娜;李功捷;孙丽;崔相雨 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种动态测量非线性负载阻抗的方法，包括：第一步：检测负载电压与电流；第二步：检测负载电压相角；第三步：ABC相电压进行dq坐标变换和ABC相电流进行dq坐标变换；第四步：第三步中ABC相电压进行dq坐标变换进行滤波，第三步中ABC相电流进行dq坐标变换进行滤波；第五步：得出相位和幅值，第六步：根据第五步中ABC相电压进行dq坐标变换进行滤波之后得出相位和幅值以及ABC相电流进行dq坐标变换进行滤波之后得出相位和幅值得到电阻值、电感值、电容值和阻抗角，借此，本发明具有能够适用于线性/非线性负载、有电力电子装置的负载，在电压频率发生变化时也适用，能够准确计算负载的等效电阻、电感、电容及阻抗角的优点。
一种动态测量非线性负载阻抗方法

[发明专利]一种振动检测用支架结构-CN202011553642.6在审
发明人：李志波;孙丽;王映品;李功捷 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01M7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种振动检测用支架结构，包括U型支架，U型支架底端的中部通过高度调节组件设有安装板，高度调节组件包括上安装座和下安装座，U型支架两边侧的中部通过第三转轴设有固定组件，第三转轴的两端与U型支架两边侧的中部转动穿插连接，固定组件包括固定框，第三转轴的两端与固定框两边侧的中部固定穿插连接，固定框边侧的中部开设有第二固定孔，本发明的有益效果是：通过高度调节组件改变U型支架与安装板之间距离，不需要通过反复拆装物件获得不同大小的振动幅值，省时省力，通过第三转轴使固定框与U型支架进行相对旋转，再通过第二固定孔将固定框固定，无需拆卸就能调整物件的振动方位。
一种振动检测支架结构

[实用新型]一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器-CN202020881623.5有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;李功捷;赵志斌;杨红;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种面发射半导体激光器。一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器结构，由蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层和窗口层组成。该结构由外延生长同质结DBR来实现高反射率的面发射激光器谐振腔，无需高反射率的谐振腔镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的腔镜材料。
一种紧凑型波长垂直发射半导体激光器

[实用新型]一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列-CN202020566613.2有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;杨红;李功捷;李志波;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料；一掩膜层，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs量子点，与GaAs形成轴向异质结，为InxGa1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长，与InGaAs形成轴向异质结；一GaAs层，径向生长，与InGaAs形成径向异质结；一GaAs层，轴向生长；一InGaAs量子点，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长；一GaAs层，径向生长；一GaAs层，轴向生长。以此类推，外延生长多周期的GaAs基线中点纳米线阵列。
一种周期 gaas 基线中点纳米阵列

[实用新型]一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线-CN202020567468.X有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;杨红;李功捷;李志波;任永学;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B面的衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙阵列并覆盖住相邻纳米线之间的间隙，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs纳米线，与GaAs形成径向异质结，为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）材料；一GaAs层；第一应变补偿层，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层；一InGaAs纳米线层，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层；第二应变补偿层，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层。以此类推，外延生长多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线。
一种周期应变补偿 ingaas gaas 纳米

[实用新型]一种定位外延生长的壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列-CN202020568787.2有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;乔忠良;李功捷;杨红;任永学;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种定位外延生长的壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙阵列并覆盖住相邻纳米线之间的间隙，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs纳米线，与GaAs形成轴向异质结，为InxGa1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一GaAs层，与InGaAs形成轴向异质结；一GaAs层，径向生长，与InGaAs形成径向异质结；一GaAs层，轴向生长；一InGaAs纳米线，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长；一GaAs层，径向生长；一GaAs层，轴向生长。以此类推，外延生长多周期壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列。
一种定位外延生长壳塔形 gaas ingaas 纳米阵列

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