[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201911328023.4 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113013244A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 田意;徐大伟 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/45;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层，隔离介质层的介电常数介于1～3之间；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上。本发明在源极金属层与栅极层之间，采用介电常数介于1～3之间的低k介质作为隔离介质层，相比于采用如二氧化硅等介质材料作为隔离介质层来说，在相同介质厚度情况下，可以大大减少源极金属层与栅极层之间的输入电容，提高器件的开关速度，降低导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
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