[发明专利]一种基于Ga2在审

专利信息
申请号: 201911271820.3 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN112968054A 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 戴贻钧;郭炜;陈荔;叶继春 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01L29/24 分类号: H01L29/24;H01L29/267;H01L29/06;H01L29/778
代理公司: 宁波甬致专利代理有限公司 33228 代理人: 张鸿飞
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种基于Ga2O3/GaN异质结的HEMT器件,它包括衬底(1),缓冲层(2),沟道层(3),以及势垒层(4),沟道层(3)顶端具有2DEG(5),还设有源极(6),漏极(8)和栅极(7);其中所述沟道层(3)由GaN构成,势垒层(4)由Ga2O3构成,2DEG(5)在异质结界面靠近GaN一侧;本发明具有临界击穿电场较大、势垒层表面缺陷较少、能带调节较为容易的特点。
搜索关键词: 一种 基于 ga base sub
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