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[实用新型]2.1μm波段钬板条激光放大器-CN202321163537.0有效
发明人：刘可;王云萍;薄勇;王小军;彭钦军 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及固体激光技术领域，提供一种2.1μm波段钬板条激光放大器，用于放大2.1μm种子激光；包括：铥激光谐振腔；2.1μm种子激光的传输方向垂直于铥激光的传输方向；键合板条增益介质，设置于铥激光谐振腔的内部；包括第一掺铥部分和掺钬部分，第一掺铥部分和掺钬部分沿铥激光的传输方向依次排列；且铥激光在键合板条增益介质内部以Zigzag光路行进，并在铥激光谐振腔内形成铥激光的反馈振荡；泵浦源，泵浦源产生泵浦光整形后耦合键合板条增益介质。本实用新型可以实现高功率高光束质量的2.1μm激光的放大，避免钬激光通过热效应严重的第一掺铥部分，解决了高功率腔内泵浦以及低热畸变放大的难题。
2.1 波段板条激光放大器

[发明专利]一种肖特基光电二极管及其制造方法-CN202310470640.8在审
发明人：陆磊;郑志炜;郑大伟;王云萍;蔡泽宇;杨丹 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种肖特基光电二极管及其制造方法，肖特基光电二极管，包括：阳极层，阳极层为高功函数电极材料；阴极层，阴极层为低功函数电极材料；形成在阳极层与阴极层之间的异质结结构；异质结结构包括第一半导体层与第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层为两种不同的半导体材料层，第一半导体层与第二半导体层均为非晶氧化物半导体材料；第一半导体层与阳极层接触，并形成肖特基接触；第二半导体层与阴极层接触，并形成欧姆接触。本申请提高可以提高基于非晶氧化物半导体的肖特基光电二极管的性能。
一种肖特基光电二极管及其制造方法

[发明专利]双栅薄膜晶体管的结构及制造方法-CN202011592482.6有效
发明人：陆磊;张盛东;张冠张;张立宁;李倩;王云萍;周雨恒 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性。其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
薄膜晶体管结构制造方法

[发明专利]一种声源三维空间定位系统-CN202310261575.8在审
发明人： 王云萍;聂诗卉;李志强;李国辉;高雨含;肖鸿雁;汪玮;韦国丞;刘双;邓邦林;何九宁;田荣刚;刘雪峰;史顺平;杨思雨 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开的一种声源三维空间定位系统，包括麦克风阵列、定位模块、输出模块，所述定位模块包括矫正模块，所述麦克风阵列用于接受声源信号，所述定位模块将获得的所述声源信号根据预设坐标轴进行定位获得定位数据，获得所述定位数据前所述矫正模块对所述定位模块中获得的定位数据进行误差矫正最后获得定位结果。本发明在现有的声源定位的基础上增加了所述矫正模块，一方面可以根据具体的时延误差、声速情况对获得的声源定位相关误差进行矫正或者产生报警，另一方面可以根据仿真理论获得的坐标修正因子对定位数据进行修正，提高获得信息的准确度。
一种声源三维空间定位系统

[实用新型]一种侧挂式工件抚平装置-CN202222834631.6有效
发明人：张亮;程健;卢成斌;曲炎;王萌;汪宗泉;张洪钧;王茂宁;战福操;于铎;张宝;霍洪旭;刘明治;赵伟;牟永凯;张荣磊;王云萍 -专利权人：沈阳机床股份有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B23Q3/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种侧挂式工件抚平装置，其结构为：在机床立柱的侧表面通过水平进给装置连接辅助支架，辅助支架的前端连接底座，底座的外圆周通过弹性缓冲机构支撑抚平支架，抚平支架通过固体轴承与底座同轴配合，底座的前端部穿过抚平支架与端盖连接，端盖的后端面限位抚平支架；在抚平支架具有两个对称沿径向伸展的支臂，支臂的端部连接抚平块。该抚平装置运用了弹簧的柔性结构，缓冲了抚平过程中产生的撞击，同时保证了工件平面与主轴平面的平行度要求。
一种侧挂式工件抚平装置

[发明专利]显示面板的屏内传感器件结构及显示装置-CN202011298874.1有效
发明人：陆磊;张盛东;王鹏飞;王云萍;廖聪维;周晓梁 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K59/60 文献下载
摘要：一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
显示面板传感器件结构显示装置

[发明专利]柔性薄膜晶体管阵列的结构及其制造方法-CN202011592468.6有效
发明人：陆磊;张盛东;焦海龙;张敏;周航;周雨恒;王云萍 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种柔性薄膜晶体管阵列的结构及制造方法，其结构中包括基板和基板上形成的薄膜晶体管阵列，其中，薄膜晶体管中的有源层与所述基板垂直，还包括金属连线，所述金属连线用于将各个薄膜晶体管连接至扫描模块或数据模块中，所述金属连线是具有弯折路径的连线。由于有源层与所述基板垂直，并且布线中的金属连线是具有弯折路径的连线，当器件被弯折时，器件受到应力减小，提高了各个晶体管的稳定性，并且金属连线为具有弯折路径的连线，金属连线受力时不易折断，耐受能力强，能够进一步改善整体柔性薄膜晶体管阵列受弯曲或拉伸时应力问题，提高整个柔性薄膜晶体管阵列的稳定性。
柔性薄膜晶体管阵列结构及其制造方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN202210857220.0在审
发明人：郑大伟;陆磊;张盛东;王云萍;严建花;蔡泽宇 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、半导体层、第二金属层、钝化层以及金属侧墙；第一金属层形成在衬底上，第一金属层为高功函数金属；半导体层形成在第一金属层上，或者半导体层部分形成在第一金属层上且部分形成在衬底上；金属侧墙与半导体层的侧壁接触，金属侧墙为高功函数金属，金属侧墙与半导体层之间形成肖特基接触；钝化层覆盖金属侧墙、半导体层以及第一金属层；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触，第二金属层为低功函数金属。通过在半导体层的侧壁上设置金属侧墙，利用金属侧墙与半导体层之间肖特基接触，将半导体层的侧壁耗尽，削弱边缘电场，从而降低反向加压时漏电的情况。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN202210872263.6在审
发明人：郑大伟;陆磊;张盛东;王云萍;严建花;蔡泽宇 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触。通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法-CN202210411896.7在审
发明人：王鹏飞;陆磊;王云萍;杨欢;周晓梁;张盛东 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法，其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料，中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散，另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒，使得电子在两种半导体有源层之间能够发生自由迁移或者大量隧穿，从而使得第一有源层和第二有源层之间能够形成较理想的异质结界面，获得更深的异质结势阱。形成更为理想的半导体异质结，使得真正利用和发挥异质结在金属氧化物半导体器件中的性能优势。提升了现有的高迁移率高稳定性的晶体管或高耐压性的二极管等器件的性能。
一种异质结结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件-CN202210618717.7在审
发明人：陆磊;孙博文;李吉业;王云萍 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种透气导电材料、制造方法、半导体器件以及双栅TFT器件，透气导电材料，包括主体材料以及掺杂材料；主体材料包括至少一种金属氧化物，金属氧化物为导电氧化物，且金属氧化物的晶粒尺寸为1nm‑100nm；掺杂材料包括过渡金属以及后过渡金属中的至少一种单质或氧化物，掺杂材料按质量百分比的含量为1％‑50％。通过在导电氧化物中进行特定元素掺杂，从而改变导电氧化物的微观结构，在保证其导电性能的同时，提高导电氧化物的透气性，以使得采用该透气导电材料制成的电极，可以应用在需要导电以及透气需求的半导体器件中。
透气导电材料制造方法半导体器件以及 tft 器件

[实用新型]一种蜗杆副-力矩驱动的摇篮转台-CN202122864316.3有效
发明人：杨小娟;张亮;张伟;武晓杰;邱岩;肖潇;王雪;王雁宁;于雯秋;王志国;王云萍 -专利权人：沈阳机床股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B23Q1/25 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蜗杆副‑力矩驱动的摇篮转台，其结构为：U型结构的摆架的两端分别通过转轴支撑在支撑端座和传动端座的轴承座内；在传动端座内设有相互啮合的蜗轮和蜗杆，蜗轮与A转轴同轴配合连接；蜗杆的两端支撑在传动端座内的轴承座内，且蜗杆的一端伸出传动端座并连接大皮带轮；在传动端座的外侧通过支架连接伺服电机，伺服电机的输出轴与蜗杆的轴线平行，在伺服电机的输出轴上连接小皮带轮，大皮带轮与小皮带轮之间通过皮带连接传动；在摆架内设有C轴箱体。该摇篮转台有效的减小了双机械转台的C轴重量，从而减小了A轴旋转时的负载转动惯量，提高了A轴摇篮摆动的响应速度，提高摇篮转台的定位精度和重复定位精度，同时更加节能。
一种蜗杆力矩驱动摇篮转台

[发明专利]双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法-CN202111286452.7在审
发明人：刘发扬;陆磊;张盛东;王云萍;周晓梁 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种双栅结构的半导体场效应晶体管及其制造方法，包括第一栅极和第二栅极，分别使得第一栅极和第二栅极作为场效应管结构的底栅和顶栅，并将底栅和顶栅分别设置为MOSFET结构和MESFET结构，由于结合了MOSFET结构和MESFET结构的优势，使得该双栅器件的工作电压范围扩大，增加了栅极对沟道的控制能力，使器件的载流子迁移率、SS等参数得以优化，并使器件的稳定性有所提升。此外，由于MESFET(JFET)器件对栅极偏置的变化更加敏感，使得本申请中的双栅半导体场效应晶体管利用这种特点使得可以应用到传感领域中，增大了应用范围。
结构半导体场效应晶体管及其制造方法

[实用新型]一种带温度检测的倒置立式车床电主轴-CN202220000184.1有效
发明人：潘丁丁;张宝东;李航;李端宇;高宇;秦伟;李猛;吕心如;刘晓莹;路平;杜秋实;孙井泉;王明;王云萍 -专利权人：沈阳机床股份有限公司
申请日： 2022-01-02 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B23B19/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带温度检测的倒置立式车床电主轴结构，属于机床加工生产领域，包括芯轴和主轴箱体，主轴箱体内部安装有芯轴，芯轴一端为大直径端，一端为小直径端，内置电机转子与芯轴过盈装配在一起，内置电机定子与主轴箱体通过后轴承支撑座紧固在一起，温度传感器安装在主轴箱体上，芯轴一端有迷宫防水结构和气密封结构，通过温度传感器采集主轴前端温度，配合数控系统补偿功能，可实现主轴精准定位，提高加工零件的精度。
一种温度检测倒置立式车床主轴

[发明专利]一种高重频激光分光同步精密衰减器-CN201911025719.X有效
发明人：李岩;王云萍;张文豹 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种高重频激光分光同步精密衰减器，包括：第一偏振分光棱镜，用于将入射的高重频激光分成偏振态相互垂直的第一线偏振光和第二线偏振光；第一路衰减单元，用于对第一线偏振光进行衰减；第二路衰减单元，用于对第二线偏振光进行衰减；第二偏振分光棱镜，用于将衰减后的第一线偏振光和第二线偏振光进行合束，获得衰减后的高重频激光。本申请提供的上述高重频激光分光同步精密衰减器可以通过对高重频激光的偏振分光，然后对分光后具有较好偏振特性的两束激光分别进行同步衰减，再经合束后，获得衰减后的高重频激光，这样可实现高重频激光的动态高精度的衰减控制，能量透过率高，可满足高重频激光的半实物仿真试验需求。
一种高重频激光分光同步精密衰减器

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