[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910486741.8 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571263A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 筱原博文 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及制造方法。半导体装置（1）具备：包括第1导电型的高浓度漏极区域（14a）、第1漏极漂移区域（14b）和第2漏极漂移区域（14c）的第1导电型的漏极区域（14）、第1导电型的源极区域（15）、第2导电型的体区域（16）、栅极绝缘膜（12）、栅极电极（13）、以及在漏极区域（14）上形成的STI绝缘膜（11）。以从远离STI绝缘膜（11）的第1角部（11a）距离x1的第1位置（11f）朝向第2角部（11b）的方向延伸的方式形成第2漏极漂移区域（14c）。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 漂移区域 漏极 半导体装置 漏极区域 绝缘膜 角部 高浓度漏极区域 栅极绝缘膜 方向延伸 源极区域 栅极电极 第1位置 体区域 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，被形成于半导体基板，并且，具备：第1导电型的漏极区域、第1导电型的源极区域、在所述漏极区域与所述源极区域之间形成的第2导电型的体区域、在所述体区域上形成的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上形成的栅极电极、在所述漏极区域设置的沟槽、以及在所述沟槽内形成的具有比所述栅极绝缘膜厚的膜厚的厚膜绝缘膜，所述半导体装置的特征在于，/n所述沟槽具有：与所述体区域相向的第1沟槽侧面、以与所述第1沟槽侧面和所述体区域相向且比所述第1沟槽侧面远离所述体区域的方式形成的第2沟槽侧面、沟槽底面、在剖视下在所述沟槽底面与所述第1沟槽侧面的交叉部设置的第1角部以及在所述沟槽底面与所述第2沟槽侧面的交叉部设置的第2角部，/n所述漏极区域包括：以与从所述体区域、所述第1沟槽侧面和所述第1角部到第1位置之间的所述沟槽底面相接的方式形成的第1漏极漂移区域、以从所述第1位置起向所述第2角部的方向延伸且与所述沟槽底面相接的方式形成的杂质浓度比所述第1漏极漂移区域高的第2漏极漂移区域、以及以远离所述体区域、所述第1沟槽侧面和所述沟槽底面的方式形成的杂质浓度比所述第2漏极漂移区域高的高浓度漏极区域。/n
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