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[发明专利]源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法-CN202111014531.2有效
发明人： 靳晓诗;赵瑞英;杨宝新;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提出一种源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法，对比现有技术，无需额外供电的编程栅，仅通过单个栅电极即可实现对其开关控制功能，简化了单元结构的复杂度，易于单元结构互连和集成度的提升。本发明所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，位于编程隧穿层以下区域具有左右对称的结构特征，可互换电极a和可互换电极b可彼此互换，实现本发明的双向开关传输功能。利用对漏电极和源电极之间施加电势差对本发明提出的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的可编程浮栅进行编程，在断电下可依然可以长时间记录保持导电类型。
辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管制造方法

[发明专利]4晶体管双向异或非门CMOS集成电路及使用和连接方法-CN202110786068.7有效
发明人： 靳晓诗;李天宇;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：一种4晶体管双向异或非门CMOS集成电路，该电路包含：第一N型MOS晶体管NMOS；第一P型MOS晶体管PMOS；第二N型MOS晶体管NMOS；第二P型MOS晶体管PMOS；信号输入端A；信号输入端B；电源电压VDD；XNOR逻辑门输出端；第一金属导线M；第二金属导线M；第三金属导线M；第四金属导线M；精简化的异或非XNOR逻辑门电路，使集成电路的集成度在同等工艺下进一步提升；在电源电压VDD与XNOR逻辑门输出端对调的情况下依然可以输出异或非逻辑，可实现双向异或非门逻辑传输功能，为拓展集成电路功能设计提供支持。
晶体管双向非门 cmos 集成电路使用连接方法

[发明专利]低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法-CN202110769076.0有效
发明人： 靳晓诗;王妍;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法，通过具有双层阻挡接触式结构特征的单个晶体管即可实现集成电路的异或非门逻辑功能，简化了异或非门电路结构的复杂度，易于集成电路集成度的提升，解决了源区和漏区过短，会导致由传统MOS场效应晶体管所组成异或非门集成电路功能退化和逻辑失效等问题，并使逻辑门实现了双向传输功能，因此极大地简化了异或非门电路结构的复杂度；利用源区或漏区具有双层阻挡接触式结构特征，在源区或漏区缩减至纳米级尺寸时，结合两个栅电极的共同作用，使异或非门工作在非“1”状态时功耗显著降低，在简化异或非门电路结构的同时，确保集成电路在极端尺寸下可以高性能稳定工作。
功耗双层阻挡接触双向非门集成电路制造方法

[发明专利]双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法-CN202110784870.2有效
发明人： 靳晓诗;杨敏 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了双掺杂源漏单晶体管同或门及制造方法，通过对晶体管的源区和漏区形成具有施主掺杂和受主掺杂的两个分区，当两个信号输入端同时输入高电平或低电平时，双掺杂源漏单晶体管同或门处于电子导通状态或空穴导通状态，实现高电平输出，当两个信号输入端其中一个处于高电平而另一个处于低电平时，双掺杂源漏单晶体管同或门处于电子阻断且空穴阻断状态，实现低电平输出，从而使本发明所述的双掺杂源漏单晶体管，仅通过自身单独一个晶体管即实现了同或门逻辑，从而极大程度上降低了同或门的复杂度。
掺杂源漏单晶体管制造方法

[发明专利]低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法-CN202111012563.9有效
发明人： 靳晓诗;张寿强 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法，通过对半导体薄膜两侧同时形成正负掺杂，当可重构电极对重构电荷存储层编程写入正电荷时，半导体两侧形成电子堆积区，使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在导带电子导通模式，当可重构电极对重构电荷存储层编程写入负电荷时，半导体两侧形成空穴堆积区，使低导通电阻可重构计算芯片用晶体管工作在价带空穴导通模式，实现对低导通电阻可重构计算芯片用晶体管导电类型的可编程操作。本发明同时公开了一种兼容于CMOS集成电路工艺技术的低导通电阻可重构计算芯片用晶体管的制造方法。
通电阻可重构计算芯片晶体管制造方法

[发明专利]一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法-CN202110733802.3在审
发明人：刘溪;连丹纯;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性可重置双向开关装置，包含SOI晶圆的硅衬底，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层，SOI晶圆的衬底绝缘层的上方为半导体薄膜、双括号非易失性电荷存储层的部分区域、半导体隧穿层a、半导体隧穿层b、可互换电极内嵌区a、可互换电极内嵌区b、栅电极绝缘层的部分区域、栅电极、防电荷流失用绝缘层和绝缘介质阻挡层的部分区域。本发明所述器件为一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法，装置具有左右对称结构，可互换电极a和可互换电极b可彼此互换，实现本发明的双向开关功能。
一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法

[发明专利]方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法-CN201711050846.6有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及高集成度方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法。在U形单晶硅所形成的凹槽内部，仅需填充绝缘介质以实现两侧垂直沟道的彼此隔离，在凹槽内部无需引入用于生成栅电极的金属材料或者多晶硅材料，凹槽内部结构相对简单，可实现传统意义上物理栅电极长度仅有1纳米的，即源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力，即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。因此适用于推广应用。
方筒形栅内嵌沟道场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法-CN201711050837.7有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法，可实现源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力。即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。同时采用方筒形辅控栅电极和方筒形栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，有效解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，因此适用于推广应用。
分立双方筒形栅内嵌沟道晶体管及其制造方法

[发明专利]一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法-CN201711050924.2有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗和反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
一种括号形栅控源漏阻变式双向开关晶体管及其制造方法

[发明专利]双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法-CN201711046024.0有效
发明人： 靳晓诗;高云翔;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种双括号形栅控双向开关隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有括号栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗和反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
括号形栅控双向开关晶体管及其制造方法

[发明专利]双选导电类型双括号栅控源漏阻变式晶体管及其制造方法-CN201711048210.8有效
发明人： 靳晓诗;高云翔;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及双选导电类型双括号栅控源漏阻变式晶体管及其制造方法及其制造方法，本发明所述器件具有折叠辅助栅、双括号栅和左右两侧对称的结构特征，可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能、具有低静态功耗和反向泄漏电流和较强的栅极控制能力、具有低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，实现了现有技术所无法实现的P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能，因此为集成电路设计单元提供了更广泛和多样的逻辑功能，适合推广应用。
导电类型括号栅控源漏阻变式晶体管及其制造方法

[发明专利]一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法-CN201711050865.9有效
发明人： 靳晓诗;马恺璐;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种势垒调控式H形栅控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有H形栅电极、势垒调节栅和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗、反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
一种调控形栅控双向晶体管及其制造方法

[发明专利]H形栅控源漏阻变式导电类型可调型晶体管及其制造方法-CN201711050861.0有效
发明人： 靳晓诗;高云翔;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种H形栅控源漏阻变式导电类型可调型晶体管及其制造方法，本发明所述晶体管具有H形栅电极、导电类型调控栅和左右对称的结构特征，本发明所述器件具有可实现P型导电类型与N型导电类型可自由切换功能和双向开关功能。具有低静态功耗、低反向泄漏电流、较强栅极控制能力和低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用肖特基势垒隧穿效应实现更优秀的亚阈值特性和开关特性，降低晶体管的静态功耗；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，实现了各种现有晶体管技术所无法实现的P型导电类型与N型导电类型可自由调控功能，因此适合推广应用。
形栅控源漏阻变式导电类型可调晶体管及其制造方法

[发明专利]源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法-CN201711046023.6有效
发明人：刘溪;夏正亮;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及源漏对称可互换双括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有折叠辅助栅、双括号栅和左右两侧对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有可实现双向开关功能、低静态功耗和反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
对称互换括号形栅控隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法-CN201711048116.2有效
发明人： 靳晓诗;王艺澄;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗反向泄漏电流、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
形栅控源漏对称互换型隧穿晶体管及其制造方法

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