[发明专利]高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构在审
| 申请号： | 201811178757.4 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109841683A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈佳政;陈亮吟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本文涉及高表面掺杂浓度形成工艺和由此形成的结构，所公开的实施例大体涉及形成在源极/漏极区域的上表面处具有高表面掺杂浓度的源极/漏极区域，导电特征可形成至该处。在实施例中，一种结构包括衬底上的有源区、有源区上的电介质层、以及穿过电介质层至有源区的导电特征。有源区包括源极/漏极区域。源极/漏极区域包括在源极/漏极区域的上表面处的表面掺杂区域，并且包括具有源极/漏极掺杂浓度的源极/漏极区域的剩余部分。表面掺杂区域包括在靠近源极/漏极区域的上表面处的峰值掺杂浓度。峰值掺杂浓度比源极/漏极掺杂浓度大至少一个数量级。导电特征在源极/漏极区域的上表面处接触源极/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极区域 掺杂 上表面 源区 导电特征 高表面 表面掺杂区域 源极/漏极 电介质层 漏极区域 靠近源 浓度比 衬底 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：在衬底上的有源区，所述有源区包括源极/漏极区域，所述源极/漏极区域包括：在所述源极/漏极区域的上表面处的表面掺杂区域，所述表面掺杂区域包括在靠近所述源极/漏极区域的所述上表面处的峰值掺杂浓度；以及具有源极/漏极掺杂浓度的所述源极/漏极区域的剩余部分，所述峰值掺杂浓度比所述源极/漏极掺杂浓度大至少一个数量级；在所述有源区上方的电介质层；以及导电特征，所述导电特征穿过所述电介质层到达所述有源区，并在所述源极/漏极区域的所述上表面处接触所述源极/漏极区域。
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