[发明专利]半导体器件装置和用于形成半导体器件装置的方法有效

专利信息
申请号: 201510570663.1 申请日: 2015-09-09
公开(公告)号: CN105428209B 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: F·J·桑托斯罗德里奎兹 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明的各个实施例涉及半导体器件装置和用于形成半导体器件装置的方法。半导体器件装置包括半导体衬底,该半导体衬底包括半导体衬底正面和半导体衬底背面。半导体衬底包括形成在半导体衬底正面处的至少一个电学元件。半导体器件装置进一步包括形成在半导体衬底背面处的至少一个多孔半导体区域。
搜索关键词: 半导体器件 装置 用于 形成 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件装置,包括:半导体衬底,包括半导体衬底正面和半导体衬底背面,其中所述半导体衬底包括:至少一个电学元件,形成在所述半导体衬底正面处;多个多孔半导体区域,形成在所述半导体衬底背面处;以及背面金属化层,形成在所述半导体衬底背面之上,其中所述背面金属化层至少部分地覆盖了所述多个多孔半导体区域,并且其中所述多孔半导体区域的半导体材料的密度小于分隔所述多孔半导体区域的无孔半导体材料的密度。
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