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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置-CN202010934961.5在审
  • 田中哲弘;金荣奎;徐基盛;李承炫;李昌澔 - 三星显示有限公司
  • 2020-09-08 - 2021-07-06 - H01L27/32
  • 本公开涉及显示装置，基于一实施例的显示装置包括：基板；多晶半导体，位于基板之上；第一栅极绝缘膜，位于多晶半导体之上；驱动晶体管的栅极电极，位于第一栅极绝缘膜之上；升压电容器的第一电极，位于第一栅极绝缘膜之上；第二栅极绝缘膜，位于驱动晶体管的栅极电极以及升压电容器的第一电极之上；第一层间绝缘膜，位于第二栅极绝缘膜之上；氧化物半导体，位于第一层间绝缘膜之上；第三栅极绝缘膜，位于氧化物半导体之上；第三晶体管的栅极电极，位于第三栅极绝缘膜之上；第四晶体管的栅极电极，位于第三栅极绝缘膜之上，并与第四晶体管的沟道重叠；以及第二层间绝缘膜，位于第三晶体管的栅极电极以及第四晶体管的栅极电极之上。
  • 显示装置
  • [发明专利]绝缘栅极型半导体装置及其制造方法-CN202010000510.4在审
  • 石川隆正;野口晴司 - 富士电机株式会社
  • 2020-01-02 - 2020-09-01 - H01L29/739
  • 本发明提供一种绝缘栅极型半导体装置及其制造方法，能够抑制工时的增加、且能够与栅极沟槽的栅极绝缘膜相独立地进行虚设沟槽的栅极绝缘膜不良的筛查。包括以下工序：掘出栅极沟槽(51)和虚设沟槽(42)；隔着栅极绝缘膜(6)在虚设沟槽(42)中埋入虚设电极(72)，并且隔着栅极绝缘膜(6)在栅极沟槽(51)中埋入栅极电极(71)；以将虚设电极(72)上露出、且将栅极电极(71)覆盖的方式选择性地形成检查用绝缘膜(11)；在虚设电极(72)和检查用绝缘膜(11)上沉积检查用导电膜(20)；以及在检查用导电膜(20)与电荷输送区(1)之间施加电压，由此选择性地检查虚设沟槽(51)内的栅极绝缘膜(6)的绝缘特性。
  • 绝缘栅极半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法-CN202280017872.1在审
  • 今村千寻;伊藤学 - 凸版印刷株式会社
  • 2022-03-15 - 2023-10-24 - H01L29/786
  • 薄膜晶体管的栅极绝缘层由第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜构成，所述第一栅极绝缘膜由有机高分子化合物或有机无机复合材料构成，所述第二栅极绝缘膜由选自氧化硅、氮化硅、氧氮化硅及氧化铝中的任一种构成且被第一栅极绝缘膜和半导体层夹持第一栅极绝缘膜的厚度为100nm以上且1500nm以下，第一栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为300nm·GPa以上且30000nm·GPa以下。第二栅极绝缘膜的厚度为2nm以上且30nm以下，第二栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为100nm·GPa以上且9000nm·GPa以下。
  • 薄膜晶体管以及制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN200880021052.X有效
  • 家田义纪 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2008-06-12 - 2010-03-24 - H01L21/8247
  • 抑制了具有浮置栅极的存储器元件的可靠性的降低。本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件具有：岛状半导体膜，该岛状半导体膜在绝缘表面上形成，且包括沟道形成区和高浓度杂质区；在岛状半导体膜上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的浮置栅极；在浮置栅极上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的控制栅极；以及在隧穿绝缘膜与浮置栅极之间形成的第一绝缘膜。第一绝缘膜由浮置栅极的材料的氧化膜形成，因此防止浮置栅极的材料扩散到隧穿绝缘膜中。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体装置-CN200410058869.8无效
  • 钟个江义晴;岩崎富生;守谷浩志 - 株式会社日立制作所
  • 2004-07-30 - 2005-03-09 - H01L29/78
  • 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201510463261.1有效
  • 西堀一弥;中川贵博 - 株式会社东芝
  • 2015-07-31 - 2018-11-09 - H01L29/78
  • 个实施方式，半导体装置是切换高频信号的半导体装置，具备第1导电型的半导体层；设置于上述半导体层的第2导电型的第1层；设置于上述半导体层的第2导电型的第2层；设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜；以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括：第1栅极绝缘膜，在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸；以及第2栅极绝缘膜，在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置，并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间，且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780084106.6有效
  • 村上刚史 - 三菱电机株式会社
  • 2017-01-26 - 2022-06-24 - H01L29/78
  • 在形成栅极接触区域时，抑制单位单元部的被层间绝缘膜覆盖的栅极导电膜露出。在半导体装置的制造方法中，在单位单元部(11)形成与栅极氧化膜接触的栅极导电膜(2a)，在终端区域(12)形成与栅极氧化膜接触的栅极配线(3a)，在终端区域的栅极配线的上表面形成第1绝缘膜(103d)，将第1绝缘膜作为掩模对单位单元部的栅极导电膜的上表面进行热氧化，由此，在栅极导电膜的上表面形成热氧化膜(102d)，形成覆盖第1绝缘膜以及热氧化膜的第2绝缘膜(102b、103b)。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410089651.9无效
  • 饭塚胜彦;冈田和央 - 三洋电机株式会社
  • 2004-10-29 - 2005-05-04 - H01L21/336
  • 在硅衬底1上形成栅极绝缘膜2，在栅极电极3上形成和栅极绝缘膜2的材料相同种类的绝缘膜4。然后，形成第一绝缘膜6和第二绝缘膜，其中，第一绝缘膜6是和所述栅极绝缘膜2及所述栅极电极3上的绝缘膜4的材料不同的绝缘膜，第二绝缘膜是和栅极绝缘膜2及栅极电极3上的绝缘膜4的材料相同的绝缘膜。然后，使用干蚀刻形成由第二绝缘膜构成的衬垫8，然后，使用湿蚀刻形成LDD结构，形成用于形成硅化物层的开口部。其结果是，可不产生硅衬底的消减或碳污染而制造具有LDD结构或金属硅化物层的晶体管。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体器件及形成其栅极的方法-CN200810110697.2无效
  • 吴泷虎 - 东部高科股份有限公司
  • 2008-06-13 - 2008-12-17 - H01L21/28
  • 一种形成半导体器件的栅极的方法，包括：提供一种半导体衬底，其中有源区由隔离膜所限定；在所述有源区上形成栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上形成帽化层膜；以及在所述形成的表面上进行退火过程，然后在所述有源区的一部分上形成栅极帽化层膜在栅极绝缘膜上形成，以防止栅极绝缘膜与后继栅极材料之间的反应，从而防止栅极功函数变化的现象并防止具有低介电常数的栅极绝缘体的产生。所述退火过程在氟气环境下进行以防止出现栅极绝缘膜中的陷阱位置，而该栅极可以是由金属组成的或完全由硅化物组成的栅极，从而降低EOT。
  • 半导体器件形成栅极方法
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710185901.6有效
  • 篠原正昭 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-03-27 - 2021-11-23 - H01L21/336
  • 当通过使用后栅工艺并用金属栅极电极替换伪栅极电极来形成MISFET时，对控制栅极电极和伪栅极电极之上的相应的帽绝缘膜和层间绝缘膜两者进行抛光，以防止层间绝缘膜的上表面的过量抛光及凹坑的发生。在后栅工艺中，形成层间绝缘膜以覆盖控制栅极电极和伪栅极电极以及位于其之上的帽绝缘膜。在层间绝缘膜的上表面被抛光以使帽绝缘膜从层间绝缘膜暴露之后，执行蚀刻以选择性地去除帽绝缘膜。随后，对层间绝缘膜的上表面进行抛光。
  • 半导体装置及其制造方法
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