[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710161180.5 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630546A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 魏琰;宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；执行阱区离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成阱区；执行袋型区和/或LDD离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成袋型区和/或源/漏延伸区。根据本发明的半导体器件的制造方法，将阱区离子注入工艺在栅极形成后执行，与袋型离子注入和/或LDD离子注入工艺在同一掩膜条件下顺序进行，一方面，减少了对掩膜的使用，从而减少了生产成本；另一方面，有效地减少了半导体制造的工艺步骤，增加了工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 半导体 阱区离子 袋型区 掩膜 制造 离子注入步骤 离子注入工艺 半导体制造 有效地减少 工艺步骤 漏延伸区 栅极结构 栅极形成 阱区 生产成本 离子 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；执行阱区离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成阱区；执行袋型和/或LDD离子注入步骤，以在所述半导体衬底中形成袋型区和/或源/漏延伸区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
