[发明专利]半导体器件、显示装置和它们的制作方法有效
| 申请号： | 201710116647.4 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107240608B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 大原宏树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种显示出优良的电特性的半导体器件和该半导体器件的制作方法。或者提供具有该半导体器件的显示装置和该显示装置的制作方法。本发明提供的半导体器件包括：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和栅极电极与氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于第1晶体管上，具有第1膜和第1膜上的第2膜；和端子，其通过绝缘膜内的开口部与氧化物半导体膜电连接。绝缘膜具有与端子接触的第1区域，第1区域与绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 它们 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和所述栅极电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于所述第1晶体管上，具有第1膜和所述第1膜上的第2膜；和端子，其通过所述绝缘膜内的开口部与所述氧化物半导体膜电连接，所述绝缘膜具有与所述端子接触的第1区域，所述第1区域与所述绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。
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