[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件有效
| 申请号： | 201610972127.9 | 申请日： | 2016-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN106684063B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 金原永;姜善远;安镇燦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片主体，其包括顶表面上的第一芯片焊盘；钝化膜，其布置在半导体芯片主体上；以及第一再分布层，其布置在钝化膜与半导体芯片主体之间，利用开口暴露出至少部分地与第一芯片焊盘重叠的第一芯片中心焊盘区、连接至第一芯片中心焊盘区的第一再分布中心焊盘区以及通过钝化膜与第一再分布中心焊盘区间隔开的第一边缘焊盘区，其中，第一芯片中心焊盘区的顶表面和第一再分布中心焊盘区的顶表面不布置在相同平面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 半导体 封装 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体芯片主体，其包括顶表面上的第一芯片焊盘；钝化膜，其布置在半导体芯片主体上；以及第一再分布层，其布置在钝化膜与半导体芯片主体之间，钝化膜中的开口暴露出至少部分地与第一芯片焊盘重叠的第一芯片中心焊盘区、连接至第一芯片中心焊盘区的第一再分布中心焊盘区以及通过钝化膜与第一再分布中心焊盘区间隔开的第一边缘焊盘区，其中，第一芯片中心焊盘区的顶表面和第一再分布中心焊盘区的顶表面不布置在相同平面上。
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