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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装件-CN201910030811.9有效
发明人： 金原永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：基底；主芯片，位于基底上；第一从芯片，位于主芯片的顶表面上并且使主芯片的顶表面部分地暴露，第一从芯片与主芯片具有相同的尺寸并且与主芯片具有相同的存储容量；以及第一芯片连接器，位于主芯片的暴露的顶表面上并且结合到主芯片和第一从芯片。
半导体封装

[发明专利]半导体存储器芯片、半导体存储器封装及使用其的电子系统-CN201810132860.9有效
发明人：金炅洙;金原永;姜善远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体存储器芯片包括高位数据焊盘区域、低位数据焊盘区域和附加焊盘区域。高位数据焊盘、高位数据选通信号对焊盘和高位数据屏蔽信号焊盘被布置在高位数据焊盘区域中。低位数据焊盘、低位数据选通信号对焊盘和低位数据屏蔽信号焊盘被布置在邻近高位数据焊盘区域且在其下方的低位数据焊盘区域中。用于第二半导体存储器封装并在内部连接到用于第一半导体存储器封装的高位数据屏蔽信号焊盘的反转的终止数据选通信号焊盘，被布置在邻近高位数据焊盘区域并在其上方的附加焊盘区域中。
半导体存储器芯片封装使用电子系统

[发明专利]高压罐的密封装置及包括该密封装置的高压罐-CN201980075853.2有效
发明人：李有贞;高永观;金大根;金原永;金兑昱 -专利权人：乐天化学株式会社
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压罐的密封装置及包括该密封装置的高压罐，提供一种如下的高压罐的密封装置及包括该密封装置的高压罐，该密封装置包括：内胆，用于收容高压流体；连接凸台，所述连接凸台为形成在所述内胆的注入口的金属连接凸台，包括第一连接凸台部和第二连接凸台部，所述第一连接凸台部与注入口的内侧面结合，所述第二连接凸台部与注入口的外侧面结合且呈上部侧窄且下部侧相对宽的锥形；以及结合部件，与所述第二连接凸台部的外侧面面接触，所述结合部件以与所述第二连接凸台部的形状相对应而具有下部侧的内径大于上部侧的内径的倾斜面。
高压密封装置包括

[发明专利]半导体封装件-CN202111152196.2在审
发明人： 金原永;姜善远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装件，其包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括位于所述半导体芯片的一个表面上的芯片焊盘；再分布图案，所述再分布图案位于所述半导体芯片的所述一个表面上并且电连接至所述芯片焊盘；以及光敏介电层，所述光敏介电层位于所述半导体芯片与所述再分布图案之间。所述光敏介电层可以与所述再分布图案物理接触。所述再分布图案包括信号再分布图案、接地再分布图案和电力再分布图案。所述芯片焊盘与所述信号再分布图案之间的垂直距离可以大于所述信号再分布图案的宽度。
半导体封装

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件-CN201610972127.9有效
发明人： 金原永;姜善远;安镇燦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片主体，其包括顶表面上的第一芯片焊盘；钝化膜，其布置在半导体芯片主体上；以及第一再分布层，其布置在钝化膜与半导体芯片主体之间，利用开口暴露出至少部分地与第一芯片焊盘重叠的第一芯片中心焊盘区、连接至第一芯片中心焊盘区的第一再分布中心焊盘区以及通过钝化膜与第一再分布中心焊盘区间隔开的第一边缘焊盘区，其中，第一芯片中心焊盘区的顶表面和第一再分布中心焊盘区的顶表面不布置在相同平面上。
半导体器件包括半导体封装

[发明专利]具有再分布焊盘的半导体装置-CN201610675009.1有效
发明人：朴明洵;郑显秀;金原永;张爱妮;李灿浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了具有再分布焊盘的半导体装置。所述半导体装置包括设置在半导体基板上的多个电焊盘以及电连接到电焊盘和外部端子的多个再分布焊盘。所述多个再分布焊盘包括构成用于第一电信号的传输路径的多个第一再分布焊盘以及构成用于与第一电信号不同的第二电信号的传输路径的至少一个第二再分布焊盘。第一再分布焊盘布置在半导体基板上以形成至少两行，所述至少一个第二再分布焊盘设置在所述至少两行第一再分布焊盘之间。
具有再分布焊盘半导体装置

[发明专利]电路板和包括该电路板的半导体封装件-CN201610451074.6有效
发明人：申武燮;金原永;朴相炫;安鎭灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了一种电路板和具有该电路板的半导体封装件。电路板可以包括其上安装有至少一个半导体芯片的顶表面和结合有至少一个外部端子的底表面。顶表面可以包括其上设置有电连接到半导体芯片的多个键合焊盘的上窗口区域，底表面可以包括其上设置有电连接到上导电图案的下导电图案的下窗口区域。在此，下导电图案的面积和多个键合焊盘的面积的比率可以小于或等于1.5。
电路板包括半导体封装

[发明专利]具有金属凸块的半导体装置和制造该半导体装置的方法-CN201811390527.4在审
发明人：安镇燦;金原永;李燦浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：提供了一种具有金属凸块的半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括位于半导体基底上的金属线层以及位于金属线层上的金属端子。金属线层包括金属线和钝化层，钝化层具有非平坦的顶表面，非平坦的顶表面包括位于金属线上的平坦表面和位于金属线之间的凹表面。金属端子设置在钝化层上。金属端子的彼此面对的相对的侧表面设置在钝化层的平坦表面上。
半导体装置钝化层金属端子金属线层金属线金属凸块平坦表面顶表面平坦半导体基底彼此面对凹表面侧表面制造

[发明专利]制造半导体封装的方法-CN201811080326.4在审
发明人：安镇灿;金原永;黄敬善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种制造半导体封装的方法包括：作为执行管芯电特性拣选(EDS)工艺的结果获得根据测试分级项目分类的多个单独芯片，管芯电特性拣选工艺包括在晶片级测试多个芯片的电特性；在电路基板的对应的芯片安装区域上封装单独芯片，并且基于芯片安装区域的位置信息形成多个单独封装，单独封装的每个具有对应于测试分级项目的测试分级项目信息；基于测试分级项目信息根据测试分级项目对所述多个单独封装分类；以及测试根据测试分级项目分类的单独封装。
分级测试单独封装芯片安装区域半导体封装单独芯片项目分类项目信息管芯电拣选晶片级测试电路基板结果获得电特性封装制造芯片分类

[发明专利]半导体封装及制造其的方法-CN201810572690.6在审
发明人： 金原永;姜善远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：半导体封装包括：第一互连基板，该第一互连基板在第一重新分布基板上并且具有贯穿第一互连基板的第一开口。第一半导体芯片在第一重新分布基板上，并且在第一互连基板的第一开口中。第二重新分布基板在第一互连基板和第一半导体芯片上。第二互连基板在第二重新分布基板上，并且具有贯穿第二互连基板的第二开口。第二半导体芯片在第二重新分布基板上，并且在第二互连基板的第二开口中。
互连基板重新分布基板半导体芯片开口半导体封装贯穿制造

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