[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610929794.9 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108022975B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚设栅极以及包围所述虚设栅极的层间介电层，去除所述虚设栅极以形成沟槽；在所述沟槽中形成高K材料层和覆盖层；在所述高K材料层的第一区域之上形成功函数偏移层；在所述高K材料层的第二区域之上形成第一牺牲层；执行退火工艺，以使所述高K材料层的第一区域和第二区域分别具有第一功函数和第二功函数；去除所述功函数偏移层和所述第一牺牲层。该制作方法通过使金属栅极也会形成至少两个具有不同功函数的区域，从而大大提高了器件的射频(RF)性能。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚设栅极以及包围所述虚设栅极的层间介电层，去除所述虚设栅极以形成沟槽；在所述沟槽中形成高K材料层和覆盖层；在所述高K材料层的第一区域之上形成功函数偏移层；在所述高K材料层的第二区域之上形成第一牺牲层；执行退火工艺，以使所述高K材料层的第一区域和第二区域分别具有第一功函数和第二功函数；去除所述功函数偏移层和所述第一牺牲层。
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