[发明专利]半导体器件和封装半导体管芯的方法有效

专利信息
申请号: 201610402516.8 申请日: 2016-06-08
公开(公告)号: CN106409760B 公开(公告)日: 2019-04-19
发明(设计)人: S.金努萨米 申请(专利权)人: 商升特公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;陈岚
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及半导体器件和封装半导体管芯的方法。半导体器件具有半导体晶片。半导体晶片包括多个半导体管芯。绝缘层形成在半导体管芯的有源表面之上。沟槽形成在半导体管芯之间的半导体晶片的非有源区域中。沟槽部分地延伸通过半导体晶片。提供具有粘合层的载体。同时作为单个单元而将半导体管芯设置在粘合层和载体之上。执行背面研磨操作以去除半导体晶片的部分并且暴露沟槽。粘合层在背面研磨操作期间将半导体管芯保持在适当位置。将密封剂沉积在半导体管芯之上以及沉积到沟槽中。去除载体和粘合层。对经封装的半导体管芯清洗并且将经封装的半导体管芯单体化成个体半导体器件。测试半导体器件的电气性能和功能性。
搜索关键词: 半导体器件 封装 半导体 管芯 方法
【主权项】:
1.一种制作半导体器件的方法,包括:提供包括多个半导体管芯的半导体晶片;形成包括在所述多个半导体管芯的相邻对之间的所述半导体晶片中的沟槽的多个沟槽;背面研磨半导体晶片,同时半导体晶片的一部分保留在半导体管芯之间的沟槽之上;蚀刻半导体晶片以去除在背面研磨之后保留在沟槽上的半导体晶片的所述部分;将密封剂沉积在所述半导体管芯之上并沉积到所述多个沟槽中;和通过使用锯片切穿密封剂来通过密封剂单体化多个半导体管芯。
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