[发明专利]用于相变存储器封装的方法、装置和系统无效

申请号：	200810096677.4	申请日：	2008-03-14
公开（公告）号：	CN101281924A	公开（公告）日：	2008-10-08
发明（设计）人：	A·沙	申请（专利权）人：	英特尔公司
主分类号：	H01L27/24	分类号：	H01L27/24;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;G11C11/56;G11C16/02
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	曾祥夌;刘春元
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及用于相变存储器封装的方法、装置和系统。根据一个实施例，公开了一种管芯组件，包括封装衬底和位于该封装衬底上的多个堆叠管芯，所述多个堆叠管芯至少包括最高管芯、最低管芯和位于最高管芯和最低管芯之间的至少一个相变存储器管芯，其中最高管芯和最低管芯是非功能性隔离管芯。
搜索关键词：	用于相变存储器封装方法装置系统
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1、一种装置，包括：封装衬底；和位于所述封装衬底上的多个堆叠管芯，所述多个堆叠管芯至少包括最高管芯、最低管芯和位于所述最高管芯和所述最低管芯之间的至少一个相变存储器管芯，其中所述最高管芯和最低管芯是隔离管芯。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810096677.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片-202110730114.1
发明人：蓝天;马平 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种存储阵列、存储阵列的制备方法、相变存储器和存储芯片，所述存储阵列包括：衬底材料，以及排布在所述衬底材料上的多个相变存储单元，多个所述相变存储单元中的每个所述相变存储单元均包括相变材料；多个所述相变存储单元中，任意两个相邻相变存储单元的相变材料的高度不同，所述相变材料的高度指所述相变材料与所述衬底材料之间的距离。通过调整相变存储单元中相变材料的高度，使得任意两个相邻的相变存储单元的相变材料之间位于不同的高度，从而可以增加相邻的相变材料之间的距离，进而可以显著降低相邻的两个相变材料之间的热串扰现象，提高各个相变存储单元的抗干扰能力。

存储器阵列、集成电路及其制造方法-202210064126.X
发明人：云惟胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本公开的各种实施例针对一种存储器器件及其制造方法，所述存储器器件包括在侧向上包围存储单元的保护性侧壁间隔壁层。上部层间介电(ILD)层上覆在衬底之上。存储单元设置在上部ILD层内。存储单元包括顶部电极、底部电极及设置在顶部电极与底部电极之间的磁隧道结(MTJ)结构。侧壁间隔壁结构在侧向上环绕存储单元。侧壁间隔壁结构包括第一侧壁间隔壁层、第二侧壁间隔壁层及保护性侧壁间隔壁层。第一侧壁间隔壁层及第二侧壁间隔壁层包含第一材料，且保护性侧壁间隔壁层包含与第一材料不同的第二材料。导电走线上覆在第一存储单元之上。导电走线接触顶部电极及保护性侧壁间隔壁层。

半导体存储器件-202210653191.6
发明人：金炫哲;金容锡;禹东秀;李炅奂 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/24
摘要：一种半导体存储器件，包括：多个半导体图案，沿第一水平方向延伸，并在第二水平方向和竖直方向上彼此分离，每个半导体图案包括沿第一水平方向布置的第一源/漏区、沟道区、以及第二源/漏区；多个栅极绝缘层，覆盖沟道区的上表面或侧表面；多条字线，在沟道区的上表面或侧表面上；以及多个电阻式开关单元，分别连接到半导体图案的第一侧壁，沿第一水平方向延伸，并在第二水平方向和竖直方向上彼此分离，每个电阻式开关单元包括第一电极、第二电极、以及在第一电极和第二电极之间并包括碳纳米管的电阻式开关材料层。

半导体器件、存储单元及其形成方法-202210048496.4
发明人：林毓超;涂元添;邱荣标 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/24
摘要：一种存储单元包括底部电极、存储元件、选择器、顶部电极及连接结构。存储元件设置在底部电极上。选择器设置在存储元件上。顶部电极设置在选择器上。连接结构将存储元件电连接到选择器，其中连接结构包括基底部分及柱部分。基底部分设置在存储元件上。柱部分设置在基底部分上，其中柱部分实体连接到选择器且包括斜角柱脚。

集成电路和集成电路的形成方法-202210133734.1
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本公开的各种实施例针对一种集成电路包括与第二芯片接合的第一芯片。第一芯片包括存储单元的阵列。每个存储单元包括晶体管和相变存储组件。晶体管介于相变存储组件和第二芯片之间。

集成芯片及用于形成其的方法-202210172172.1
发明人：曾元泰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本揭露实施例是有关于一种集成芯片，其包括第一字线和邻近于第一字线的第二字线。第一字线和第二字线都沿第一方向延伸。第一存储器单元位于第一字线正上方，第二存储器单元位于第二字线正上方。第一位线在第一存储器单元与第二存储器单元上方延伸，且沿着横向于所述第一方向的第二方向延伸。第一介电层配置在第一存储器单元和第二存储器单元之间。第一介电层在第一闭合回路中延伸，以在第一介电层内形成并包围第一孔隙。第一孔隙侧向隔开第一存储器单元和第二存储器单元。

一种相变存储器、电子设备和相变存储器的制备方法-202110663808.8
发明人：马平;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本申请提供了一种相变存储器、电子设备和相变存储器的制备方法，涉及数据存储技术领域，以解决相变存储器可靠性低、循环寿命短等问题。本申请提供的相变存储器包括多个相变存储单元，多个相变存储单元中的每个相变存储单元包括第一电极、相变体和第二电极，第一电极、相变体和第二电极沿第一方向依次设置；相变体的第一端面朝向第一电极，第二端面朝向第二电极；相变体还包括收敛部，收敛部位于第一端面和第二端面之间；其中，收敛部在垂直于第一方向的截面面积小于第一端面的面积和第二端面的面积。通过在相变体中设置收敛部，从而引起热效应在收敛部聚集，从而具有较高的可靠性和较长的循环寿命。

一种半导体集成电路器件及其制造方法-202211185161.3
发明人：邱泰玮;李武新;沈鼎瀛 -专利权人：厦门半导体工业技术研发有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本申请公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件包括阻变层以及位于阻变层两侧的第一电极和第二电极，其中，阻变层为覆盖凸块的一层薄膜，第一电极为凸块的一部分或与凸块下端连接，第二电极位于阻变层上方且对阻变层形成全覆盖，并通过在第一电极上方设置第一绝缘层的方式，使得第一电极和第二电极在阻变层的侧壁形成导电细丝。由于阻变层覆盖在凸块上，且导电细丝形成在阻变层的侧壁，如此，可通过增加凸块的高度成倍提高阻变区域的面积。此外，由于第二电极形成对阻变层的全覆盖，还可进一步使得阻变区域的面积最大化，从而大幅降低导电细丝形成电压(Forming Voltage)和等离子体诱导损伤(PID)效应。

半导体结构及其制作方法-202211152985.0
发明人：胡晓;刘阳;刘晔;刘佳;肖希;陈代高;王磊 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：第一衬底；驱动电路，位于所述第一衬底上，包括并列设置的调制器驱动电路和激光器驱动电路；隔离层，位于所述驱动电路上；光器件结构，位于所述隔离层上，包括位于所述调制器驱动电路上的调制器结构和位于所述激光器驱动电路上的激光器结构；第一连接结构，至少贯穿所述隔离层，包括将所述调制器结构与所述调制器驱动电路电连接的多个第一导电柱和将所述激光器结构与所述激光器驱动电路电连接的多个第二导电柱。

相变存储器的制备方法和相变存储器-202080099893.3
发明人：廖昱程 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明提供了一种相变存储器的制备方法和相变存储器。所述相变存储器包括：一具有N型半导体表面的衬底；一叠层结构，所述叠层结构为柱状，包括图形化的N型半导体层、P型半导体层、加热器以及包裹加热器的柱状隔热层；一相变材料层，所述相变材料层位于所述叠层结构上方；一介质层，所述介质层覆盖叠层结构和相变材料层；一层间介质层，所述层间介质层填充在上述结构的空隙中，以包覆所述衬底、介质层、叠层结构、以及相变材料层；以及电学连接结构。本发明采用二极管搭配相变存储器结构，具有电流低、加热效率良好、工作电压低，密度高、制备工艺和操作简单等优点，提升了传统存储器的性能。

三维相变存储器器件及其形成方法-202180001535.9
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/24
摘要：一种三维(3D)存储器器件，包括：堆叠层结构，堆叠层结构包括交错的多个字线层和多个电介质层；以及多个相变存储器(PCM)串。PCM串中的每一个在第一方向上延伸穿过堆叠层结构，并且包括：隔离结构，隔离结构在第一方向上延伸穿过堆叠层结构；以及多个PCM串部分，多个PCM串部分由隔离结构分离。每个PCM串部分包括局部位线、选择器层和多个PCM结构，选择器层外接局部位线，多个PCM结构在选择器层与多个字线层之间。

三维相变存储器器件及其形成方法-202180001588.0
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/24
摘要：一种三维(3D)存储器器件包括：多条位线，多条位线横向延伸；公共板，公共板横向延伸；多条字线，多条字线横向延伸并且设置在多条位线与公共板之间；以及多个存储器单元，每个存储器单元设置在多条位线中的一条相应的位线与多条字线中的一条相应的字线的相交处。多个存储器单元中的每一个包括：PCM结构，PCM结构位于相应的字线与公共板之间；以及选择器，选择器垂直延伸穿过相应的字线并且设置在PCM结构与相应的位线之间。

相变存储器的制备方法和相变存储器-202080099901.4
发明人：黄仕璋;李宜政;刘育宏 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/24
摘要：一种相变存储器的制备方法和相变存储器，包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括一衬底(200)，一底部电极(201)，一氮化物层(203)，一加热器(207)，所述加热器(207)位于所述氮化物层(203)内，以及所述加热器(207)两边的鳍状牺牲层(206)，所述鳍状牺牲层(206)可以被选择性腐蚀；选择性腐蚀所述鳍状牺牲层(206)，形成所述加热器(207)两边的鳍状凹槽；在所述鳍状凹槽处沉积氧化物层(208)并形成包围加热器的气隙(208a)；沉积图形化的相变材料层(209)和顶部电极(210)。由于气隙(208a)隔热性能比氮化物层或氧化物层更好，加热器(207)被气隙(208a)包围，横向热能耗散减少，热效率会更高，提升了相变存储器的性能。

电阻式随机存取存储器及其形成方法-201811530303.9
发明人：郑嘉文;陈宜秀;许博砚;王炳琨;林铭哲;赵鹤轩 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其形成方法，该形成方法包括形成一膜层堆迭；图案化上述膜层堆迭，以形成多个堆迭结构；沿着上述堆迭结构的侧壁形成保护层；在上述堆迭结构之间形成第一隔离结构；在至少一堆迭结构中形成至少一凹槽，以在上述至少一堆迭结构中定义出多个物理性分开的电丝单元；以及在上述至少一凹槽中形成第二隔离结构。上述膜层堆迭包括底电极层、以及位于该底电极层上的电阻转换层。本发明可以解决电阻式随机存取存储器的软性错误位问题。

钙钛矿量子点阻变存储器-202221878920.X
发明人：张瑞;刘海运;陈刚;张力夫;吕泽华 -专利权人：太原科技大学
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本实用新型涉及钙钛矿量子点阻变存储器，包括自下而上依次设置的玻璃基板、底电极、量子点阻变层和顶电极，所述量子点阻变层包括PMMA薄膜，所述PMMA薄膜内均匀设有若干量子点单元，所述量子点单元包括钙钛矿量子点和将其包覆的PVP薄膜。具有薄膜致密性好、吸光度高、可以受光照和电场同时调控阻变存储器的阻态、钙钛矿量子点稳定性好、钙钛矿量子点与薄膜兼容性好等优点。

半导体装置、存储单元和其形成方法-202210054178.9
发明人：李东颖;林伯俊;余绍铭;林毓超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明实施例是有关于一种半导体装置、存储单元和其形成方法。一种存储单元包括存储装置、连接结构、绝缘层以及选择器。连接结构设置在存储装置上并电性连接至存储装置。绝缘层覆盖存储装置和连接结构。选择器位于存储装置上并电性连接至存储装置，其中选择器设置在绝缘层上并通过贯穿绝缘层而连接到连接结构。

测试用晶片-202080099890.X
发明人：廖昱程;徐成宇;邱青松 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;塞席尔商使命科技控股有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明提供了一种测试用晶片，包括：多个存储器阵列，不同的所述存储器阵列之间的存储器参数至少有一个是不同的；以及一测试电路，所述测试电路用于获取外部测试命令，并根据所述外部测试命令对不同的所述存储器阵列进行测试并收集测试结果。

电子设备及其制造方法-202210104996.5
发明人：金晃衍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/24
摘要：提供一种包括半导体存储器的电子设备及其制造方法。半导体存储器包括：衬底，该衬底包括单元区域和外围电路区域，单元区域包括第一单元区域和第二单元区域，第一单元区域被设置成比第二单元区域更靠近外围电路区域；第二线，这些第二线设置在第一线之上且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；存储单元，这些存储单元位于在单元区域中的第一线与第二线之间的交叉区域处；第一绝缘层，该第一绝缘层位于在第一单元区域中的第一线之间、第二线之间、或者第一线之间和第二线之间二者；以及第二绝缘层，该第二绝缘层位于在第二单元区域中的第一线之间和第二线之间，其中，第一绝缘层的介电常数小于第二绝缘层的介电常数。

具有3D结构的1T1R存储器-202210557775.3
发明人：西尔万·巴罗;弗朗索瓦·安德里欧 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/24
摘要：公开了一种具有3D结构的1T1R存储器。存储器(100)以在数个叠置的层级上的行和列构造，每个层级包括存储器元件(102)和环绕栅极(124，126)存取晶体管(104)的阵列，每个晶体管包括半导体纳米线(114)且每个栅极与其它层级的栅极绝缘，存储器还包括：导电部分(116)，每个导电部分穿过至少两个层级并耦合到层级的一列的纳米线的第一端；存储器叠层，每个存储器叠层穿过层级并耦合到所述列的纳米线的第二端；第一导线(106)，每个第一导线连接到同一列的导电部分；字线(110)，每个字线在同一层级中延伸，同时将位于所述层级中、同一行的栅极耦合在一起。

忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法-202210933678.X
发明人：王兴晟;黄梦华;王成旭;阳帆;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明公开了一种忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法，属于微电子器件工艺与集成电路技术领域；其中，忆阻器单元通过第三金属互连结构和第二绝缘层内的金属通孔与CMOS电路和外部电路实现电学互连，使得金属互连线的尺寸与忆阻器的尺寸不会相互制约，能够提高忆阻器的集成密度；金属互连结构包括互连沟槽、以及与互连沟槽贯通相连的通孔，采用双大马士革工艺制备得到；金属互连结构内部依次填充有粘附层金属、扩散阻挡层和填充金属Cu，可以实现更小的线宽，使得互连线的尺寸以及通孔的尺寸都较小，进而大大减小了忆阻器的尺寸，实现了更高的集成密度，同时也实现了忆阻器与CMOS电路的集成互连且不会对忆阻器的性能造成影响。

相变化随机存取存储器及其制造方法-202210319455.4
发明人：程仲良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/24
摘要：在制造相变化随机存取存储器期间，在第一晶片上形成场效晶体管逻辑层。各存储胞元的加热场效晶体管包括于场效晶体管逻辑层中。场效晶体管逻辑层自第一晶片而被转移至承载晶片。随后，相变化随机存取存储器的存储层形成于场效晶体管逻辑层的暴露表面上。各存储胞元的相变化材料区包括于存储层中，且电性连接至加热场效晶体管的通道。各存储胞元的第二加热晶体管更包括于存储层中，且以通道电性连接至存储胞元。

1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法-202210672466.0
发明人：仇圣棻;李晓波;杨芸;陈亮 -专利权人：昕原半导体（杭州）有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明提供了一种1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法，其中的结构包括底层晶体管单元、设置在所述底层晶体管单元上的阻变存储集成单元以及设置在所述阻变存储集成单元上的选择器件集成单元；其中，所述阻变存储集成单元包括设置在所述底层晶体管单元上的至少两个阻变存储器单体。本发明提供的1TnR阻变随机存储器的结构及其制备方法能够解决的传统的1TnR结构的阻变随机存储器的制备方法成本较高的问题。

1T2R结构的原位器件、测试方法、电子设备及介质-202210878529.8
发明人：孙雯;高滨;赵美然;唐建石;吴华强;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本申请涉及一种1T2R结构的原位器件、测试方法、电子设备及介质，其中，包括：晶体管的源极、栅极和漏极分别与源极连接电极、栅极连接电极和第一漏极连接电极相连，第一阻变存储元件通过第一漏极连接电极与漏极电连接，第二阻变存储元件与第一阻变存储元件相连，设置在第一阻变存储元件第二电极与第二阻变存储元件的第一电极之间的导电金属层与第二漏极连接电极相连，用于隔离第一阻变存储元件和第二阻变存储元件的电信号加载，以对第一阻变存储元件或第二阻变存储元件进行原位测试。通过采用1T2R的原位器件，增加了晶体管的限流功能以实现对阻变器件的多次循环操作，同时，可以对2个阻变器件进行原位观测，有效提高了制样与表征效率。

包括具有可变电阻的有源层的半导体器件-202210347142.X
发明人：具元泰;韩在贤;李在吉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本申请公开了包括具有可变电阻的有源层的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们彼此间隔开地被设置在所述衬底上；有源层，其被设置在所述衬底上而接触所述源电极层和所述漏电极层；以及栅电极层，其被设置在所述有源层上。该有源层包括能够解析和再吸收金属颗粒的金属氧化物。该有源层中的电阻被配置为通过金属颗粒的解析和再吸收而可逆地改变。

半导体存储器元件及其制作方法-202110446979.5
发明人：许家彰;翁堂钧;林承毅;陈永珅;林佳弘 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明公开一种半导体存储器元件及其制作方法，其中该半导体存储器元件包含一基底，其上设有一导体区域；一层间介电层，设于所述基底上；一导电通孔，电连接到所述导体区域，其中所述导电通孔包括嵌入在所述层间介电层中的一下部和从所述层间介电层的一顶面突出的一上部，其中所述上部具有一圆弧形顶面；以及一存储结构，顺形地覆盖所述圆弧形顶面。

半导体装置及其制造方法-202210826259.6
发明人：范扬顺;李奎佑 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、薄膜晶体管以及可变电阻式存储器。薄膜晶体管设置于基板之上，其包括第一金属氧化物层。可变电阻式存储器设置于基板之上，并与薄膜晶体管电连接。可变电阻式存储器包括第二金属氧化物层。第一金属氧化物层的载流子浓度大于第二金属氧化物层的载流子浓度。

一种含有纳米晶团簇的阻变存储器及其制备方法-202210870840.8
发明人：李祎;任升广;左文彬;薛亦白;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明提供一种含有纳米晶团簇的阻变存储器及其制备方法，阻变层包括：第一氧化物层和第二氧化物层；第二氧化物层含有纳米晶团簇，纳米晶团簇的材料为偏金属化的金属氧化物，向阻变层施加正向偏压后，压降分配在第一氧化物层，第二氧化物层的氧空位按照垂直方向的浓度梯度有序进入第一氧化物层并在第一氧化物层形成第一导电细丝，诱导第二氧化物层形成第二导电细丝，使得阻变存储器由高阻态转变为低阻态；此后，向阻变层施加负向偏压后，压降先落在第一氧化物层，导致第一导电细丝熔断，阻变存储器由低阻态转变为高阻态，之后阻变存储器导电细丝的形成和断裂均在第一氧化物层内进行。本发明实现了对导电细丝形成和断裂区域的精准控制。

电子设备及其制造方法-202210141003.1
发明人：韩智宣;成镛宪;赵炳直 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明提供了一种包括半导体存储器的电子设备以及用于制造该电子设备的方法。一种电子设备包括半导体存储器，该半导体存储器包括：第一线；第二线，该第二线被设置在第一线之上以与第一线间隔开；可变电阻层，该可变电阻层被设置在第一线与第二线之间；第一电极层，该第一电极层被设置在第一线与可变电阻层之间；以及第一氧化物层，该第一氧化物层被设置在可变电阻层与第一电极层之间，其中，第一电极层包括掺杂有第一元素的第一碳材料，以及其中，第一氧化物层包括第一元素的第一氧化物。

半导体器件-202210193307.2
发明人：李范锡;李元俊;洪锡满 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：每一个都在第一方向上延伸的第一行线；每一个都在与第一方向交叉的第二方向上延伸的列线；每一个都在第一方向上延伸的第二行线；分别耦接在第一行线和列线之间的多个第一存储单元，该多个第一存储单元中的每一个包括第一可变电阻层以及位于第一可变电阻层与第一行线中的对应的一个第一行线之间的第一介电层；以及分别耦接在第二行线和列线之间的多个第二存储单元，该多个第二存储单元中的每一个包括第二可变电阻层以及位于第二可变电阻层与第二行线中的对应的一个第二行线之间的第二介电层。

一种基于阻变存储器的1T2R存储单元及其制备方法-201910822009.3
发明人：蔡一茂;凌尧天;王宗巍;刘毅华;方亦陈;肖韩;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/24
摘要：本发明涉及一种基于阻变存储器的1T2R存储单元及其制备方法。该基于阻变存储器的1T2R存储单元包括一个MOSFET晶体管和两个阻变存储器，所述两个阻变存储器位于所述MOSFET晶体管的漏端，与所述MOSFET晶体管串联。所述MOSFET晶体管的漏端连接两根位线，所述两根位线分别和所述两个阻变存储器连接；所述两根位线中当一根位线为高电平时另外一根位线处于低电平。本发明充分利用了因为引入MOSFET所带来的阻变存储器阵列的面积冗余，使得在相同存储精度下，存储容量提高一倍，或者在相同存储容量下，存储精度提高一倍，对未来阻变存储器高密度集成有着重要的意义。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]用于相变存储器封装的方法、装置和系统无效

专利文献下载