[发明专利]包括半导体结构的半导体器件及该半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201610329522.5 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106206753B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | C·J·阿特金森;A·阿米瑞瓦尼;N·C·斯卡格斯 | 申请（专利权）人： | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 邓雪萌;胡斌 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在一个示例中，半导体器件包括半导体结构。半电绝缘钝化层覆盖在半导体结构上。基本上完全电绝缘的钝化层覆盖在半电绝缘钝化层上。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 半导体 结构 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：半导体结构；半电绝缘钝化层，其覆盖在所述半导体结构上，所述半电绝缘钝化层为氮化硅材料，其具有在0.3至0.38之间的氮与硅摩尔比；以及基本上完全电绝缘的钝化层，其覆盖在所述半电绝缘钝化层上，所述基本上完全电绝缘的钝化层为氮化硅材料，其具有在0.9至1.1之间的氮与硅摩尔比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用汽车环球科技运作有限责任公司，未经通用汽车环球科技运作有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610329522.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
