[发明专利]具有二维电子气和二维空穴气的半导体器件有效
| 申请号： | 201180036891.0 | 申请日： | 2011-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103098221A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | A·中岛;S·N·E·马达蒂尔 | 申请（专利权）人： | 谢菲尔德大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/778;H01L29/10;H01L27/095 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英国谢*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种包括三个半导体层的半导体器件。所述半导体层布置为形成由极化层隔开的2DHG和2DEG。所述器件包括多个电极：第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG，以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间流动；以及第三电极，所述第三电极电连接到所述2DEG，从而当相对于其他电极中的至少一个的正电压被施加到所述第三电极时，所述2DEG和所述2DHG将至少部分地耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二维 电子 空穴 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：三个半导体层；其中，所述半导体层被布置为形成通过极化层隔开的2DHG和2DEG，多个电极，所述多个电极包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极电连接到所述2DHG，以使电流能够通过所述2DHG在所述第一电极和所述第二电极之间流动；以及第三电极，所述第三电极电连接到所述2DEG，从而当相对于其他电极中的至少一个的正电压被施加到所述第三电极时，所述2DHEG和所述2DHG将至少部分地耗尽。
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- 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫 - 西安电子科技大学
- 2019-05-29 - 2019-09-03 - H01L29/872
- 本发明涉及一种结势垒肖特基二极管，自上而下依次包括阳极电极层、隔离介质层、N‑外延层、N+衬底层和阴极电极层，其中，在N‑外延层的上表面设置有P型离子注入区；相邻P型离子注入区的间距从N‑外延层的上表面中心至边缘呈减小趋势；并且P型离子注入区的深度从N‑外延层的上表面中心至边缘呈减小趋势。该结势垒肖特基二极管通过使相邻P型离子注入区的间距从器件中心至边缘呈减小趋势，且P型离子注入区深度从器件中心至边缘呈减小趋势，使得器件肖特基接触区的面积从中心至边缘逐渐减小，从而减小了器件中心处与边缘处的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，提高器件的可靠性。
- 一种浮结型肖特基二极管及其制备方法-201910458071.9
- 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;吴勇;何艳静;韩超;刘钰康 - 西安电子科技大学芜湖研究院
- 2019-05-29 - 2019-08-30 - H01L29/872
- 本发明涉及一种浮结型肖特基二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结区3，位于所述外延层2中间的矩形槽内；绝缘型多晶硅层4，位于所述浮结区3上层；沟槽5，位于所述绝缘型多晶硅层4上层；肖特基接触的阴极6，位于所述衬底层1下层；肖特基接触的阳极7，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层4和所述沟槽5。本发明提出的二极管，通过改善了浮结型肖特基二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，同时，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。
- 一种MPS结构工艺碳化硅二极管的制备方法-201910464011.8
- 朱勇华 - 深圳市美浦森半导体有限公司
- 2019-05-30 - 2019-08-27 - H01L29/872
- 本发明公开一种MPS结构工艺碳化硅二极管的制备方法，包括以下步骤：在N型半导体衬底上形成N型外延层；形成零层掩膜，对零层掩膜进行蚀刻形成光刻层自对位标记；形成MPS结构区与保护环区，并进行离子注入；形成截止环区并进行离子注入；形成场截止环、保护环与MPS结构；露出MPS结构肖特基窗口区；形成MPS结构肖特基势垒；进行正面金属溅射形成金属层，引出阳极；在N型半导体衬底的背面形成背面金属层，并引出阴极。本发明方法制造的MPS结构碳化硅二极管与现有工艺制造的碳化硅二极管相比可以有效降低传统器件的正向导通压降和漏电流，提高器件高温可靠性。
- 一种结型势垒肖特基二极管-201910459154.X
- 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫;何晓宁 - 西安电子科技大学
- 2019-05-29 - 2019-08-23 - H01L29/872
- 本发明公开了一种结型势垒肖特基二极管，包括N‑外延层；P型离子注入区，位述N‑外延层中，P型离子注入区的深度从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小；第一金属层，位于N‑外延层的上表面，且每个P型离子注入区与第一金属层的交界面形成一个第一肖特基接触区，相邻若干P型离子注入区之间的N‑外延层与第一金属层的交界面形成第二肖特基接触区，第二肖特基接触区的肖特基接触面积从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小。本发明的结型势垒肖特基二极管可以减小漏电流，减小结型势垒肖特基二极管的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，提高了结型势垒肖特基二极管的可靠性。
- 一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管-201910459859.1
- 汤晓燕;范鑫;宋庆文;袁昊;何晓宁;张玉明;张艺蒙 - 西安电子科技大学
- 2019-05-29 - 2019-08-23 - H01L29/872
- 本发明公开了一种从中心到边缘肖特基接触逐渐增大的结型势垒肖特基二极管，包括：N‑外延层、若干P型离子注入区和第一金属层，其中，若干P型离子注入区设置于N‑外延层内表面，且每个P型离子注入区表面的中心位置均设置有一沟槽，第一金属层设置于N‑外延层上、且覆盖P型离子注入区，相邻两个P型离子注入区之间的N‑外延层与第一金属层形成第一肖特基接触区，第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大。本发明的第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大，保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化，减小了器件中心与边缘的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，从而提高了器件的可靠性。
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