[发明专利]电子器件有效
| 申请号： | 201380052539.5 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN104718636B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 弗兰克·福格斯;乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴;克里斯托夫·普夫卢姆;约阿希姆·凯泽;阿尔内·比辛 | 申请（专利权）人： | 默克专利有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 吴润芝;郭国清 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及包含空穴传输层A、掺杂的空穴传输层B和空穴传输层C的电子器件，其中空穴传输层A、B和C布置在阳极与发光层之间，空穴传输层B布置在空穴传输层A的阴极侧上并且空穴传输层C布置在空穴传输层B的阴极侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其包含阳极、阴极和至少一个布置在所述阳极与所述阴极之间的发光层，和‑至少一个空穴传输层A，其包含至少一种空穴传输材料‑至少一个p型掺杂的空穴传输层B，其包含至少一种p型掺杂剂和至少一种空穴传输材料基质‑至少一个空穴传输层C，其包含至少一种空穴传输材料，其中空穴传输层A、B和C布置在所述阳极与所述发光层之间，并且其中空穴传输层B布置在空穴传输层A的阴极侧上，和空穴传输层C布置在空穴传输层B的阴极侧上，其特征在于包含至少一种p型掺杂剂和空穴传输材料基质的p型掺杂的空穴传输层A'布置在所述阳极与空穴传输层A之间，其中空穴传输层A'、A、B和C彼此直接相邻，其中空穴传输层A、B、C和A'各自包含一种或多种相同或不同的单三芳基胺化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于默克专利有限公司，未经默克专利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380052539.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
