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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910847196.0在审
发明人： 金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有沟槽；栅极介电层，所述栅极介电层覆盖所述沟槽的表面；栅电极，所述栅电极填充所述沟槽的下部；覆盖图案，所述覆盖图案在所述沟槽中位于所述栅电极上；以及功函数控制图案，所述功函数控制图案在所述沟槽中位于所述栅电极与所述覆盖图案之间。所述栅极介电层包括：第一区段，所述第一区段具有第一厚度并且设置在所述栅电极与所述沟槽之间；以及第二区段，所述第二区段具有第二厚度并且设置在所述覆盖图案与所述沟槽之间。所述第二厚度小于所述第一厚度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN201910708940.9在审
发明人：金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体装置可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括竖直堆叠在衬底上的多个层，以及竖直延伸以穿透堆叠结构的多个栅电极。多个层中的每一个可包括多个半导体图案，其沿第一方向平行延伸；位线，其电连接到半导体图案并沿与第一方向相交的第二方向延伸；第一气隙，其在位线上；以及数据存储元件，其电连接到半导体图案中的对应的一个。第一气隙插入在多个层中的第一层的位线和多个层中的第二层的位线之间。
半导体图案堆叠结构位线电连接气隙数据存储元件半导体装置方向平行方向延伸竖直堆叠竖直延伸第一层在位线栅电极衬底穿透相交延伸

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201910547303.8在审
发明人：金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：公开了制造半导体装置的方法。所述方法包括：在基底上交替地堆叠多个介电层和多个第一半导体层以形成模结构；形成穿透模结构的孔；在基底上形成填充孔的第二半导体层；以及将激光照射到第二半导体层上。
半导体层模结构半导体装置基底上交替激光照射介电层填充孔堆叠基底穿透制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310572089.4有效
发明人：柳镐仁;赵太熙;金根楠;廉癸憙;朴正焕;张贤禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括单元区和外围区；单元栅电极，埋入在与单元区的单元有源部分交叉的凹槽中；单元线图案，横跨单元栅电极，单元线图案连接到在单元有源部分中处于单元栅电极的一侧的第一源/漏区；外围栅极图案，横跨外围区的外围有源部分；平坦化的层间绝缘层，在衬底上处于外围栅极图案周围；以及覆盖绝缘层，在平坦化的层间绝缘层和外围栅极图案的顶表面上，覆盖绝缘层包括相对于平坦化的层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]可变电阻存储器装置-CN201910567221.X在审
发明人：金熙中;李基硕;金根楠;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线，在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；存储器单元，在第一导线的侧面上沿第一方向彼此隔开并连接到第一导线；以及第二导线，分别连接到存储器单元。每条第二导线在第二方向上与第一导线隔开。第二方向与基底的顶表面平行并且与第一方向交叉。第二导线在与基底的顶表面垂直的第三方向上延伸，并且在第一方向上彼此隔开。每个存储器单元包括可变电阻元件和选择元件，可变电阻元件和选择元件布置在同一水平处并且在第二方向上水平地布置。
存储器单元顶表面隔开基底可变电阻存储器可变电阻元件选择元件平行方向交叉同一水平垂直的延伸平地侧面

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910417483.8在审
发明人：李基硕;金根楠;金恩娥;金恩靓;沈正燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括形成有源结构，所述有源结构包括多个有源图案、限定有源图案的装置隔离层以及跨越有源图案并沿第一方向延伸的栅极结构；在有源结构上形成第一掩模图案；以及通过使用第一掩模图案作为蚀刻掩模来图案化有源结构以形成沟槽。形成第一掩模图案包括在第一掩模层中形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第一开口，以及在第一掩模层中形成沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸的多个第二开口。
源结构方向延伸掩模图案源图案方向交叉掩模层开口半导体装置装置隔离层蚀刻掩模栅极结构图案化申请制造

[发明专利]半导体存储器件-CN201910004071.1在审
发明人：金东完;金根楠;李周益 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括埋入在衬底的上部中并在第一方向上延伸的字线、以及连接到字线的字线接触插塞。字线的端部包括在第一方向上暴露的接触表面，并且字线接触插塞连接到该接触表面。
字线半导体存储器件字线接触插塞连接插塞衬底埋入暴露延伸

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310491132.4在审
发明人： 金根楠;朴善暎;廉癸憙;张贤禹;郑震源;赵昶贤;洪亨善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]包括多－沟道鳍形场效应晶体管的半导体器件及其制造方法-CN200510081046.1有效
发明人：金成玟;张世明;朴东健;吴容哲;尹恩贞;金根楠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在半导体器件及其制造方法中，半导体器件包括具有单元阵列区和外围电路区的半导体衬底，单元区和外围电路区中的部分半导体包括限定有源区的隔离区，部分有源区在隔离区的上表面上突出，以限定至少两个有源沟道，形成在包括至少两个突出的有源沟道的半导体衬底的有源区上的栅介质层，形成在栅介质层和半导体衬底的隔离区上的栅电极，以及形成在栅电极的任一侧边上的半导体衬底的有源区中的源区/漏区。
包括沟道场效应晶体管半导体器件及其制造方法

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