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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模布图以及形成精细图案的方法-CN201710123674.4有效
发明人：林静范;全钟律;金恩娥;李钟旼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开提供光掩模布图以及形成精细图案的方法。一种形成精细图案的方法可以被提供，该方法包括：在目标层上形成多个第一牺牲图案，该目标层在基板上；在该多个第一牺牲图案的各自的侧壁上形成第一间隔物；去除该多个第一牺牲图案；形成多个第二牺牲图案，第二牺牲图案与第一间隔物交叉，每个第二牺牲图案包括线部分和突出部部分，突出部部分具有比线部分宽的宽度；在该多个第二牺牲图案的各自的侧壁上形成第二间隔物；去除第二牺牲图案；以及通过孔区域蚀刻目标层以暴露基板，孔区域由第一间隔物和第二间隔物限定。
光掩模布图以及形成精细图案方法

[发明专利]集成电路器件-CN202310133841.9在审
发明人：明美笑;金根楠;金恩娥;金熙中;李相昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种集成电路器件，包括：衬底，具有有源区域；衬底上的位线结构，位线结构在其每个侧壁上具有绝缘间隔物；在位线结构之间的掩埋接触部，掩埋接触部连接到有源区域；每个位线结构上的绝缘封盖图案；阻挡导电层，覆盖绝缘封盖图案的侧表面以及绝缘间隔物的上表面和侧表面；以及着接焊盘，电连接到掩埋接触部，着接焊盘在绝缘封盖图案和阻挡导电层上与位线结构中的一个位线结构竖直地重叠。
集成电路器件

[发明专利]半导体装置-CN202111208245.X在审
发明人： 金恩娥;金根楠;李基硕;崔祐荣;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；在衬底上并排延伸的第一位线结构和第二位线结构；存储节点接触件，其在第一位线结构与第二位线结构之间电连接到有源区域；下着陆焊盘，其位于第一位线结构与第二位线结构之间并且位于存储节点接触件上；上着陆焊盘，其与第一位线结构接触并且电连接到下着陆焊盘；以及封盖绝缘层。与第一位线结构接触的上着陆焊盘的下表面包括水平分离距离从相邻的封盖绝缘层起在朝向衬底的方向上增大的部分，并且与下着陆焊盘接触的封盖绝缘层的下表面包括水平分离距离从相邻的上着陆焊盘起在朝向衬底的方向上增大的部分。
半导体装置

[发明专利]半导体存储器器件及其制造方法-CN202011481686.2在审
发明人：金孝燮;朴素贤;金大元;金桐;金恩娥;朴哲权;朴台镇;李基硕;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器器件。所述器件可以包括：第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域具有比所述第一杂质区域高的顶表面；器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；第一接触塞，与所述第一杂质区域接触并具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。
半导体存储器器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202110225664.8在审
发明人：朴台镇;朴哲权;金昭煐;金恩娥;金孝燮;朴素贤;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，包括：衬底中间隔开的第一杂质区和第二杂质区；器件隔离图案，其位于第一杂质区与第二杂质区之间；位线接触件，其位于第一杂质区上；存储节点接触件，其位于第二杂质区上；以及介电图案，其位于位线接触件与存储节点接触件之间。器件隔离图案的侧壁的上部具有第一倾角，器件隔离图案的侧壁的下部具有与第一倾角不同的第二倾角。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010867759.5在审
发明人：李相昊;金恩娥;李基硕;崔宰福;金根楠;安容奭;全辰桓;韩相然;韩成熙;韩昇煜;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：器件隔离层，限定第一有源区域和第二有源区域；掩埋接触件，连接到第二有源区域；以及第一位线结构和第二位线结构，设置在第一有源区域和第二有源区域上。第一位线结构和第二位线结构中的每个包括位线接触部分和位线通过部分。位线接触部分电连接到第一有源区域。位线通过部分设置在器件隔离层上。掩埋接触件的最低部分的高度比位线通过部分的最低部分的高度小。掩埋接触件的最低部分的高度比位线接触部分的最低部分的高度大。位线通过部分的下端掩埋在第二有源区域中。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010644166.2在审
发明人：金孝燮;金根楠;金桐*;金奉秀;金恩娥;尹燦植;李基硕;丁贤玉;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910417483.8在审
发明人：李基硕;金根楠;金恩娥;金恩靓;沈正燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括形成有源结构，所述有源结构包括多个有源图案、限定有源图案的装置隔离层以及跨越有源图案并沿第一方向延伸的栅极结构；在有源结构上形成第一掩模图案；以及通过使用第一掩模图案作为蚀刻掩模来图案化有源结构以形成沟槽。形成第一掩模图案包括在第一掩模层中形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第一开口，以及在第一掩模层中形成沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸的多个第二开口。
源结构方向延伸掩模图案源图案方向交叉掩模层开口半导体装置装置隔离层蚀刻掩模栅极结构图案化申请制造

[发明专利]液晶显示装置-CN201310418270.X有效
发明人：裴智弘;金卿珉;金旻载;金慜熙;金恩娥;朴俊炯;吴根灿;李进炯 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开了一种液晶显示装置。该液晶显示装置包括：第一基底；第二基底，面对第一基底；液晶层，位于第一基底和第二基底之间。液晶层包括液晶组合物，液晶组合物包括烯基液晶和抗氧化剂组分，抗氧化剂组分包括从抗氧化剂及其衍生物中选择的至少一种。在实施例中，抗氧化剂组分相对于液晶组合物的总重量以大于0ppm且等于或小于大约10000ppm的量存在。
液晶显示装置

[发明专利]半导体器件、其制造方法以及包括其的系统-CN201310110155.6有效
发明人：李垣哲;金恩娥;李慈荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件、制造该半导体器件的方法以及包括半导体器件的系统。该半导体器件可以包括包括第一结区和第二结区的基板；被埋在基板中的字线；设置在字线上方以交叉字线的位线；第一接触，设置在基板和位线之间并且电连接到第一结区；以及第二接触，设置在位线之间并且电连接到第二结区。第二接触的下部分与第二结区的重叠区域可以大于第二接触的上部分与第二结区的重叠区域。
半导体器件制造方法以及包括系统

[发明专利]液晶显示器装置-CN201310399904.1在审
发明人：裵智弘;金恩娥;吴根灿;催硕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：液晶显示器装置包括：第一基板，其包括在其上的第一定向层；第二基板，其面对所述第一基板且包括在其上的第二定向层；布置在所述第一定向层和所述第二定向层之间的液晶层；以及电极部分，其提供在所述第一和第二基板的至少一个上以形成水平电场或边缘电场。所述第一和第二定向层包括由具有手性基团和反应性介晶基团的手性反应性介晶聚合的聚合物。
液晶显示器装置

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