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[外观设计]连接器-CN202330259420.1有效
发明人： 金东完;崔正训;黄铉周 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：连接器。2.本外观设计产品的用途：用于连接在电路板之间的连接器，例如插座连接器，该电路板安装在诸如移动设备、显示设备、计算机和平板电脑等电子设备上。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
连接器

[外观设计]连接器-CN202330259454.0有效
发明人： 金东完;崔正训;黄铉周 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：连接器。2.本外观设计产品的用途：用于连接在电路板之间的连接器，例如插头连接器，该电路板安装在诸如移动设备、显示设备、计算机和平板电脑等电子设备上。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
连接器

[发明专利]基板连接器-CN202180078083.4在审
发明人： 金东完;吴尚俊;黄铉周 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01R13/648 文献下载
摘要：本发明涉及基板连接器，所述基板连接器包括：复数个RF接触件，用于RF(Radio Frequency)信号传输；绝缘部，支撑复数个所述RF接触件；复数个传输接触件，与所述绝缘部结合；接地罩体，结合有所述绝缘部；第一接地接触件，与所述绝缘部结合，屏蔽复数个所述RF接触件中的第一RF接触件和复数个所述传输接触件之间；以及第二接地接触件，与所述绝缘部结合，屏蔽复数个所述RF接触件中的第二RF接触件和复数个所述传输接触件之间；所述第一接地接触件包括第一屏蔽构件，所述第一屏蔽构件以第一轴向为基准屏蔽所述第一RF接触件和复数个所述传输接触件之间，并且以与所述第一轴向垂直的第二轴向为基准屏蔽所述第一RF接触件和复数个所述传输接触件之间。
连接器

[发明专利]基板连接器-CN202280007685.5在审
发明人： 金东完 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01R13/6581 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板连接器，其包括：复数个RF接触件，用于传输RF(Radio Frequency)信号；绝缘部，支撑复数个所述RF接触件；复数个传输接触件，结合于所述绝缘部；接地壳体，结合有所述绝缘部；以及第1接地接触件，以第一轴方向为基准，屏蔽复数个所述RF接触件中的第一RF接触件和复数个所述传输接触件之间，所述接地壳体包括：接地侧壁，包围内侧空间的侧方；接地上壁，结合于所述接地侧壁；以及第1‑1可动接地内壁，结合于所述接地上壁，所述第1‑1可动接地内壁随着被插入到所述内侧空间的相对连接器的接地接触件施压而移动。
连接器

[发明专利]基板连接器-CN202180063805.9在审
发明人： 金东完;吴尚俊;黄铉周 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01R13/6583 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板连接器，其包括：复数个RF接触件，用于传输RF(Radio Frequency)信号；绝缘部，支撑复数个所述RF接触件；复数个传输接触件，为了使复数个所述RF接触件中的第一RF接触件和复数个所述RF接触件中的第二RF接触件沿第一轴方向彼此隔开，在所述第一RF接触件和所述第二RF接触件之间结合于所述绝缘部；接地壳体，结合有所述绝缘部；第1接地接触件，结合于所述绝缘部，以所述第一轴方向为基准，屏蔽所述第一RF接触件和复数个所述传输接触件之间；以及第2接地接触件，结合于所述绝缘部，以所述第一轴方向为基准，屏蔽所述第二RF接触件和复数个所述传输接触件之间，所述第一RF接触件包括用于与检查机构接触的第一RF检查平面，所述第二RF接触件包括用于与检查机构接触的第二RF检查平面。
连接器

[发明专利]半导体器件-CN202211375150.1在审
发明人：张志熏;金东完;朴桐湜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上彼此相邻的有源单元区和界面区；在衬底的有源单元区上的位线，在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开；以及在衬底的界面区上的位线垫，在第二方向上彼此间隔开。每个位线包括在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第一位线和第二位线、将第一位线的第一端连接到第二位线的第二端的连接部、以及将位线垫中的一个连接到第一位线、第二位线和连接部中的一个的联接部。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202210580484.6在审
发明人：张贤禹;金东完;朴建熹;朴桐湜;朴晙晳;张志熏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底，包括单元区域和外围区域；栅极堆叠，位于所述外围区域上；层间绝缘层，位于所述栅极堆叠上；外围电路互连线，位于所述层间绝缘层上；以及互连绝缘图案，位于所述外围电路互连线之间。所述互连绝缘图案可以包括在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开的成对的垂直部分以及将所述垂直部分彼此连接的连接部分。所述互连绝缘图案的每一个所述垂直部分可以在与所述外围电路互连线的顶表面相同的水平高度处在所述第一方向上具有第一厚度并且在与所述外围电路互连线的底表面相同的水平高度处在所述第一方向上具有第二厚度。所述第一厚度可以基本上等于所述第二厚度。
半导体器件

[外观设计]连接器-CN202330054108.9有效
发明人： 金东完 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：连接器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品设置在手机、电脑等电子设备，用于将基板彼此连接。3.本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.其他需要说明的情形其他说明：使用状态参考图中，A是本外观设计产品。
连接器

[外观设计]连接器-CN202330054115.9有效
发明人： 金东完 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：连接器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品设置在手机、电脑等电子设备，用于将基板彼此连接。3.本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.其他需要说明的情形其他说明：使用状态参考图中，A是本外观设计产品。
连接器

[外观设计]连接器-CN202330054128.6有效
发明人： 金东完 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：连接器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品设置在手机、电脑等电子设备，用于将基板彼此连接。3.本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.其他需要说明的情形其他说明：使用状态参考图中，A是本外观设计产品。
连接器

[外观设计]连接器-CN202330054133.7有效
发明人： 金东完 -专利权人： LS美创有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：连接器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品设置在手机、电脑等电子设备，用于将基板彼此连接。3.本外观设计产品的设计要点：在于如图所示的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.其他需要说明的情形其他说明：使用状态参考图中，A是本外观设计产品。
连接器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210579139.0在审
发明人： 金东完;朴建熹;朴桐湜;朴晙晳;张志熏;张贤禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括外围块和单元块，每个单元块包括单元中心区域、单元边缘区域和单元中间区域；以及位线，所述位线在第一方向上在每个单元块上延伸。所述位线包括中心位线、中间位线和边缘位线。所述位线具有在第二方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。所述第一侧表面在所述单元中心区域、所述单元中间区域和所述单元边缘区域上沿着所述第一方向笔直地延伸。所述第二侧表面在所述单元中心区域和所述单元边缘区域上沿着所述第一方向笔直地延伸，并且所述第二侧表面在所述单元中间区域上沿着与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向延伸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202211232922.6在审
发明人：张贤禹;金东完;朴建熹;朴桐湜;申树浩;张志熏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括：半导体基底，包括单元阵列区域和外围区域；多个底部电极，在单元阵列区域上位于半导体基底上；介电层，共形地覆盖底部电极的侧壁和顶表面；以及顶部电极，位于介电层上并且位于底部电极之间。顶部电极包括顺序地堆叠的第一金属层、硅锗层、第二金属层和硅层。硅锗层中的硼的量大于硅层中的硼的量。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202210556046.6在审
发明人： 金东完;朴桐湜;朴建熹;朴晙晳;张志熏;张贤禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域、外围区域以及位于所述单元区域与所述外围区域之间的边界区域；位线，所述位线设置在所述单元区域上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；位线覆盖图案，所述位线覆盖图案设置在所述位线上；以及边界图案，所述边界图案设置在所述边界区域上。所述位线的端部可以与所述边界图案的第一界面接触，并且所述位线覆盖图案可以包括与所述边界图案相同的材料。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202211183403.5在审
发明人：张志熏;请求不公布姓名;金东完;朴桐湜;尹灿植;张贤禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括沟槽的衬底；隔离结构，包括堆叠在沟槽中的内壁氧化物层图案、衬垫图案和填充绝缘图案；以及在衬底和隔离结构上的栅极结构，其中内壁氧化物层图案和衬垫图案共形地形成在沟槽的表面上，内壁氧化物层图案的上表面低于衬底的上表面，以及内壁氧化物层图案的上表面和衬垫图案的上表面之间的边界没有台阶差。
半导体器件

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