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[发明专利]电容器及DRAM的制造方法-CN202110057898.6在审
发明人：张铉瑀;许民;吴容哲;杨涛;贺晓彬;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种电容器及DRAM的制造方法，包括以下步骤：在所述半导体衬底的表面上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的牺牲模制层和支撑层，所述支撑层包括至少一层牺牲支撑层以及多层保留支撑层，其中，所述堆叠结构的顶部设置为第一保留支撑层；形成贯穿所述堆叠结构的电容孔，且暴露出所述电接触部；形成覆盖所述电容孔内表面的下电极，所述下电极连接所述电接触部。本实施例牺牲支撑层为可以被去除的氮化硅类物质，在下电极完成沉积后，牺牲支撑层被去除。同时其可以在沉积下电极过程中，充当支撑作用，使得下电极可以做的更高，提高了电容器的高宽比，进一步提高了电容器的容量。
电容器 dram 制造方法

[发明专利]光刻胶去除方法-CN202110057909.0在审
发明人：南兑浩;李大烨;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供的一种光刻胶去除方法，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底；在所述衬底上进行光刻胶的沉积、曝光和显影，形成图案化的光刻胶层；在所述衬底上进行离子注入工艺和/或刻蚀工艺；最后，利用高温烘烤方式和/或稀释剂腐蚀方式去除所述光刻胶层。在上述技术方案中，该光刻胶去除方法与现有的去除方法相比，主要是摒弃了在刻蚀和清理阶段利用灰化法或湿法去除工艺去除光刻胶层的方式，转而在光刻设备中直接实现对光刻胶层的去除操作，有效的提高半导体的制备效率。
光刻去除方法

[发明专利]光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备-CN202010752074.6有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;刘金彪;刘强;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备，光刻胶收集杯清理方法包括预清洗步骤：启动位于光刻胶收集杯内侧的旋转片和位于旋转片下方的清洗液喷嘴，控制清洗液喷嘴向旋转片喷洒清洗液，使清洗液被旋转片溅射在光刻胶收集杯的内侧，以对光刻胶收集杯进行预清洗；以及分区域清洗步骤：控制旋转片变速旋转多次，每次旋转的初始转速不同，每次旋转使清洗液被溅射到光刻胶收集杯上的一个区域，清洗液多次溅射覆盖的区域至少包括光刻胶收集杯的待清洗部位。本实施例通过改变初始转速实现了分区域清洗，通过变速旋转实现了对每个区域进行移动清洗，提高了清洗效果，避免了光刻胶收集杯中残余光刻胶造成后续工艺缺陷。
光刻收集清理方法设备

[发明专利]用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机-CN202110023981.1在审
发明人：李其衡;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;周娜 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机。用于检测处理单元性能的晶圆选择包括：获取与待处理晶圆对应的处理单元类型以及每类处理单元的数量，确定处理组合；根据处理组合的数量，确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量；将待处理晶圆按批次依次输送进涂胶显影机进行处理；获取每一批次晶圆对应的记录表；根据记录表和每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量，从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的晶圆作为待检测晶圆。能够在对最少的晶圆进行检测的情况下，清楚的获取每个处理单元的处理效果，避免重复测量和漏测量，从而提高对处理单元进行监测的效率，降低漏测量的处理单元对产品的不良影响。
用于监测处理单元性能检测选择方法涂胶显影

[发明专利]一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备-CN202110020461.5在审
发明人：许民;张铉瑀;吴容哲;杨涛;贺晓彬;高建峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开能够提供一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。该半导体电容器结构包括：半导体基底、焊垫、阻挡层、下电极、下支撑件及上支撑件等。在半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫，阻挡层形成于半导体基底上，焊垫处于阻挡层中，下电极底部位于焊垫上。上支撑件设置于相邻的下电极的侧壁之间，上支撑件上具有形成于相邻的两个下电极之间的第一通孔。下支撑件设置于相邻的下电极的侧壁之间，下支撑件上具有形成于相邻的两个下电极之间的第二通孔，且第一通孔与第二通孔相对设置。本公开的半导体电容器结构稳定性更强，可提高电容器的高宽比，所以基于本公开制造的半导体电容器的容量大。本公开具有工艺简单、成本低等优点。
一种半导体电容器结构及其制造方法存储器电子设备

[发明专利]一种基于曝光区域的芯片封装处理方法-CN202110020462.X在审
发明人：崔栽荣;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于曝光区域的芯片封装处理方法，封装处理方法包括：先利用在先光刻工艺数据确定目标晶圆的各个曝光区域，目标晶圆可为一个或多个。以各个曝光区域作为当前工序的切割单位，对目标晶圆进行切割处理，将目标晶圆分割成多个器件单元。对于包含不良裸片的器件单元，则直接以裸片作为切割单位对器件单元进行切割处理后再进行接合。对合格的器件单元进行整体接合处理，再以裸片作为当前工序的切割单位，对经过接合处理后的器件单元再进行切割处理。本公开创新利用已知曝光区域作为首次切割晶圆的依据，在两次切割处理工序之间对合格的器件单元进行接合工序，能够提升半导体器件良率和提高封装效率，本公开工艺更简单，对准精度高。
一种基于曝光区域芯片封装处理方法

[发明专利]光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法-CN202011583122.X在审
发明人：崔栽荣;丁明正;贺晓彬;刘强;王桂磊;白国斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法。本申请的光刻胶涂布设备包括装载台、至少一个喷头、多个压电单元和控制器，装载台用于装载晶圆，喷头设于装载台的上方，喷头设有多个朝向装载台设置的喷口，多个喷口沿喷头的长度方向间隔设置，多个喷口通过喷头内的供给管道与外部光刻胶供给单元相连通，任一个喷口处均设有压电单元，压电单元用于控制喷口与供给管道间的通断，控制器用于控制压电单元，从而控制喷口与供给管道间的通断。根据本申请的光刻胶涂布设备，能够在无需转动晶圆的基础上对晶圆表面进行光刻胶涂布，并能够根据晶圆表面各位置所需的涂布厚度进行精确控制，保证涂布质量。
光刻布设胶涂布方法

[发明专利]掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法-CN202011550573.3在审
发明人：崔锺武;金成基;刘金彪;杨涛;贺晓彬;李俊峰;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供的一种掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括衬底，所述衬底上刻蚀有栅沟槽；栅介质层，所述栅介质层位于所述栅沟槽的内壁表面；栅电极层，所述栅电极层位于所述栅沟槽的下部；盖层，所述盖层位于所述栅电极层的上方；其中，所述栅沟槽两侧的衬底中具有离子注入区域。在上述技术方案中，碳离子和硼离子在衬底上栅沟槽侧壁的存储节点和位线节点的注入，可以有效的改善栅电极层诱导漏极泄漏电流的增加，改善动态随机存储器单元的刷新特性。
掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN202011551521.8在审
发明人：张铉瑀;许民;吴容哲;杨涛;贺晓彬;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体结构及其制作工艺，涉及半导体技术领域，包括：半导体衬底；蜂窝状分布的多个圆筒形电容器，多个电容器设置在衬底上，电容器包括呈沟槽状的下电极，位于下电极内壁的介质层和上电极构成第一电容，位于下电极外壁的介质层和上电极构成第二电容；至少一层支撑件，支撑件位于下电极的外壁，以对多个电容器形成支撑固定；其中，下电极的顶部高于最顶层的支撑层。在上述技术方案中，最顶层的支撑层的顶层上会被一层牺牲支撑层所覆盖，该牺牲支撑层就能够在电容器的形成过程中预留出电容器的形成空间，当最终将该牺牲支撑层去除掉以后，该层牺牲支撑层所让出的空间，可以用来形成电容器，有效的扩大电容器的容量。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]接触孔中填充多晶硅的方法-CN202011553806.5在审
发明人：崔锺武;金成基;刘金彪;杨涛;贺晓彬;项金娟;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触孔中填充多晶硅的方法。接触孔中填充多晶硅的方法包括：在半导体衬底上形成接触孔；在所述接触孔的底壁和侧壁上沉积第一层多晶硅，然后向所述第一层多晶硅内注入离子；在所述第一层多晶硅的表面沉积第二层多晶硅，以填充所述接触孔，然后进行退火处理。本发明分两个阶段填充多晶硅作为导电介质，能够提高介质的致密度和膜均匀性，减小接触电阻，并且工序条件都可控，影响因素少，得到的器件批次间一致性高。
接触填充多晶方法

[发明专利]晶圆显影设备及晶圆清洗方法-CN202011553831.3在审
发明人：崔栽荣;丁明正;贺晓彬;刘强;王桂磊;白国斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本申请属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种晶圆显影设备及晶圆清洗方法。本申请的晶圆显影设备包括装载台、清洗剂喷射装置和气体喷射装置，装载台用于装载晶圆，装载台能够绕自身轴向转动，清洗剂喷射装置包括喷头，喷头设于装载台的上方，喷头能够在平行于晶圆的平面内沿直线方向往复运动，喷头设有至少一个清洗剂喷嘴，清洗剂喷嘴用于在光刻胶去除过程中向晶圆喷射光刻胶清洗剂，气体喷射装置包括至少两个气体喷嘴，气体喷嘴用于在光刻胶去除过程中向晶圆喷射气体，清洗剂喷嘴沿喷头的直线往复运动的方向的前后位置处分别设有至少一个气体喷嘴。根据本申请的晶圆显影设备，能够有效地对残留在晶圆表面的光刻胶残留物进行清除。
显影设备清洗方法

[发明专利]晶圆变形的测量方法-CN202011562875.2在审
发明人：林锺吉;金在植;张成根;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;白国斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供的一种晶圆变形的测量方法，涉及半导体技术领域，包括如下步骤：测量晶圆不同区域之间或相同位置不同时段的温度差数据，将该温度差数据与晶圆对应区域的变形值建立相应的标准函数样本；根据所述标准函数样本判断不同晶圆在加热过程中的变形状态。在上述技术方案中，通过上述方式建立温度差数据与变形值相应的标准函数样本以后，就可以确定晶圆的温度与变形之间的函数关系，根据该标准函数样本的对应关系记载，此后仅通过测量晶圆不同区域之间的温度差数据，便可以直接确定晶圆对应区域的变形值，从而判断晶圆晶圆对应区域的变形情况，不必再通过单独的工序对晶圆的变形或翘曲情况进行单独的测量，只需要在加热晶圆时同步完成即可。
变形测量方法

[发明专利]着陆焊盘的制造方法-CN202011424630.3在审
发明人：田范焕;梁时元;丁明正;贺晓彬;刘强;高建峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种着陆焊盘的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成金属导电层；在金属导电层上形成若干个焊盘引导间隔件；以若干个焊盘引导间隔件为引导图案，在引导图案上使用自组装嵌段共聚合物材料形成焊盘刻蚀掩模，使用焊盘刻蚀掩模来刻蚀金属导电层。申请实施例将自组装嵌段共聚合物材料应用在着陆焊盘的制造过程中，减少了工艺步骤，提高了工艺效率。
着陆制造方法

[发明专利]减少掩模版上图形布局误差的处理方法-CN202011547670.7在审
发明人：刘智龙;李大烨;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本申请公开了一种减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括：提供一空白掩模版；所述空白掩模版包括由下而上层叠设置的透明基板、缓冲层和遮光层；对所述遮光层进行图形化处理，得到图形化处理后的遮光层；对所述图形化处理后的遮光层进行图形检查及修正；对所述缓冲层进行刻蚀及清洗；对经过上述步骤处理后得到的掩模版进行退火处理，得到退火后的掩模版。本申请的减少掩模版上图形布局误差的处理方法，包括对遮光层进行图形化处理、图形检查及修正，对缓冲层进行刻蚀及清洗，对掩模版进行退火处理，退火处理的步骤能够释放累积的掩模版压力，进而减少局部图形布局误差。
减少模版图形布局误差处理方法

[发明专利]晶圆晶边清洗装置及方法、涂布设备-CN202011547731.X在审
发明人：林锺吉;金在植;张成根;金成昱;梁贤石;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆晶边清洗装置及方法、光刻胶涂布设备。该晶圆晶边清洗装置包括：旋转卡盘，用于承载晶圆；边缘位置传感器，用于检测所述晶圆的边缘相对于所述旋转卡盘中心的边缘位置坐标；控制单元，用于接收所述边缘位置坐标，并基于所述边缘位置坐标计算所述晶圆的实际尺寸，根据所述晶圆的实际尺寸调整晶边清洗宽度，以根据调整后的晶边清洗宽度进行所述晶圆的晶边光刻胶清洗。本公开中，在清洗晶圆边缘的光刻胶时，通过边缘位置传感器来精确检测晶圆边缘位置坐标，从而能够补正由晶圆尺寸差异引起的晶边清洗宽度差异，避免了生产资源的浪费以及制造成本的增加。
晶圆晶边清洗装置方法布设