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[发明专利]一种锗的化学机械抛光方法-CN201410345960.1有效
发明人：杨涛;刘金彪;贺晓彬;李俊峰;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗的化学机械抛光方法，该方法包括以下步骤a.提供待抛光的晶圆，该晶圆具有生长完成的锗沟槽，锗沟槽之间为测量隔离区；b.确认锗沟槽与测量隔离区齐平的最低图形密度ρ；c.在晶圆上图形密度小于等于ρ的锗沟槽上涂覆光刻胶；d.对未被光刻胶覆盖的区域进行离子注入处理；e.去除光刻胶；f.对所述晶圆进行化学机械抛光。本发明在完成外延生长单晶Ge沟槽后，选择性的对高密度图形区的凸起Ge沟道进行离子注入，然后再进行Ge的CMP，提高CMP过程中对高密度去凸出部分的材料移除速率。这样可以避免因图形密度不同而造成Ge材料移除速率的差异，从而改善Ge沟道CMP后的局部均匀性。
一种化学机械抛光方法

[发明专利]梯形复合钢板混合结构箱梁及建造方法-CN201710923131.0在审
发明人：陈宜言;董桔灿;何晓晖;任自放;许有胜;贺晓彬;黄梦笔 -专利权人：深圳市市政设计研究院有限公司;江阴大桥（北京）工程有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： E01D2/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种梯形复合钢板混合结构箱梁及建造方法。它包括箱梁复合底板、箱梁组合结构顶板、梯形钢腹板和箱梁隔板，在梯形钢板上浇筑环氧沥青混凝土形成复合结构的箱梁复合底板，箱梁组合结构顶板为梯形钢板梁和钢筋混凝土的组合结构；箱梁架设前先将梯形钢板、梯形钢板梁和梯形钢腹板在工厂或现场采用焊接或其他连接方法形成完整的结构体系。本发明一种梯形复合钢板混合结构箱梁，强度、刚度好，有效增加抗压、抗拉、抗剪和抗扭转的综合性能，同时加工、安装方便，可以实现工厂化生产，装配式施工。
梯形复合钢板混合结构建造方法

[发明专利]MEMS器件中的拱形结构及其制造方法、MEMS器件-CN201610115279.7在审
发明人：高建峰;贺晓彬;赵超;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS器件中的拱形结构的形成方法，包括提供衬底；在衬底上旋涂SU‑8的第一光刻胶层并进行第一烘烤工艺，而后对所述第一光刻胶层进行曝光；在所述第一光刻胶层上旋涂SU‑8的第二光刻胶层；将所述衬底进行静置，以使得第一光刻胶层的曝光区域的光酸扩散至未曝光的第一光刻胶层及第二光刻胶层；进行第二烘烤工艺，以使得有光酸的区域的环氧基交联而形成拱形结构；进行显影。该方法基于光刻工艺形成拱形结构，易于小型化和批量生产，形成光滑且连续表面的拱形结构，具有高稳定性和可靠性，此外与传统的CMOS工艺兼容，易于在MEMS器件中的集成。
mems 器件中的拱形结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510011821.X有效
发明人：刘金彪;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体制造方法，利用离子注入和退火工艺，在半导体晶圆的正面形成了突变结；之后，利用JPV技术，在半导体晶圆的背面定位突变结的位置，从而确定晶圆位置，定位精度控制在纳米量级，远优于现有的对准方法，实现了半导体晶圆的快速、精确定位。本发明的定位方式工艺简单，完全与现有的集成电路和MEMS工艺兼容，不会增加流程的复杂性，在精确和快速背面对准的基础上，提高了生产良率，并且降低了成本。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210336478.2有效
发明人：李春龙;李俊峰;闫江;孟令款;贺晓彬;陈广璐;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种假栅结构的制造方法。本发明在假栅材料层之上形成了ONO结构和顶层非晶硅层，首先以图案化的顶层非晶硅层为掩膜对ONO结构进行刻蚀，能够精确地控制其尺寸和剖面形貌，使ONO结构成为所期望的假栅材料层的掩膜，并且能够控制ONO各层刻蚀速率和厚度；接着，以ONO结构为掩膜刻蚀假栅材料层，同样实现图形的精确转移，使得假栅关键尺寸和剖面形貌得到精确控制，使得后续形成的金属栅极具有良好的粗糙度，保证了器件的性能及其稳定性。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种化学机械抛光的平坦化方法-CN201610299202.X在审
发明人： 贺晓彬;刘金彪;李俊峰;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械抛光的平坦化方法，包括：提供第一材料层，第一材料层中形成有开口；在开口及第一材料层上形成第二材料层；采用第一研磨液进行第二材料层的化学机械抛光，以第一材料层为停止层，第一研磨液对第一材料层具有更高的选择比；采用第二研磨液进行第一材料层的化学机械抛光，第二研磨液对第二材料层具有更高的选择比。该方法可以有效减小或者消除碟陷，提高平坦度。
一种化学机械抛光平坦方法

[发明专利]一种刻蚀方法-CN201510996470.2在审
发明人：李俊杰;李俊峰;杨清华;刘金彪;贺晓彬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的干法刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层上形成掩蔽材料；对掩蔽材料和待刻蚀层进行干法刻蚀；对掩蔽层横向刻蚀(平行于衬底表面)与对待刻层纵向刻蚀(垂直与衬底表面)同时进行，通过精确控制上述两者速率比来获得相应的刻蚀坡面倾斜角度(坡面与衬底表面的夹角)。该方法可以大范围(0°～90°)灵活调节刻蚀坡面倾斜角度，尤其在小刻蚀坡面倾斜角度(<20°)应用领域较常规刻蚀方法具有优势。
一种刻蚀方法

[发明专利]后栅工艺中假栅极制造方法-CN201210434600.X在审
发明人：李春龙;李俊峰;闫江;孟令款;贺晓彬;陈广璐;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种后栅工艺中假栅极制造方法，包括：在衬底上依次形成栅极介质层、第一假栅极层；在第一假栅极层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成第二假栅极层；在第二假栅极层上形成第一掩模图案；以第一掩模图案为掩模，刻蚀第二假栅极层形成第二假栅极图案；以第一掩模图案以及第二假栅极图案为掩模，刻蚀硬掩模层，形成第二掩模图案；以第二假栅极图案以及第二掩模图案为掩模，刻蚀第一假栅极层，形成第一假栅极图案。依照本发明的后栅工艺中假栅极制造方法，通过多次刻蚀修整多层假栅-硬掩模层叠结构，有效精确控制假栅极尺寸和剖面形貌，从而改善栅极线条粗糙度，有利于提高器件性能以及稳定性。
工艺栅极制造方法

[发明专利]采用电子束工艺定义连接孔的方法-CN201210435742.8在审
发明人：李春龙;贺晓彬;赵超;李俊峰;闫江;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用电子束工艺定义半导体器件连接孔的方法，包括：在衬底上形成器件的基本结构，包括需要与连接孔电性连接的下层结构；在基本结构上形成第一硬掩模层；采用电子束曝光工艺，在第一硬掩模层上形成负胶的光刻胶图案，定义出连接区；以光刻胶图案为掩模，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图案；在第一硬掩模图案上形成第二硬掩模层；去除第一硬掩模图案，留下的第二硬掩模层构成第二硬掩模图案，暴露了连接区；以第二硬掩模图案为掩模，刻蚀形成与下层结构接触的连接孔。依照本发明的方法，通过先后两次图案化硬掩模，采用负胶的电子束工艺成功定义出了微纳米级的连接孔图形。提高了效率和安全性。
采用电子束工艺定义连接方法

[发明专利]降低线条粗糙度的光刻方法-CN201210395430.9在审
发明人：孟令款;贺晓彬;李春龙 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低线条粗糙度的光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶，执行电子束过曝光形成电子束光刻胶图形，其中增大曝光剂量以改善粗糙度；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的精细线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且合理调整光刻条件，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动。
降低线条粗糙光刻方法

[发明专利]电子束光刻方法-CN201210357243.1在审
发明人： 贺晓彬;孟令款;丁明正;刘艳松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束光刻方法，包括：在结构材料层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶；采用电子束曝光系统，对电子束光刻胶进行曝光，其中通过增加曝光剂量来提高电子束光刻胶的抗刻蚀性；采用显影液对曝光后的电子束光刻胶显影，形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，各向异性刻蚀硬掩模层和结构材料层，形成所需的精细线条。依照本发明的电子束光刻方法，在保证高宽比不变的情况下通过改变工艺条件来提高电子束胶的抗刻蚀性能，防止电子束胶被完全损失，由此提高了线条的精度、改进了最终器件的性能。
电子束光刻方法

[发明专利]混合光学和电子束光刻方法-CN201210353673.6在审
发明人：孟令款;李春龙;贺晓彬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合光学和电子束光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；进行第一光刻/刻蚀，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；进行第二光刻/刻蚀，形成第二硬掩模图形；采用各向异性刻蚀技术，刻蚀结构材料层，形成所需要的光学及电子束线条。依照本发明的混合光学和电子束光刻方法，将同一层次图形按线条大小进行分开处理，大的线条采用光学曝光，而精细图形采用电子束曝光，可以大幅缩减曝光时间，提高产能。
混合光学电子束光刻方法

[发明专利]降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法-CN201210353546.6有效
发明人：孟令款;贺晓彬;李春龙 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形；以第二硬掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形；以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
降低电子束光刻时光粗糙方法

[发明专利]降低线条粗糙度的混合光刻方法-CN201210357244.6有效
发明人：孟令款;李春龙;贺晓彬;李俊峰;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种降低线条粗糙度的混合光刻方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；执行第一光刻/刻蚀，在第一硬掩模层上形成第一光刻胶图形，刻蚀第一硬掩模层，形成第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；执行第二光刻/刻蚀，在第二硬掩模层上形成第二光刻胶图形，刻蚀第二硬掩模层，形成第二硬掩模图形；继续刻蚀第二硬掩模层和第一硬掩模层，形成第三硬掩模图形；以第三硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明方法，采用材质不同多层硬掩模层并多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。
降低线条粗糙混合光刻方法

[实用新型]一种用于刚架拱桥组合梁的斜腿-CN201320355318.2有效
发明人：何晓晖;彭栋木;许有胜;姜瑞娟;赵刚;贺晓彬;黄国兴;张海龙;苏轼鲲;叶琳;高淑荣;朱静秋;蒋华;冯芳 -专利权人：深圳市市政设计研究院有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： E01D4/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于刚架拱桥组合梁的斜腿，紧固连接在刚架拱桥变高度结构的主梁及刚架拱桥的承台之间用以传递主梁的荷载在承台上，斜腿包括型钢和包覆在型钢外周的混凝土浇注体；斜腿的一端具有用以将其与主梁具有的刚构支点相紧固的第一柱脚，相对的另一端具有用以将其与承台相紧固的第二柱脚，第一柱脚和第二柱脚分别与型钢紧固相连。实施本实用新型的用于刚架拱桥组合梁的斜腿，型钢使斜腿与钢主梁的连接简化，混凝土包覆体增加了斜腿的稳定性及传递力的可靠性。
一种用于刚架拱桥组合