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[发明专利]用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备-CN202010270628.9有效
发明人：金成昱;金帅炯;梁贤石;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本公开提供一种用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备。本公开的用于激光器腔室的电极，包括一具有多个电极表面的电极及中心轴，所述电极可绕中心轴旋转切换至任意一个电极表面。本公开与现有技术相比，激光器腔室的电极具有多个电极表面，当脉冲激光的质量下降时，可旋转切换到良好的电极表面继续操作，延长了激光器腔室的使用寿命。
用于激光器电极系统曝光设备

[发明专利]接触孔图案掩模、其制作方法及半导体器件-CN202010737832.7在审
发明人：梁时元;刘智龙;贺晓彬;丁明正;刘强;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本公开提供一种接触孔图案掩模、其制作方法及半导体器件。所述接触孔图案掩模用于制造掩埋沟道阵列晶体管的漏极接触孔图案，所述漏极接触孔为连接两个所述晶体管之漏极的漏极线与每个所述晶体管漏极的接触孔；其中，本公开的接触孔图案掩模为椭圆形。所述椭圆形长轴与所述漏极线之间的夹角小于等于45度。所述方法包括：根据要接触孔图案规格，确定接触孔图案掩模的光学临近校正模型；确定套刻裕度；根据所述套刻裕度制作椭圆形的接触孔图案掩模。籍由长轴导致的面积增加，本公开扩大了长轴的套刻裕度，其产生的重叠的分布比较稳定，使得接触孔的不良减少，从而使得接触孔制造的良率上升。
接触图案制作方法半导体器件

[发明专利]半导体器件的套刻标记及其使用方法-CN202010739629.3在审
发明人：梁时元;刘智龙;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件的套刻标记及其使用方法。其中所述套刻标记包括相对于中心呈十字对称的第一对组件和第二对组件，所述套刻标记还包括至少一对第三对组件，所述第三对组件的两个组件相对于所述中心对称分布。所述套刻标记的使用方法，包括：使用传感器检测所述套刻标记中每个组件的偏差角度和大小；根据所述偏差角度和大小计算确认所述套刻标记的整体偏差角度和大小。本公开能够减少套刻标记分析的次数，可以在早期防止品质不良发生。本公开对于套刻误差数值，禁止过补正与误补正，能够一次确认套刻标记变形的方式。
半导体器件标记及其使用方法

[发明专利]一种半导体的制造方法-CN202010739656.0在审
发明人：金炫昌;刘金彪;贺晓彬;王桂磊;丁明正;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成单元区隔离沟槽、NMOS区隔离沟槽和PMOS区隔离沟槽；使用光刻胶曝光工艺和刻蚀工艺，对所述PMOS区隔离沟槽进行刻蚀，去除隔离沟槽的沉积物质；沉积一厚层第一氧化物层、第一氮化物衬垫和第一氧化物；平坦化单元区隔离沟槽、NMOS区隔离沟槽和PMOS区隔离沟槽；使用刻蚀工艺依次刻蚀PMOS区隔离沟槽的第一氧化物、第一氮化物衬垫、第一氧化物层和第二氮化物衬垫。去除原先PMOS区隔离沟槽中的沉积物质，再次沉积一厚层第一氧化物层，能够防止变成陷阱的热载流子电子在有源区产生沟道，从而避免热电子穿透效应产生的不良。
一种半导体制造方法

[发明专利]具有双层电容结构的DRAM、半导体器件及其制造方法-CN202010574939.4在审
发明人：崔栽荣;贺晓彬;李亭亭;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及一种存储单元结构、存储器及包括该存储器的半导体器件，存储单元包括：半导体基底；位于半导体基底上的沟槽式电容器；位于所述沟槽式电容器上方的堆叠型电容器。通过本申请实施方式中的双层电容器结构的存储器，在较小的单位尺寸面积(4F2)条件下，实现了存储容量的大幅提高。
具有双层电容结构 dram 半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶圆的处理方法及激光退火装置-CN202010575940.9在审
发明人：刘智龙;贺晓彬;刘金彪;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆的处理方法及激光退火装置，该处理方法通过激光退火装置来实现，该方法包括：用有机溶剂清洗晶圆斜面部位；将清洗好的晶圆放置在所述激光退火装置的承载部上；调整晶圆与所述激光退火装置的激光出口的相对位置从而设定激光曝光位置；旋转晶圆，同时利用激光对所述激光曝光位置进行曝光；完成曝光后，冷却晶圆。本申请提供的晶圆的处理方法，利用激光退火工艺来减少或去除在晶圆边沿或斜面部位的细微裂纹，将非晶硅转换成多晶硅，提高了晶圆密度，大大降低了晶圆破裂发生的几率。
处理方法激光退火装置

[发明专利]标签的识别及处理方法以及标签的识别及处理系统-CN202010576040.6在审
发明人：李其衡;贺晓彬;李亭亭;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种标签的识别及处理方法以及标签的识别及处理系统，该控制方法包括搜寻晶圆上的标签区域，获取晶圆边缘曝光的第一曝光区域，确定所述标签区域是否在所述第一曝光区域内，如果标签区域不在曝光区域内改变曝光区域的大小，如果标签区域在曝光区域内，对曝光区域进行曝光，曝光完成后，去除标签区域的光刻胶。根据发明实施例的标签的识别及处理方法，在进行加工的过程中，晶圆的表面逐渐形成层叠的不透明膜质，会导致在进行晶圆识别时标签的识别率下降，对曝光区域的大小进行改变，使标签区域在曝光区域内，对标签区域进行曝光，使标签区域表面的光刻胶感光，去除标签区域内的光刻胶。
标签识别处理方法以及系统

[发明专利]一种用于控制晶圆上的涂层厚度的方法-CN202010596946.4在审
发明人：李祥华;金在植;贺晓彬;李亭亭;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于控制晶圆上的涂层厚度的方法。该方法包括如下的步骤：首先获取晶圆上涂层厚度与排气压力的关系，其次根据涂层厚度与排气压力的关系设定涂胶设备的排气压力，最后再控制涂胶设备在设定的排气压力下工作，同时在晶圆上涂布涂层。与现有技术完全不同，本公开的一个或多个实施例能够通过改变涂胶设备的排气压力的方式调整晶圆表面涂层的厚度，进而精准地控制晶圆边缘涂层厚度，使晶圆边缘涂层厚度按需设置；为后续刻蚀等加工工艺提供有效地支持，进而显著地提升晶圆边缘范围内半导体器件的良率，能够极大地降低半导体器件加工的成本；所以本公开适用范围很广，便于大面积的推广和应用。
一种用于控制晶圆上涂层厚度方法

[发明专利]一种套刻标记及使用套刻标记进行套刻误差测量的方法-CN202010597518.3在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种套刻标记及使用套刻标记进行套刻误差测量的方法。该套刻标记包括第一测量标记和第二测量标记，其中，第一测量标记具有圆形外轮廓、形成于前层上，第二测量标记具有圆形外轮廓、形成于当前层上。该方法包括下述的步骤：在前层上形成具有圆形外轮廓的第一测量标记以及在当前层上形成具有圆形外轮廓的第二测量标记，且第二测量标记尺寸与第一测量标记尺寸不同，然后再利用第一测量标记与第二测量标记的位置偏差计算出套刻误差。与传统套刻标记不同，本公开创新地提出了具有圆形结构设计的套刻标记，能够利用面积比例的方式计算出套刻误差，彻底解决了传统套刻误差测量方案受噪音信号干扰的问题。
一种标记使用进行误差测量方法

[发明专利]双重构图的曝光方法-CN202010590724.1在审
发明人：田范焕;梁时元;梁贤石;贺晓彬;刘强;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种双重构图的曝光方法，包括：将第一掩模板装载到第一掩模台，将第二掩模板装载到第二掩模台；第一掩模台和第二掩模台分别位于光刻机的透镜中心两侧；校准第一掩模台相对晶圆台的第一移动数据，校准第二掩模台相对晶圆台的第二移动数据；基于第一移动数据将第一掩模台移动至晶圆台正上方，对装载的硅片进行第一次曝光，并基于第二移动数据将第二掩模台移动至晶圆台正上方，对装载的硅片进行第二次曝光。由于本发明避免了反复装载和卸载的工序，进而缩短了循环时间且减少了制程数量。并且由于两个掩模台分别校准，校准精度佳，避免两个掩模板间的标准流程偏移不会发生改变，因此还可减小两次曝光分别形成图案间产生的偏移。
双重构图曝光方法

[发明专利]一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备-CN202010566755.3在审
发明人：郭炳容;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种双图案掩膜及其制作方法、半导体器件、电子设备，涉及半导体制作技术领域，实现了利用双重构图形成图案结构所具有的成本低的效果。该双图案掩膜的制作方法包括，提供衬底。在衬底上形成硬掩膜材料层。在硬掩膜材料层上形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第一方向延伸的第一方向掩膜图案。以第一方向掩膜图案为掩膜对硬掩膜材料层进行刻蚀，形成沿第一方向延伸的第一方向图案。在形成有第一方向图案的硬掩膜材料层上继续形成掩膜材料层并进行图案化处理，形成沿第二方向延伸的第二方向掩膜图案，第二方向与第一方向交叉。由交叉的第一方向图案和第二方向掩膜图案形成孔图案。本发明还提供双图案掩膜、半导体器件和电子设备。
一种图案及其制作方法半导体器件电子设备

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202010566943.6在审
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体结构的制造方法，涉及半导体制造技术领域，包括：提供已完成阱注入的衬底；进行双栅极氧化物沉积；进行氮化硅沉积；在沉积有氮化硅膜的衬底正面、侧面和至少一部分背面形成疏水层。在上述技术方案中，通过在晶圆(即衬底)的背面形成适当的疏水层以后，便可以因晶圆背面的疏水功能有效的降低化学液体对晶圆最外层涂层破损位置的渗透，减少或消除晶圆背面涂层脱落的碎片，使晶圆的正面不受到碎片落入影响，从而提高晶圆的产品良率。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法-CN202010567098.4在审
发明人：林锺吉;金在植;张成根;贺晓彬;丁明正;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开能够提供一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法，该可旋涂硬掩模去除方法包括如下步骤。首先通过第一喷头对晶圆进行边缘斜面冲洗，并通过第二喷头对晶圆进行背面冲洗，以去除晶圆边缘第一预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。其次对晶圆边缘上剩余的可旋涂硬掩模进行干燥处理。本公开最后利用第三喷头再对晶圆进行边缘斜面冲洗，从而去除晶圆边缘第二预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。本公开一些实施例能在可旋涂硬掩模涂布工艺过程中有效地去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模，特别适用于去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模凸起。本公开避免了晶圆边缘可旋涂硬掩模对半导体器件的污染，所以本公开能够显著提高半导体器件的良率，具有较高的市场价值。
一种边缘可旋涂硬掩模去除方法

[发明专利]二氧化碳供应系统及具有其的半导体清洁系统-CN202010702482.0有效
发明人：崔栽荣;贺晓彬;刘金彪;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： F17C13/02 文献下载
摘要：本申请属于半导体清洁技术领域，具体涉及一种二氧化碳供应系统及具有其的半导体清洁系统，该二氧化碳供应系统包括存储罐、汽化装置以及连接存储罐和汽化装置的供应管，汽化装置用于将存储罐存储的液态二氧化碳汽化，二氧化碳供应系统还包括设置于供应管上的金属离子探测器和自动控制阀，金属离子探测器用于探测供应管内的金属离子，自动控制阀与金属离子探测器电连接，自动控制阀根据金属离子探测器探测到的金属离子关闭供应管。根据本申请的二氧化碳供应系统，通过金属离子探测器探测供应管内的金属离子，二氧化碳供应系统根据供应管内的金属离子通过自动控制阀关闭供应管，以此防止含有金属离子的二氧化碳供应至工厂。
二氧化碳供应系统具有半导体清洁

[发明专利]硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置-CN202110796275.0在审
发明人：丁明正;许高博;翟琼华;傅剑宇;孙朋;殷华湘;颜刚平;田国良;李琳;张琦辉;贺晓彬 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够降低探测器晶圆的暗电流，并提高其击穿电压，提高了器件性能。
探测器制造方法用于热处理装置