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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及制备方法-CN202010574927.1有效
发明人：崔锺武;金成基;高建峰;刘卫兵;李俊杰;张月 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：衬底，具有由隔离结构所定义出的有源区；埋入式字线，沿着第一方向延伸跨过所述有源区；埋入式位线，沿至少部分所述隔离结构延伸，且延伸方向与所述第一方向相交；气隙，位于相邻的两个所述埋入式字线之间。通过将埋入式位线形成在隔离结构中，降低了位线‑单元的耦合作用，改善了数据感测裕度，再者，本申请在相邻的埋入式字线之间形成气隙，由于空气的介电常数较小，这样可以降低相邻埋入式字线的耦合作用，达到降低了相邻的有源区之间的行锤击效应，提高了半导体器件的可靠性。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201911174515.2有效
发明人：崔基雄;李河圣;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：接收基板；以及在基板上设置介电层；在介电层上设置金属材料；在金属材料的顶表面上设置钝化层；进行合金层形成工艺，以在钝化层的顶表面上设置SiGe层。
半导体器件制造方法

[发明专利]电容器的制备方法及电容器-CN201910980364.3有效
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种电容器的制备方法，包括：形成一顶电极；于所述顶电极上沉积一非晶硅锗层；以及通过准分子激光退火工艺对所述非晶硅锗层进行晶化处理以形成一多晶硅锗层，所述多晶硅锗层与所述顶电极电性连接。本发明还提供由上述方法制得的电容器。
电容器制备方法

[发明专利]半导体结构及制备方法-CN202010280443.6有效
发明人：崔锺武;金成基;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：半导体衬底，于所半导体衬底内设置沟槽；埋入式栅堆叠，埋入式栅堆叠填充沟槽的下部；埋入式栅堆叠具有朝沟槽底部方向凹陷的顶表面。本申请的埋入式栅堆叠具有朝所述沟槽底部方向凹陷的顶表面，减小了埋入式栅堆叠(Gate)与源/漏区(S/D)之间的重叠部分，减少了GIDL电流,提高现有的半导体器件的可靠性。
半导体结构制备方法

[发明专利]晶体管及其制备方法-CN202010568263.8有效
发明人：崔锺武;金成基;杨涛;高建峰;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有形成在其上的源/漏区；栅堆叠结构，位于所述衬底上；金属接触插塞，与所述源/漏区连接；侧墙，位于所述栅堆叠结构与所述金属接触插塞之间；空气隙，位于所述侧墙内。由于空气的介电常数远小于氧化硅，大大减少了栅堆叠结构与金属接触插塞之间的寄生电容，从而提高晶体管的性能。
晶体管及其制备方法

[发明专利]乙硅烷基胺化合物，其制备方法，以及包括其的含硅薄膜沉积组合物-CN201880025637.2有效
发明人： 金成基;张世珍;杨炳日;朴重进;李相道;朴廷主;李三东;朴建柱;李相益;金铭云 -专利权人： DNF有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型乙硅烷基胺化合物、其制备方法、以及包括该化合物的含硅薄膜沉积组合物，本发明的乙硅烷基胺化合物显示出优异的反应性、热稳定性和高挥发性，因此当用于含硅前体时，能够制备高质量含硅薄膜。
硅烷化合物制备方法以及包括薄膜沉积组合

[发明专利]晶体管及其制备方法-CN201910866406.0有效
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：一种晶体管的制备方法，其包括如下步骤：提供一基板，并在所述基板上形成栅极结构；在所述基板上形成覆盖所述栅极结构的绝缘层，所述绝缘层的材质为氧化硅；对所述绝缘层进行惰性气体离子注入并对惰性离子注入后的绝缘层进行湿法蚀刻以去除部分的绝缘层；以及对所述绝缘层进行干法蚀刻以去除部分的绝缘层。本发明还提供上述方法制备得到的晶体管。所述晶体管的制备方法通过对湿法蚀刻前的绝缘层进行惰性气体离子注入，蚀刻后得到的绝缘层会具有均一的膜厚，进而提升晶体管的性能。
晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体结构的蚀刻停止层-CN201911116829.7有效
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体结构的蚀刻停止层与其形成方法。所述方法包括：在处理室中提供基础层；和直接在基础层上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有多个元素；其中所述多个元素包括硅(Si)元素，氮(N)元素和硼(B)元素；其中所述多个元素中的至少一者的浓度沿着所述蚀刻停止层的厚度方向呈梯度分布。
半导体结构蚀刻停止

[发明专利]半导体装置的制备方法-CN201910867285.1有效
发明人：崔锺武;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置的制备方法，包括：提供一基板，所述基板中形成有沟槽，所述沟槽的槽壁上附着有氮化钛，所述沟槽中填充有导电材料；对沟槽中的导电材料进行干法蚀刻以部分去除沟槽中的导电材料；对沟槽的槽壁进行惰性气体离子轰击；对沟槽的槽壁进行湿法蚀刻；以及在所述沟槽中的导电材料上形成绝缘材料。通过利用惰性气体离子轰击沟槽的槽壁，从而破坏沟槽的槽壁上附着的杂质和氮化钛与槽壁的结合，以便后续更好地蚀刻去除槽壁上附着的杂质和氮化钛，进而保证产品整体的性能。
半导体装置制备方法

[发明专利]半导体结构及制备方法-CN202010280451.0有效
发明人：崔锺武;金成基;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：半导体衬底，于所述半导体衬底中设置第一沟槽以及第二沟槽；所述第二沟槽设置于第一沟槽之间；栅叠层结构，填充于所述第一沟槽的下部；沟槽隔离结构，设置于所述第二沟槽内，且所述沟槽隔离结构包括空气隙。由于空气的介电常数较小，这样所述空气隙可以使所述沟槽隔离结构的介电常数减小，从而降低相邻字线的耦合作用，达到降低了相邻的有源区之间的行锤击效应，提高了半导体器件的可靠性。
半导体结构制备方法

[发明专利]离子布植装置及离子布植时捕集污染物粒子的方法-CN201911022505.7有效
发明人：朴兴雨;李河圣;崔钟武;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一离子布植装置及离子布植时捕集污染物粒子的方法。所述离子布植装置，包括：离子源；与所述离子源耦合的分析仪；与所述分析仪耦合的加速器；处理室，配置为从所述加速器接收掺杂物粒子；和收集板，设置在所述加速器和所述处理室之间，所述收集板具有主体，所述主体具有分别被捕集套结构部分覆盖的多个孔，其中所述捕集套结构定义了口袋开口且所述捕集套结构和所述孔共同形成收容腔。
离子装置布植时捕集污染物粒子方法

[发明专利]存储器件的制造方法及沉积半导体材料于基板的方法-CN201911043139.3有效
发明人：崔钟武;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器件的制造方法，包括提供半导体基板，在将温度由第一温度逐渐升温至第二温度的过程中沉积第一半导体材料；在维持所述第二温度的过程中，继续沉积所述第一半导体材料，两次沉积第一半导体材料形成位线接触点；并以相同的方法沉积第二半导体材料形成存储节点。本发明还提供一种沉积半导体材料于基板的方法。本发明的存储器件的制造方法不仅可以改善半导体层的孔洞和间隙，还可以节省制程的时间，提高制造效率。
存储器件制造方法沉积半导体材料

[发明专利]热处理系统-CN202010046344.1有效
发明人：崔致久;李殷廷;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种热处理系统，所述热处理系统包括外壳、加热器、和布置在所述外壳上的多个阀门。所述加热器用于增加所述外壳内的温度。所述多个阀门具有不同的尺寸，以均匀有效地控制所述外壳内的冷却操作。
热处理系统

[发明专利]离子注入方法和设备-CN201911116803.2有效
发明人：崔钟武;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入方法和设备。所述方法包括：将衬底放置在卡盘上；分析所衬底板以确定衬底的旋转位移；将离子注入到所述衬底中；以及当所述旋转位移基本为零时，将所述衬底旋转X次，并且每次以N度角旋转衬底；当旋转位移大于零时，将衬底旋转Y次并每次以M度角旋转衬底。
离子注入方法设备

[发明专利]用于离子源的灯丝、离子源及离子注入机-CN201911174571.6有效
发明人：朴兴雨;李河圣;崔钟武;金成基 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提出一种用于离子源的灯丝，所述灯丝能够在通电时释放热电子，所述灯丝的两端分别用于与电源连接，所述灯丝包括三个扭转部，位于中间的所述扭转部呈单重螺旋环状，位于两侧的所述扭转部呈多重螺旋环状，中间的所述扭转部形成的环的直径比两侧的所述扭转部形成的环的直径大。本发明将单重螺旋环的扭转部设于两个多重螺旋环的扭转部之间，多重螺旋环的扭转部释放热电子的效率高，而单重螺旋环的扭转部平衡多重的电流，使得灯丝既能保持释放热电子的效率，又降低了断路的风险。本发明还提供一种离子源及离子注入机。
用于离子源灯丝离子注入

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