“贺晓彬”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果214个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶圆对准方法、装置及半导体器件-CN202011142210.6在审
发明人：梁时元;南兑浩;贺晓彬;刘金彪;李亭亭;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，方法包括：采集整个晶圆的平整度数据，获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，所述预设位置的曝光场内包含用于进行晶圆对准的对准标记；判定所述位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；若不符合预设条件，则从所述晶圆上的其他曝光场中选取平整度数据符合预设条件的曝光场，并利用选取的曝光场内包含的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整图发生局部焦距异常，造成对准失败的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
对准方法装置半导体器件

[发明专利]晶圆对准方法、装置及半导体器件-CN202011142250.0在审
发明人：梁时元;南兑浩;贺晓彬;刘强;丁明正;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，方法包括：在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；若不符合预设条件，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败直接进行返工的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
对准方法装置半导体器件

[发明专利]曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法-CN202011142251.5在审
发明人：刘智龙;贺晓彬;丁明正;刘强;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种曝光图形位置偏差的校正系统及校正方法，系统包括用于承载掩模的掩模台、用于承载晶圆的晶圆台以及用于控制所述掩模台和所述晶圆台扫描作业的扫描设备，其特征在于，还包括设置在有效曝光区域之外的激光器和第一传感器；所述激光器位于所述掩模台承载掩模的一侧，所述第一传感器位于所述掩模台承载掩模侧的相对侧，并且所述激光器和所述第一传感器始终位于垂直于掩模台表面的直线上；在扫描曝光作业期间，所述激光器与所述第一传感器用于在进行掩模扫描过程中实时测量所述掩模的形变量，以由光刻机根据该形变量调整掩模与晶圆之间的相对位置，从而在不中断生产的条件下，即达到了校正曝光图形位置偏差的目的，也提升了产品生产效率。
曝光图形位置偏差校正系统方法

[发明专利]晶圆清洗设备及晶圆清洗方法-CN202011089747.0在审
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;刘强;丁明正 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗设备，该晶圆清洗设备包括清洗装置和控制器，清洗装置包括多个可移动的清洗液喷嘴，清洗液喷嘴用于向待清洗的晶圆的晶边喷涂清洗液，各个清洗液喷嘴中的清洗液的成分不同；控制器与清洗装置通信连接，控制器用于根据晶圆上的光刻胶的成分，选择一个或多个清洗液喷嘴向晶圆喷涂清洗液。本实施例提出的晶圆清洗设备通过设置多个清洗液喷嘴喷涂不同成分的清洗液，从而适应多种不同类型的光刻胶，并利用控制器根据光刻胶的成分选择清洗液，并控制对应的清洗液喷嘴移动，进而喷涂清洗液，提高了清洗效果，避免了因清洗液对光刻胶的溶解度低而导致的清洗不完全。
清洗设备方法

[发明专利]一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法-CN202011089756.X在审
发明人：金炫昌;刘金彪;杨涛;贺晓彬;唐波;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种隔离沟槽和隔离沟槽的制造方法。隔离沟槽，包括：在沟槽上的氧化物层，在所述氧化物层内的底部的氮化物衬垫，在所述氮化物衬垫内，且与氮化物衬垫的表面齐平的第一氧化物，以及在所述第一氧化物上的第二氧化物；所述第二氧化物与所述氧化物层的表面齐平。通过去除隔离沟槽中的部分沉积物质，再沉积第二氧化物，能够防止变成陷阱的热载流子电子在有源区产生沟道，从而避免热电子穿透效应产生的不良。
一种隔离沟槽制造方法

[发明专利]晶圆边缘曝光系统及方法-CN202011090371.5在审
发明人：崔栽荣;贺晓彬;杨涛;刘金彪;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆边缘曝光系统及方法。该曝光系统包括：升降平台，可沿其中心轴垂直升降，其上表面用于放置晶圆，晶圆包括中心区域和包围所述中心区域的边缘区域；曝光镜头，其曝光时可在焦平面产生环形光，该环形光的曝光区域与晶圆的边缘区域对齐；其中，晶圆的上表面涂覆有光刻胶，当曝光镜头进行曝光时，升降平台将晶圆的上表面送至曝光镜头的焦平面，对晶圆的边缘区域的光刻胶进行一次性曝光。本公开去除了马达结构，整个曝光系统非常简单，可以减少成本；对晶圆采用上下运动的方式代替了旋转方式，速度非常快，节省了工艺时间；采用一次性曝光方式，比起旋转方式的WEE，工艺时间非常短，提升了生产效率。
边缘曝光系统方法

[发明专利]光刻胶涂布设备及涂胶显影系统-CN202011090398.4在审
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶涂布设备及涂胶显影系统，其中，光刻胶涂布设备包括载台、驱动装置、供胶装置和第一柔性热电模块，其中，载台用于放置待涂布的晶圆；驱动装置与载台连接以带动载台旋转；供胶装置包括用于输送光刻胶的光刻胶管路；第一柔性热电模块用于调节温度，第一柔性热电模块与光刻胶管路连接。本发明提出的光刻胶涂布设备利用第一柔性热电模块对供胶装置的温度进行调节，避免了利用恒温水调温导致的安装不便以及泄露隐患，第一柔性热电模块不仅节省安装空间，而且提高了调温效果。
光刻布设涂胶显影系统

[发明专利]晶圆的CDSEM测量方法、装置及半导体器件-CN202011065494.3在审
发明人：李其衡;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆的CDSEM测量方法、装置及半导体器件，方法包括：步骤S1在当前晶圆上从所有位置点中进行位置点采样，利用CDSEM测量采样位置点的CD值，将采样位置点添加到抽样序列中；步骤S2在下一张晶圆上从除抽样序列中记录的位置点之外的其他位置点中进行位置点采样，并利用CDSEM测量采样位置点的CD值，将采样位置点添加到抽样序列中；继续执行步骤S2，直至抽样序列中记录的位置点能够覆盖整张晶圆上的所有位置点时，重置抽样序列并返回执行步骤S1。本案与现有技术中每张晶圆上只测量固定位置点相比，本发明在没有测量的地方也能进行测量，因此本发明在与现有技术花费相同时间条件下，可以使得晶圆的监控效果极大化。
cdsem 测量方法装置半导体器件

[发明专利]一种光刻胶涂覆方法及系统-CN202011077026.8在审
发明人：刘智龙;贺晓彬;刘强;丁明正 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻胶涂覆方法及系统。该光刻胶涂覆方法包括但不限于如下步骤：首先放置晶圆，先控制倾斜至预设角度的晶圆以预设速度持续旋转。然后再向倾斜的晶圆表面喷涂光刻胶，以使光刻胶均匀地分布。该光刻胶涂覆系统可包括但不限于旋转驱动装置、喷涂装置、角度调节装置、高度调节装置以及信息采集装置等。本公开创新地采用了向倾斜设置的晶圆表面涂覆光刻胶的方案，借助重力的作用促使光刻胶向晶圆边缘移动，有助于在提高光刻胶涂覆均匀性的同时明显地减少光刻胶的使用量。本公开还通过调节喷嘴高度的方式提高光刻胶涂覆的面积和均匀性，并通过调节晶圆倾斜角度的方式进一步减少光刻胶使用量和提高涂覆效果。
一种光刻胶涂覆方法系统

[发明专利]掩模盒盖固定夹及掩模盒-CN202011079687.4在审
发明人：梁贤石;金成昱;金帅炯;贺晓彬;刘金彪;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：本申请公开了一种掩模盒盖固定夹及掩模盒，掩模盒盖固定夹包括依次连接且一体成型的上壁板、中间壁板和下壁板，所述上壁板的外侧边与所述下壁板的外侧边之间形成所述掩模盒盖固定夹的开口，所述开口的尺寸小于所述中间壁板的高度。本申请实施例提供的掩模盒盖固定夹，用于固定掩模盒的顶盖板，固定更加牢固，顶盖板不能轻易脱离，从而避免了由于顶盖板脱离固定导致的前门板不能完全打开的问题，进一步避免了由于前门板不能完全打开导致的在通过掩模载卸臂从掩模盒中取出掩模时容易发生的前门板碰触掩模造成掩模损坏的问题，大大降低了在取掩模时掩模的破损率。
盒盖固定掩模盒

[发明专利]用于图案层对准的对准标记系统及对准方法-CN202011061653.2在审
发明人：梁时元;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于图案层对准的对准标记系统及图案层对准方法，系统包括：第一图案层上的第一标记和第二图案层上的第二标记；所述第一标记和所述第二标记能够组合为一个对准标记，以在形成第一图案层和第二图案层之上的第三图案层时，所述第一标记和所述第二标记用于将第三图案层的掩模与所述第一图案层和所述第二图案层对准。在不改变光刻机原有扫描算法基础上，由于第一图案层上的第一标记和第二图案层上的第二标记能够组合为一个完整的对准标记，因此通过一次扫描即可得到两个标记组合形成的完整对准标记在晶圆上的位置，并根据扫描得到的位置进行对准，从而缩短了扫描时间，可以提升晶圆生产效率。
用于图案对准标记系统方法

[发明专利]电容器、其制作方法及电子设备-CN202011036209.5在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种电容器、其制作方法及一种电子设备。本公开的电容器包括：所述电容器为圆台型，包括上电极、介电层、下电极、衬底，其中，下电极的远离衬底一侧的临界尺寸小于靠近所述衬底一侧的临界尺寸。所述方法包括：在衬底上制备圆台型氧化物层，所述圆台型氧化物层的顶部直径大于底部直径；在所述圆台型氧化物层的上表面、侧面及衬底上沉积形成第一氮化钛层，并通过回刻去除所述圆台型氧化物层上表面的第一氮化钛层；去除所述圆台型氧化物层，并在所述第一氮化钛层上沉积形成ZAZ介电膜；在ZAZ介电膜上沉积第二氮化钛层。本公开与现有技术相比的优点在于：(1)能够稳定的确保电容的底部临界尺寸。(2)稳定的管理电阻值和电容值。(3)电容的泄漏电流较小，改善了电容器的刷新特性。
电容器制作方法电子设备

[发明专利]一种可调狭缝装置、光刻机和调节狭缝的方法-CN202011017818.6在审
发明人：刘智龙;权炳仁;李大烨;贺晓彬;丁明正;刘强 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调狭缝装置、光刻机和调节狭缝的方法，包括：控制器、多个移动杆和多个调光窗；所述多个调光窗中的每两个在第一方向上相对布置，形成一对调光窗，每一对调光窗在垂直于第一方向的第二方向上呈依次排列；所述多个移动杆中的每个对应连接一个调光窗；所述控制器连接所述多个移动杆。通过控制器控制调光窗的透过率，不需要使用电机控制过滤棒移动，可以缩小透光窗的尺寸，增加透光窗的数量，从而快速且细微的调整关键尺寸一致性。并且，还能够提升产品的收率。
一种可调狭缝装置光刻调节方法

[发明专利]出胶喷嘴的清洗设备及清洗方法-CN202011017830.7在审
发明人：张成根;林锺吉;金在植;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种出胶喷嘴的清洗设备及清洗方法。所述出胶喷嘴的清洗设备，包括：清洗槽，在所述清洗槽内形成有多个用于安置出胶喷嘴的容纳腔；喷液部，所述喷液部设置在所述容纳腔的内壁上，用于向安置在所述容纳腔内的出胶喷嘴喷射清洗液；气体发生装置，所述气体发生装置设置在所述容纳腔的底部，所述气体发生装置用于在所述容纳腔的底部生成气体。本申请提出的清洗设备，可以利用喷液部对出胶喷嘴喷射清洗液，出胶喷嘴的端部浸泡在清洗液中，气体发生装置工作时在容纳腔的底部生成大量气泡，一部分气泡进入到出胶喷嘴的内部，并带动出胶喷嘴内部的清洗液翻动，从而对附着在出胶喷嘴内壁上的污染物形成冲击作用，进而清洗掉污染物。
喷嘴清洗设备方法

[发明专利]恒温控制系统及具有其的涂布显影装置-CN202011017833.0在审
发明人：林锺吉;张成根;金在植;贺晓彬;丁明正;刘强 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种恒温控制系统及具有其的涂布显影装置。恒温控制系统包括：输水管路；恒温控制器，在恒温控制器的内部设置有内部水路，输水管路和内部水路连接以形成水循环回路，在恒温控制器的内部还设置有布置在内部水路上的真空泵。本申请提出的恒温控制系统，其输水管路和恒温控制器的内部管路连接，从而形成水循环回路，输水管路和在其中循环流动的恒温水，用于保证涂布显影装置中的光刻胶或显影液处于恒温的状态。本申请中的恒温控制系统以真空泵作为水循环的动力源，以真空泵作为水循环的动力的方式，将现有的给水加压的方式改变为给水减压的方式，由此使得输水管路不易发生泄漏，进而可以避免因泄漏而导致产品质量事故的问题。
恒温控制系统具有显影装置