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[发明专利]基座以及物理气相沉积装置-CN201710554503.7有效
发明人：武学伟;王桐;董博宇;张军;郭冰亮;王军;张鹤南;徐宝岗;马怀超;刘绍辉;赵康宁;耿玉洁;王庆轩;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
基座及物理气沉积装置

[发明专利]半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法-CN202311047857.4在审
发明人：赵晋荣;李佳阳;杨光;董博宇;袁福顺;赵万辉 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种半导体器件、光器件及半导体结构的制造方法，其中所述制造方法包括：在衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的功能层和牺牲层，所述功能层和所述牺牲层由相同材料构成，所述牺牲层掺杂有n型或p型杂质，且所述牺牲层的掺杂浓度大于所述功能层；从所述叠层结构中选择性地去除所述牺牲层。
半导体器件器件半导体结构制造方法

[发明专利]一种磁控溅射装置和托盘检测方法-CN201910062031.2有效
发明人：李新颖;武学伟;刘玉杰;董博宇;文莉辉;武树波;杨依龙;郭冰亮;宋玲彦;赵晨光;马迎功;杨建;张家昊;陈玉静;张璐 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
一种磁控溅射装置托盘检测方法

[发明专利]冷却装置及其控制方法、半导体加工设备-CN201911251679.0有效
发明人：赵晨光;董博宇;郭冰亮;武学伟;马迎功;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;陈玉静;刘玉杰;张家昊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。
冷却装置及其控制方法半导体加工设备

[发明专利]一种光纤传输速率自匹配装置以及系统-CN202111546604.2有效
发明人：范大勇;董博宇 -专利权人：中航航空电子有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明属于计算机通信技术领域，尤其涉及一种光纤传输速率自匹配装置以及系统，所述光纤传输速率自匹配装置包括光耦合器、接口模块、速率接口、发光控制模块以及速率检测模块；所述光耦合器用于合光或者分光；所述接口模块设置有若干个，每个接口模块分别与所述光耦合器输出端的一条分光路和/或输入端的一条合光路连接；每个速率接口分别连接一个所述接口模块，每个速率接口被配置为适用不同的通信速度；所述发光控制模块与所述接口模块连接，用于根据接收到的控制信号控制所述接口模块的导通或者关闭；所述速率检测模块用于对所述速率接口的信息进行检测以生成控制信号并发送给所述发光控制模块。本发明实现了自动速率匹配激活，速度快。
一种光纤传输速率匹配装置以及系统

[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室和托盘的检测方法-CN202210617452.9有效
发明人：李世凯;董博宇;邓晓军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室和托盘的检测方法，工艺腔室包括工艺腔体、托盘、第一加热体、转轴组件以及红外测温器，其中：第一加热体包括第一加热板；托盘可转动地设于第一加热板的顶面上；转轴组件包括转轴和温度标记件，转轴穿设于第一加热板、且与第一加热板转动配合，转轴的第一端与托盘相连，使转轴能够随托盘转动，转轴的第二端延伸至凸出第一加热板的底面，温度标记件设置于转轴的第二端，且能够随转轴转动；红外测温器用于检测温度标记件的温度，温度标记件用于旋转至预设的温度检测位置时被红外测温器检测，以周期性地获得温度标记件的温度。上述方案能够同时检测托盘的温度和转速，且简化了设备的结构布局。
半导体工艺设备及其工艺托盘检测方法

[发明专利]野马追配方颗粒指纹图谱的构建方法及其标准指纹图谱和应用-CN202111487005.8有效
发明人：李雪利;高杰;曾永祯;孙福仁;高晗;廖明丽;李倩;董博宇;李军山;王亚涛;张睿智;牛金伟;张岩岩;路晓 -专利权人：神威药业集团有限公司;云南神威施普瑞药业有限公司;河北神威药业有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明提供一种野马追配方颗粒指纹图谱的构建方法及其标准指纹图谱和应用，属于药物检测技术领域，所述构建方法是先配制供试品溶液、参照药材溶液和对照品溶液，然后再以乙腈（A）和0.1~0.3wt%的磷酸水溶液（B）共同作为流动相，进行高效液相色谱检测，得野马追配方颗粒的指纹图谱；并利用所述构建方法获得野马追配方颗粒的标准指纹图谱，所述标准指纹图谱用于野马追配方颗粒的研究/开发/生产/临床应用全过程中质量评价或控制。本发明的野马追配方颗粒指纹图谱的构建方法，能够仅通过高效液相色谱法就可检测出野马追配方颗粒中的主要药材成分，全面反映野马追配方颗粒的质量状况。
野马追配方颗粒指纹图谱构建方法及其标准应用

[发明专利]承载装置及半导体加工设备-CN201911347255.4有效
发明人：张家昊;刘玉杰;李新颖;武学伟;董博宇;文莉辉;武树波;杨依龙;郭冰亮;宋玲彦;赵晨光;马迎功;杨建;陈玉静;张璐 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座及多个支撑组件；多个支撑组件均设置于基座上，且多个支撑组件相互配合以支撑托盘；支撑组件包括检测部，用于检测支撑组件上受到的压力值。本申请实施例实现了通过支撑组件可以直接对托盘进行检测，可以使得承载装置实现了能够及时发现托盘异常情况，对于无盘、倾斜及碎盘现象均可以通过支撑组件进行检测，从而可以避免承载装置上的托盘发生异常情况。
承载装置半导体加工设备

[发明专利]反应腔室及半导体工艺设备-CN202110830608.7有效
发明人：李世凯;董博宇;袁福顺;王磊磊;李晓军;赵东华;刘广政;徐柯柯;刘晶晶;孙小芹;宫兆辉;贾万泳;许利飞;董学;王铁然 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室及半导体工艺设备，该反应腔室包括隔热腔体、第一加热体、第二加热体和隔离防护结构，第一加热体和第二加热体间隔设置在隔热腔体中，第二加热体上设置有用于承载晶圆的承载装置；隔离防护结构设置在隔热腔体中，且位于第一加热体和第二加热体之间，围成一反应空间，并将第一加热体和第二加热体与反应空间隔离开，隔离防护结构靠近第二加热体一侧设置有开口，承载装置的承载面暴露在反应空间中；隔热腔体的两侧侧壁上分别设置有进气口和出气口，进气口和出气口与反应空间相连通。本发明提供的反应腔室及半导体工艺设备的技术方案，可以减少加热体上附着的反应副产物，从而可以提高设备维护效率，降低设备维护成本。
反应半导体工艺设备

[发明专利]一种光子无线集成的自适应感知通信一体化系统-CN202211070353.X在审
发明人：张俊文;董博宇;迟楠;王海鹏;贾俊连 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H04B10/90 文献下载
摘要：本发明属于感知通信一体化技术领域，具体为一种光子无线集成的自适应感知通信一体化系统；其包括一体化信号生成模块、中心局中的电/光转换模块、基站中的毫米波/太赫兹生成模块、用户端的通信接收及信号处理模块、基站中的信号接收及电/光转换模块、中心局中的光/电转换及雷达信号处理模块等模块。本发明系统有用于未来6G光子‑无线集成网络的潜力，利用光子的大带宽生成宽带毫米波/太赫兹信号；光纤分布式结构可与现有高速通信体系完美适配，集中分布式结构有利于减轻基站设备压力，充分利用中心局的计算能力；采用一体化自适应波形，可根据应用场景灵活调整感知通信带宽比，实现高速通信和高分辨率雷达传感间的权衡。
一种光子无线集成自适应感知通信一体化系统

[发明专利]PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法及系统-CN201911174232.8有效
发明人：陈玉静;杨洋;董博宇;郭冰亮;武学伟;马迎功;赵晨光;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;刘玉杰;张家昊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。
pvd 溅射设备晶圆按指定路径控制方法系统

[发明专利]应用于薄膜沉积装置的托盘-CN201911292324.6有效
发明人：马迎功;董博宇;郭冰亮;武学伟;武树波;赵晨光;翟洪涛;杨依龙;杨健;甄梓杨;宋玲彦;孙鲁阳;李新颖;刘玉杰;许文学;张璐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
应用于薄膜沉积装置托盘

[发明专利]一种基于环形连接结构的多相机同步曝光系统及方法-CN201910413316.6有效
发明人：陈水忠;董博宇;陈腾;黄涛 -专利权人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01C11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于环形连接结构的多相机同步曝光系统及方法，属于摄影测量技术领域，同步曝光系统包括N个相机，第i个相机的信号输出端连接第i+1个相机的信号输入端，i＝1、2、……、N‑1，且第N个相机的信号输出端连接第1个相机的信号输入端，各相机之间的连接构成环形连接结构。本发明通过将各相机串联连接成环形连接结构，由主相机产生并输出触发脉冲信号，环形连接结构中的其他相机依次转发该触发脉冲信号，最终由主相机接收该触发脉冲信号，然后计算主相机输出和发送触发脉冲信号的延时时间，结合相机总数计算得到控制相机同步曝光的曝光时刻，实现多相机同步曝光，同步精度较高，同步效果较好。
一种基于环形连接结构多相同步曝光系统方法

[发明专利]硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法和硅片-CN201810514237.X有效
发明人：王军;董博宇;李丽;郭冰亮;马怀超;武学伟;王桐;徐宝岗;刘绍辉;张鹤南;孙颖 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。
衬底沉积氮化薄膜方法硅片

[发明专利]工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810522206.9有效
发明人：武学伟;王军;董博宇;王厚工;丁培军;郭冰亮;耿玉洁;马怀超;王庆轩;李丽;徐宝岗;张鹤南;刘绍辉;王桐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
工艺腔室用匀流件半导体处理设备

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