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[发明专利]基座以及物理气相沉积装置-CN201710554503.7有效
发明人：武学伟;王桐;董博宇;张军;郭冰亮;王军;张鹤南;徐宝岗;马怀超;刘绍辉;赵康宁;耿玉洁;王庆轩;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本公开提供一种基座以及物理气相沉积装置。该基座包括：基座本体，具有一支撑面；支撑柱，位于所述基座本体的所述支撑面的中部区域；以及支撑件，位于所述基座本体的围绕所述支撑面的中部区域的周边区域，其中，所述支撑柱被配置为支撑待加工件，所述支撑件被配置为支撑盖环，在所述待加工件被所述支撑柱支撑且所述盖环被所述支撑件支撑时，所述盖环的至少靠近内侧的部分位于所述待加工件的上侧，且所述盖环与所述待加工件彼此分离。该基座或物理沉积装置通过支撑件支撑盖环，从而使得盖环不与待加工件接触，减小了待加工件所受的外部零件的压力。
基座及物理气沉积装置

[发明专利]硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法和硅片-CN201810514237.X有效
发明人：王军;董博宇;李丽;郭冰亮;马怀超;武学伟;王桐;徐宝岗;刘绍辉;张鹤南;孙颖 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种在硅衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括步骤S1、对待处理硅衬底进行预清洗，以去除待处理硅衬底表面的氧化层；步骤S2、将预清洗后的待处理硅衬底进行烘烤；步骤S3、对工艺腔室上的铝靶材进行预清洗，以去除铝靶材表面的氮化铝膜层；步骤S4、向工艺腔室内通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体后轰击预清洗后的铝靶材，以在预清洗后的待处理硅衬底表面沉积铝膜层，其中，惰性气体不与铝靶材发生反应；步骤S5、向工艺腔室内通入惰性气体和氮气，将惰性气体和氮气激发为等离子体后继续轰击铝靶材，以在步骤S4中获得的待处理硅衬底表面沉积氮化铝膜层。本发明还提供一种硅片，所述方法可以在硅衬底上制备高结晶质量的氮化铝膜层。
衬底沉积氮化薄膜方法硅片

[发明专利]工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810522206.9有效
发明人：武学伟;王军;董博宇;王厚工;丁培军;郭冰亮;耿玉洁;马怀超;王庆轩;李丽;徐宝岗;张鹤南;刘绍辉;王桐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
工艺腔室用匀流件半导体处理设备

[发明专利]一种原子层沉积设备及气体传输方法-CN201810361982.5有效
发明人： 徐宝岗 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积设备及气体传输方法。该设备包括旁通管路和冷却管路，所述冷却管路用于冷凝且存储至少一种前驱体，其中，所述旁通管路和所述冷却管路并联后连接在前驱体输入端和前驱体输出端之间，且所述前驱体输入端选择性地与所述旁通管路或所述冷却管路连通。本发明通过设置冷却管路以冷凝流经管路的前驱体，并将其存储在该段管路中，以防止多种前驱体同时进入真空泵，减少了真空泵中因多种前驱体的反应而产生粉末，降低了真空泵因粉末累积而发生卡死的风险，从而提高了真空泵运行的可靠性和寿命。
一种原子沉积设备气体传输方法

[发明专利]一种工艺设备-CN201710239705.2有效
发明人：赵康宁;董博宇;武学伟;王桐;王军;郭冰亮;李丽;耿玉洁;马怀超;王庆轩;徐宝岗;刘绍辉;张鹤南;李赫楠 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
一种工艺设备

[发明专利]测温装置、基座及反应腔室-CN201510715502.7有效
发明人：张军;武学伟;徐宝岗;董博宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种测温装置、基座和反应腔室。测温装置安装在基座上，其包括测温体、安装体和信号线，测温体的一端设置有测温电极，另一端固定在基座上的与测温电极的预设测温位置对应的位置处；安装体固定在基座上的预设安装位置处；信号线连接测温电极和安装体，用于将测温电极获得的测温信号自安装体引出。本发明提供的测温装置，不仅测温体可以采用更耐温的材料，从而可以避免高温变形而影响使用，而且还便于制作和加工精度高；另外，由于测温体和安装体各自与基座固定连接，这与现有技术相比，不仅可以对测温体进行单独更换，从而可以降低维护成本；而且还便于安装维护。
测温装置基座反应

[实用新型]一种气相反应粉体表面包覆机的旋转振动装置-CN202020502932.7有效
发明人：刘彦峰;王桐;徐宝岗 -专利权人：厦门韫茂科技有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B01J8/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气相反应粉体表面包覆机的旋转振动装置，涉及粉体表面包覆技术领域。其中，这种气相反应粉体表面包覆机的旋转振动装置，用以配置在粉体表面包覆机的箱体和内桶之间，箱体具有容腔，内桶可旋转的位于容腔。旋转振动装置包含：配置于内桶且自内桶向外凸起的撞击件、配置于容腔的腔壁且能够抵接于撞击件的限位件、用以连接限位件和箱体的底座。内桶能够旋转以使撞击件撞击限位件，使内桶振动。本实用新型的旋转振动装置，不需要额外的振源，利用内桶的转动来产生振动，振动和旋转同时进行，对粉末的具有很好的分散扰动效果，使得粉体之间能够很好的分散以充分跟反应气体接触，取得均匀且完整的包覆层，具有很好的实际意义。
一种相反体表面包旋转振动装置

[发明专利]冷却腔室及半导体加工设备-CN201610142784.0有效
发明人：王桐;武学伟;张军;董博宇;郭冰亮;王军;张鹤南;徐宝岗;马怀超;刘绍辉;赵康宁;耿玉洁;王庆轩;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其在冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向该第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却腔室壁；并且，在冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，托盘用于承载被加工工件，并且，在冷却腔室的腔室壁的至少部分内表面形成有黑色氧化层。本发明提供的冷却腔室，其可以提高对托盘的冷却效率，从而可以提高设备的产能。
冷却半导体加工设备

[发明专利]一种冷泵再生控制方法、装置及半导体加工设备-CN201711236067.5有效
发明人：张鹤南;杨洋;董博宇;徐宝岗;刘绍辉;武学伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： F04B49/06 文献下载
摘要：本发明提供一种冷泵再生控制方法、装置及半导体加工设备。冷泵再生控制方法包括以下步骤：步骤S1，至少一个冷泵接收到冷泵再生指令后开始再生；步骤S2，在冷泵再生时，监控所述冷泵的再生状态，若所述冷泵结束排气，则终止所述冷泵的再生；步骤S3，所述冷泵申请干泵的使用权，所述干泵的数量小于或等于所述冷泵的数量；步骤S4，若所述冷泵获得所述干泵的使用权，则再次开始所述冷泵的再生；步骤S5，监控所述冷泵的再生状态，若所述冷泵开始降温，则释放所述干泵的使用权。该冷泵再生控制方法减少了冷泵再生过程中占用干泵的时间，缩短了半导体加工设备的维护时间，从而间接提高了生产效率。
一种再生控制方法装置半导体加工设备

[发明专利]装卸手-CN201510778736.6有效
发明人：郭冰亮;董博宇;张军;武学伟;马怀超;徐宝岗;刘绍辉;张鹤南;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种装卸手，其包括承托件、压紧件和手柄，其中，承托件包括用于承载托盘的承载面；压紧件包括用于压住托盘的压紧面；手柄包括第一握持部和第二握持部，二者通过转动副连接，第一握持部与承托件连接，第二握持部与压紧件连接，并且承托件和压紧件位于转动副的一侧，而第一握持部和第二握持部位于转动副的另一侧；通过开合第一握持部和第二握持部，使压紧件与承托件相互分离，或者使压紧件与承托件夹持托盘；在压紧件上设置有弹性组件，用于在压紧件与承托件夹持托盘时，向托盘施加将其压紧在承托件上的弹力。本发明提供的装卸手，其可以夹持不同厚度的托盘，从而可以扩大应用范围，满足设备对不同厚度的托盘进行取放的需求。
装卸

[发明专利]一种原位膜厚监测方法及装置-CN201610480403.X有效
发明人：郭冰亮;董博宇;马怀超;武学伟;张军;刘菲菲;徐宝岗;张鹤南;崔亚欣;李新颖 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位膜厚监测方法及装置，该方法用于监测沉积在工艺腔室内的基片上的金属薄膜的厚度，其特征在于，工艺时，实时获取所述金属薄膜的电阻R，通过计算来获得所述金属薄膜的实时厚度t。本发明提供了一种新的原位膜厚监测方法，该方法基于方块电阻测试的思想，通过获取金属薄膜的电阻来计算获得金属薄膜的厚度，可实时监测金属薄膜的沉积过程，相对于现有技术中的通过电子束照射镀膜分析衍射图样的方法，本发明中的监测方法检测速度快、步骤简单、易于实施。
一种原位监测方法装置

[发明专利]沉积设备以及物理气相沉积腔室-CN201610407585.8有效
发明人：张军;董博宇;赵晋荣;武学伟;郭冰亮;徐宝岗;张鹤南;王桐;刘绍辉;王军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积设备，包括第一腔室、第二腔室以及第三腔室。第一腔室经配置用以载入基板。第二腔室配置用以提供高温环境，以使得基板于第二腔室内进行排气工艺以及溅射工艺。第三腔室设置于第一腔室以及第二腔室之间。第三腔室经配置用以将基板由第一腔室通过第三腔室直接传输至第二腔室。本发明还提供一种物理气相沉积腔室，包括腔室本体、靶材、承载底座以及热源；承载底座设置于腔室本体内，用以承载基板；热源设置于腔室本体内，热源经配置用以将腔室本体加热至高温环境，以对基板进行排气工艺以及溅射工艺。本发明提供的沉积设备以及物理气相沉积腔室，可省去额外的预热/排气腔室并进而达到减少设备体积与成本的效果。
沉积设备及物理气

[发明专利]加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备-CN201610407866.3有效
发明人：张军;徐宝岗;赵晋荣;武学伟;董博宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明揭示一种加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备。在物理气相沉积腔室中设置加热模块，该加热模块包括加热灯管，所述加热灯管经配置分布以构成加热区域，且所述加热区域于一投影方向上的投影覆盖所述基板的所述表面；所述加热灯管包括加热段以及非加热段，所述加热段对应所述加热区域，且所述加热段包括加热丝。本发明提供的加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备，既能够满足高温物理气相沉积工艺对基板的快速升温及快速降温的要求，又可直接应用于真空环境或大气环境内，应用范围较大；而且，当其应用于真空环境中时，加热灯管的热量损失更少，从而可进一步提高加热效率。
加热模块物理沉积以及设备

[发明专利]冷却腔室及半导体加工设备-CN201510797181.X有效
发明人： 徐宝岗;董博宇;张军;刘绍辉;武学伟;张鹤南;郭冰亮;王军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其包括承载装置、透视窗、反射镜和红外测温器，其中，透视窗设置在冷却腔室的腔室壁上，被加工工件辐射出的红外光线经由透视窗照射至反射镜上；反射镜设置在冷却腔室的外侧，用以将照射至反射镜上的红外光线反射至红外测温器；红外测温器用于接收由反射镜反射而来的红外光线，并根据红外光线的强度进行计算，而获得被加工工件的温度。本发明提供的冷却腔室，其可以避免因冷却速度过快或过慢而造成的晶片破裂或者薄膜质量恶化或者设备产能低下的问题。
冷却腔室红外光线红外测温器反射镜透视窗半导体加工设备被加工工件照射反射镜反射反射镜设置承载装置晶片破裂设备产能质量恶化腔室壁薄膜反射冷却辐射

[实用新型]半导体设备-CN201821184808.X有效
发明人：武学伟;董博宇;郭冰亮;李丽;徐宝岗;刘玉杰;武树波;杨依龙 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体设备，包括腔室和真空泵，还包括柔性密封管和真空泵支架，其中，所述柔性密封管连接在所述腔室的出口和所述真空泵的入口之间，以减小所述真空泵传递给所述腔室的震动；所述真空泵支架用于支撑所述真空泵。本实用新型将腔室与真空泵之间通过柔性密封管进行连接，并通过真空泵支架单独支撑真空泵，使得真空泵产生的震动和力不会传到腔室，避免了由于真空泵本身的震动引起的腔室震动，增加了半导体设备的稳定性。
真空泵腔室半导体设备柔性密封管真空泵支架震动本实用新型单独支撑减小传递支撑出口

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