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[发明专利]磁控管装置及磁控溅射设备-CN202210467364.5有效
发明人：郭浩;王厚工;李冬冬;佘清;杨玉杰;刘学滨 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种磁控管装置及磁控溅射设备，磁控管装置用于作用靶材组件而溅射粒子。磁控管装置包括第一磁控管、第二磁控管和第一驱动机构，其中：第一驱动机构与第一磁控管和第二磁控管均相连，第一驱动机构用于驱动第一磁控管和第二磁控管移动而使其中一者靠近靶材组件、且另一者远离靶材组件；在第一磁控管靠近靶材组件的情况下，第一磁控管与靶材组件的环带区域对应布置；在第二磁控管靠近靶材组件的情况下，第二磁控管与靶材组件的中部区域对应布置。上述方案能够防止靶材的中部区域沉积溅射粒子。
磁控管装置磁控溅射设备

[发明专利]烧结设备-CN202210422134.7在审
发明人：叶华;丁培军;刘红义;王厚工;赵佳彬;史全宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种烧结设备，其包括内壳体、外壳体和加热装置，其中，外壳体间隔地环绕在内壳体的周围；加热装置设置于外壳体与内壳体之间，用于对内壳体及其内部进行加热；内壳体围成用于容置待烧结件的封闭空间，且内壳体的材质为能够避免颗粒产生的致密性材质，并能够将封闭空间中的气体与内壳体之外的气体隔离。本发明提供的烧结设备，可以解决现有技术中产生大量颗粒和外界气体对烧结工艺产生影响等的问题。
烧结设备

[发明专利]工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810522206.9有效
发明人：武学伟;王军;董博宇;王厚工;丁培军;郭冰亮;耿玉洁;马怀超;王庆轩;李丽;徐宝岗;张鹤南;刘绍辉;王桐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
工艺腔室用匀流件半导体处理设备

[发明专利]工艺腔室及半导体处理设备-CN201910430077.5有效
发明人：侯珏;兰玥;佘清;李晓强;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺腔室及半导体处理设备，该工艺腔室包括腔室主体、与腔室主体的内部连通的遮蔽盘库和遮蔽盘，其中，在腔体主体中设置有基座和第一顶针机构；还包括传输机构，该传输机构包括传输手臂和控温装置，其中，传输手臂能够在腔室主体和遮蔽盘库之间移动，且能够支撑遮蔽盘；控温装置设置在传输手臂上，且在传输手臂移动至腔室主体的内部，且位于与由第一顶针机构承载的被加工工件相对的位置时，用以对被加工工件进行温度控制。本发明提供的工艺腔室，其可以提高温控效率和温控均匀性，而且不会对腔室内的其他零件带来不良影响。
工艺半导体处理设备

[发明专利]工艺套件及反应腔室-CN201810450085.1有效
发明人：刘建强;白志民;邱国庆;李强;邓斌;王厚工;丁培军;张兴 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司;北京大学软件与微电子学院
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺套件及反应腔室，在该工艺套件表面设置有花纹结构，该花纹结构包括多个凹部，每个凹部包括球形凹面。本发明提供的花纹结构，其不仅可以有效提高颗粒控制效果，而且不会对工艺套件表面造成损伤，从而提高了工艺套件的使用寿命。
工艺套件反应

[发明专利]磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件-CN201610929057.9有效
发明人：杨玉杰;丁培军;张同文;夏威;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01F41/18 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性薄膜叠层的沉积方法、磁性薄膜叠层及微电感器件，该沉积方法包括以下步骤：S1，在待加工工件上沉积粘附层；S2，沉积磁性/隔离单元；磁性/隔离单元包括至少一对交替设置的磁性膜层和隔离层。本发明提供的磁性薄膜叠层的沉积方法，可以增大磁性薄膜叠层的总厚度，从而可拓宽由其制备所得的电感器件的应用频率范围。
磁性薄膜沉积方法电感器件

[发明专利]静电卡盘及其制造方法-CN201810271475.2有效
发明人：叶华;史全宇;王厚工;郑金果 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供了一种静电卡盘，包括：电极，以及包覆在所述电极外的介质层；以及设置在所述介质层上表面的多个彼此独立的凸点；其中所述凸点由具有10‑4‑109Ω·cm电阻率的无氢非晶碳层构成。本申请还提供了制备这种静电卡盘的方法。采用无氢非晶碳作为静电卡盘上的凸点材料不仅耐磨、硬度高、电阻率低且耐高温。
静电卡盘及其制造方法

[发明专利]磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备-CN201611117907.1有效
发明人：杨玉杰;张同文;夏威;丁培军;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01F41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
磁性薄膜沉积设备

[发明专利]腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810493616.5有效
发明人：邱国庆;赵梦欣;白志民;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，包括：第一围挡部；自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部；自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部；第一围挡部、过渡连接部和第二围挡部共同形成工艺空间；过渡连接部上设置有第一收容结构，用于收容工艺腔室内产生的颗粒杂质。通过所设置的第一收容结构，能够有效收集工艺腔室内产生的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面，进而能够提高硅片的工艺良率，降低制作成本。
内衬工艺半导体处理设备

[发明专利]阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法-CN201810426236.X有效
发明人：郭万国;丁培军;王厚工;刘菲菲;宋海洋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法，该沉积方法用于在底材上形成阻挡层组，包括包括在底材上形成阻挡层组的步骤，该步骤包括：沿远离底材的方向依次沉积至少三层叠置的阻挡层来形成所述阻挡层组；其中，沉积最上层的阻挡层和沉积最下层的阻挡层时所采用的工艺气压低于沉积其余阻挡层时所采用的工艺气压，以提高最上层的所述阻挡层和最下层的所述阻挡层的致密性。本发明提供的阻挡层沉积方法，其可以顺利通过PCT试验，而且无需采用较高的工艺温度，从而可以避免产生TiW靶材脱靶等的严重影响产品良率的事件。
阻挡沉积方法金凸块底层金属薄膜及其制备

[发明专利]一种软磁薄膜及其制备方法-CN201610934742.0有效
发明人：张同文;杨玉杰;夏威;丁培军;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01F10/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种软磁薄膜及其制备方法。本发明的软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，每组层结构包括软磁材料层及位于软磁材料层上方的介质层，每组层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，第一粘结层和第二粘结层用于增强层结构的粘附性；其中，第一粘结层位于软磁材料层和介质层之间，和/或，第二粘结层位于介质层之上。本发明的软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，制备层结构的步骤包括：S1：溅射软磁材料层；S2：溅射介质层；在S1和S2之间还包括S3：在软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，在S2之后还包括S4：在介质层上溅射第二粘结层。
一种薄膜及其制备方法

[发明专利]磁控溅射腔室及磁控溅射设备-CN201710096324.3有效
发明人：张同文;杨玉杰;丁培军;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁控溅射腔室，包括基座；用于承载基片的所述基座的上表面倾斜设置，在承载基片时，用以使基片上沉积厚度较薄的基片区域相对沉积厚度较厚的基片区域距离靶材位的距离较近。本发明还提供一种包含该磁控溅射腔室的磁控溅射设备。该磁控溅射腔室和磁控溅射设备，可以获得薄膜厚度均匀性较好的薄膜。
磁控溅射设备

[发明专利]薄膜沉积方法-CN201710298706.4有效
发明人：张同文;耿波;高攀;罗建恒;武学伟;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。
薄膜沉积方法

[发明专利]磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备-CN201610929208.0有效
发明人：杨玉杰;张同文;夏威;丁培军;王厚工 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01F41/22 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
磁性薄膜沉积设备

[发明专利]一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件-CN201910294788.4有效
发明人：宋海洋;丁培军;王厚工;刘菲菲;高晓丽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件，该方法包括：预先设定用于为待填充沟槽加热的基座温度，采用预设溅射功率向所述待填充沟槽内分层顺序填充溅射薄膜层；在后填充的所述溅射薄膜层才覆盖在在先填充的所述溅射薄膜层的表面；在后填充时采用的所述预设溅射功率与在先填充时采用的所述预设溅射功率不同；各层次薄膜层的厚度总和满足预设薄膜厚度。在对具有高深宽比的沟槽中进行溅射薄膜层填充时，可以在预设的温度下，划分为多个功率等级进行填充。在填充时，可以采用回流和沉积交替的方式，能够有效防止槽口封闭而形成槽内空洞；功率由低到高循序渐进，能够有效避免沟槽底部钉穿失效，保证器件结构完整。
一种沟槽溅射薄膜填充方法器件

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