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[发明专利]一种金属化合物薄膜的制备方法-CN202111123778.8有效
发明人：马迎功;郭冰亮;武树波;赵晨光;周麟;宋玲彦;杨健;甄梓杨;翟洪涛;段俊雄;师帅涛;许文学;张璐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
一种金属化合物薄膜制备方法

[发明专利]一种磁控溅射装置和托盘检测方法-CN201910062031.2有效
发明人：李新颖;武学伟;刘玉杰;董博宇;文莉辉;武树波;杨依龙;郭冰亮;宋玲彦;赵晨光;马迎功;杨建;张家昊;陈玉静;张璐 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
一种磁控溅射装置托盘检测方法

[发明专利]冷却装置及其控制方法、半导体加工设备-CN201911251679.0有效
发明人：赵晨光;董博宇;郭冰亮;武学伟;马迎功;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;陈玉静;刘玉杰;张家昊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。
冷却装置及其控制方法半导体加工设备

[实用新型]半导体设备的工艺腔室及半导体设备-CN202320633512.6有效
发明人： 宋玲彦;郭冰亮;马迎功;赵晨光;杨健;周麟;冯颜召 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体设备的工艺腔室及半导体设备，包括遮蔽盘和可升降的基座，基座用于将待加工工件传输至工艺位置或者装卸位置，遮蔽盘用于遮蔽基座上的待加工工件，遮蔽盘的朝向基座的一侧设置有第一加热部件，基座设置有第二加热部件，第一加热部件和第二加热部件用于在预溅射工艺时同时对待加工工件进行加热，其中，待加工工件包括晶圆以及承载晶圆的承载盘。本实用新型提供的半导体设备的工艺腔室及半导体设备，能够降低承载盘破碎的风险，提高承载盘的使用稳定性及寿命。
半导体设备工艺

[实用新型]电源引入板及半导体工艺设备-CN202223078714.3有效
发明人：赵晨光;郭冰亮;杨健;冯颜召;马迎功;宋玲彦;周麟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体工艺技术领域，具体而言，涉及一种电源引入板及半导体工艺设备。该电源引入板具有电流引入部和电流调节缝；电流引入部用于外接电源，以馈入射频；电流调节缝设置于电源引入板的边缘与电流引入部之间部位，且沿电源引入板的厚度方向，电流调节缝贯通于电源引入板的两端面，半导体工艺设备包括上述电源引入板。采用本申请所提供的技术方案，能够改变电源引入板及与之对应的靶材上电流的分布，以补偿高频、甚高频射频电流的不对称性，使薄膜偏厚的部位变薄，进而改善溅射薄膜厚度偏心的问题，优化薄膜均匀性。
电源引入半导体工艺设备

[发明专利]预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法-CN202111006316.8有效
发明人：赵晨光;郭冰亮;马迎功;宋玲彦;杨健;周麟;武树波;许文学;翟洪涛;甄梓杨 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还包括防干扰装置，防干扰装置设置于加热组件的用于与电源连接的一端，防干扰装置用以防止承载组件加载射频功率后干扰加热组件的电信号。本发明能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高待处理件的预处理效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。
预处理半导体方法加工设备

[发明专利]承载装置及半导体加工设备-CN201911347255.4有效
发明人：张家昊;刘玉杰;李新颖;武学伟;董博宇;文莉辉;武树波;杨依龙;郭冰亮;宋玲彦;赵晨光;马迎功;杨建;陈玉静;张璐 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座及多个支撑组件；多个支撑组件均设置于基座上，且多个支撑组件相互配合以支撑托盘；支撑组件包括检测部，用于检测支撑组件上受到的压力值。本申请实施例实现了通过支撑组件可以直接对托盘进行检测，可以使得承载装置实现了能够及时发现托盘异常情况，对于无盘、倾斜及碎盘现象均可以通过支撑组件进行检测，从而可以避免承载装置上的托盘发生异常情况。
承载装置半导体加工设备

[发明专利]晶圆承载装置及半导体工艺设备-CN202010604530.2有效
发明人：武树波;郭冰亮;武学伟;许文学;刘玉杰;李新颖;马迎功;赵晨光;宋玲彦;张璐;陈玉静 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括托盘支撑部、多个夹持组件、支撑架和用于放置晶圆的托盘；托盘支撑部与支撑架相连接，多个夹持组件沿托盘的周向间隔设置，多个夹持组件围成托盘夹持空间，托盘夹持空间用于放置托盘；夹持组件包括弹性件和导向部，导向部远离托盘的一端与托盘支撑部转动连接，弹性件设置在导向部靠近托盘的一端与托盘支撑部之间；在托盘放入托盘夹持空间的情况下，导向部在托盘的压力作用下发生转动，弹性件被压缩，在将托盘导入托盘夹持空间底部的同时对托盘进行对中。上述方案能够解决托盘在转运的过程中，容易使得托盘在晶圆承载装置内的安装位置发生变化，而导致的晶圆的成膜质量较差的问题。
承载装置半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺腔室-CN202110831205.4在审
发明人：杨健;郭冰亮;武树波;宋玲彦;马迎功;赵晨光 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室。该半导体工艺腔室包括：承载装置包括基座及环绕基座设置的沉积环；屏蔽组件包括一体成型的屏蔽套筒和压环部，屏蔽套筒的顶部与腔室本体固定连接，用于与腔室本体形成接地回路，压环部环绕沉积环设置，且用于与沉积环导电接触；连接套筒环绕屏蔽套筒设置，并且连接套筒的顶部与腔室本体固定连接，连接套筒与屏蔽套筒的底部导电连接，用于在屏蔽组件与腔室本体之间形成接地回路；接地组件设置于基座下方，当基座上升至沉积环与压环部导电接触时，接地组件用于与连接套筒形成接地回路。本申请实施例能避免甚高频工艺条件下各结构之间出现打火及起辉现象，从而大幅提高了工艺稳定性及降低颗粒污染问题。
半导体工艺

[实用新型]半导体工艺设备的上电极装置及半导体工艺设备-CN202221469199.9有效
发明人：杨健;郭冰亮;武树波;赵晨光;宋玲彦;马迎功;周麟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备的上电极装置及半导体工艺设备，所公开的上电极装置包括基部、射频馈入柱、扩散板、筒状结构件、磁控管和靶材，其中：射频馈入柱设于基部的中心，射频馈入柱具有馈入端，馈入端与扩散板相连，扩散板固定在筒状结构件的第一端口，靶材固定在筒状结构件的第二端口，磁控管设于筒状结构件之内；射频馈入辅助机构设于扩散板和筒状结构件的至少一者上，以使射频馈入柱馈入的射频能量在扩散板上均匀分布。上述技术方案能够解决PVD腔室结构无法满足RF能量馈入的均匀性而对沉积薄膜的厚度的均匀性产生影响的问题。
半导体工艺设备电极装置

[发明专利]PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法及系统-CN201911174232.8有效
发明人：陈玉静;杨洋;董博宇;郭冰亮;武学伟;马迎功;赵晨光;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;刘玉杰;张家昊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。
pvd 溅射设备晶圆按指定路径控制方法系统

[发明专利]应用于薄膜沉积装置的托盘-CN201911292324.6有效
发明人：马迎功;董博宇;郭冰亮;武学伟;武树波;赵晨光;翟洪涛;杨依龙;杨健;甄梓杨;宋玲彦;孙鲁阳;李新颖;刘玉杰;许文学;张璐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
应用于薄膜沉积装置托盘

[发明专利]半导体加工设备及对半导体加工设备进行清理的工艺-CN202110161102.1有效
发明人：赵晨光;郭冰亮;马迎功;宋玲彦;杨健;武树波;许文学;张璐;甄梓杨;翟洪涛 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体加工设备及对半导体加工设备进行清理的工艺，所公开的半导体加工设备包括反应腔室、升降驱动装置、屏蔽件和靶材；升降驱动装置用于驱动反应腔室内承载晶片的托盘在第一位置与第二位置之间移动；屏蔽件设于反应腔室的侧壁；靶材设于反应腔室内，且靶材与托盘相对设置；在托盘位于第一位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第一距离，且屏蔽件的第一区域位于托盘背离靶材的一侧；在托盘位于第二位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第二距离，第一距离小于第二距离。上述方案能够解决半导体加工设备在生产过程中由于溅射电压过高而影响半导体加工设备的产能及其生产的产品的良率问题。
半导体加工设备对半导体进行清理工艺

[发明专利]金属氮化物薄膜沉积方法-CN202011469751.X有效
发明人：马迎功;郭冰亮;武树波;师帅涛;赵晨光;杨健;宋玲彦;甄梓扬;翟洪涛;许文学;张璐;崔亚欣;段俊雄;孙鲁阳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的杂质，并与衬底表面上的金属原子反应形成金属氮化物缓冲层；S3、进行溅射工艺，以在金属氮化物缓冲层上沉积形成金属氮化物薄膜。本发明实施例提供的金属氮化物薄膜沉积方法，其不仅可以完全去除衬底的水汽和与衬底表面结合较紧固的杂质，而且还可以减少金属氮化物薄膜的应力，从而可以提高金属氮化物薄膜性能。
金属氮化物薄膜沉积方法

[发明专利]半导体工艺设备及其承载装置-CN202210585258.7在审
发明人：武树波;郭冰亮;宋玲彦;师帅涛;贾仙林 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括：托盘、基座及顶针组件；托盘上设置有承载结构，承载结构沿竖直方向贯穿托盘，用于在水平方向上承载多个晶圆；基座上设置有顶抵结构，顶抵结构与承载结构对应设置，用于在托盘叠置于基座上时，穿过承载结构以承载多个晶圆，并且能使多个晶圆均朝向基座的中心倾斜一预设角度；顶针组件设置于基座的底部，用于带动托盘相对于基座升降，以使托盘能选择性位于基座上方，或者叠置于基座上。本申请实施例实现了多个晶圆的膜厚均匀性较高，以及使得多个晶圆之间的膜厚均匀性较佳，进而大幅提高产品良率。
半导体工艺设备及其承载装置

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