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[发明专利]水平增强型氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法-CN202210624808.1在审
发明人：冯倩;王文涛;蔡云匆;王正兴;高虎虎;张雅超;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平增强型氧化镓MOSFET器件结构和制作方法，主要解决常规氧化镓耗尽型MOSFET栅极零偏时不能关断和静态功耗大的问题。其自下而上包括：衬底(1)，缓冲层(2)和沟道层(3)，该沟道层(3)中间的上部依次设有高浓度为2.3*1019‑3.6*1019cm‑3p+NiO薄膜层(4)和低浓度为5.1*1017‑5.8*1017cm‑3p‑NiO薄膜层(5)，该p‑NiO(5)的上表面设有栅电极(8)，沟道层上表面的左右两侧分别为源极(6)和漏极(7)。本发明在栅极零偏时能关断器件，降低静态功耗、且制作工艺简单，降低了制作成本和难度，可用于作为功率器件和高压开关器件。
水平增强氧化金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法-CN202010864740.5有效
发明人： 张进成;郝璐;刘志宏;刘俊伟;宋昆璐;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构及制备方法，该器件材料结构包括：硅衬底层(1)；高热导率介质层(2)，位于所述硅衬底层(1)的上表面，且与所述硅衬底层(1)之间形成凹凸不平的第一图案化界面；缓冲层(3)，位于所述高热导率介质层(2)的上表面，且与所述高热导率介质层(2)之间形成凹凸不平的第二图案化界面；沟道层(4)，位于所述缓冲层(3)的上表面；复合势垒层(5)，位于所述沟道层(4)的上表面。该低热阻硅基氮化镓微波毫米波器件材料结构中，高热导率介质层与硅衬底层以及缓冲层之间均形成凹凸不平的图案化界面，增大了界面的接触面积，降低了界面热阻，从而减小了器件的热阻，提高了器件的散热性能。
低热阻硅基氮化微波毫米波器件材料结构制备方法

[发明专利]基于n-GaN/p-GaSe/石墨烯异质结的自驱动超宽光谱光电探测器及制备方法-CN202011101554.2有效
发明人：宁静;周宇;王东;沈雪;张弛;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种自驱动超宽光谱的光电探测器，主要解决现有技术自驱动性能低和可探测光谱窄的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、缓冲层(2)、n型GaN层(3)，n型GaN层上方的两侧分别设有p型层(4)与Ni/Au电极(6),该缓冲层采用磁控溅射氮化铝层(21)和石墨烯层(22)双层结构，该GaSe层的上方一侧及与Ni/Au电极之间设有石墨烯层(5)，该GaSe层(4)上方的另一侧设有Au电极(7)，其与GaSe层形成肖特基接触；石墨烯层分别与Ni/Au电极和Au电极之间相互隔离。本发明提升了探测器的自驱动性能，拓展了探测器的可探测光谱范围，可用于成像，光通信，传感和生物医学。
基于 gan gase 石墨烯异质结驱动光谱光电探测器制备方法

[发明专利]基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法-CN201910465077.9有效
发明人：张雅超;马德璞;许晟瑞;王学炜;张进成;马佩军;张春福;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于P型掺杂AlScN/AlScN超晶格势垒层的高效发光二极管及制备方法，主要解决现有p型区空穴注入效率低，量子阱当中存在电子泄漏的问题。其自下而上包括：氧化镓衬底层、高温AlN成核层、n型GaN层，n型GaN层的上面设有电极和工作区层，工作区层的上面依次设有电子阻挡层、p型层和电极，该工作区层包含六个周期AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN的多量子阱层和一个势垒层，且势垒层采用P型掺杂AlmSc1‑mN/AlnSc1‑nN超晶格结构，以实现与电子阻挡层间的电子耗尽，本发明减少了电子泄漏，降低了空穴注入势垒，提高了量子阱中空穴浓度，可用来制做高效率的紫外和深紫外发光设备。
基于掺杂 alscn 晶格势垒层高效发光二极管制备方法

[发明专利]交错调制型双向阻断器件及其制作方法-CN202210599885.6在审
发明人：毛维;裴晨;杨翠;彭国良;杜鸣;马佩军;郑雪峰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种交错调制型双向阻断器件，主要解决现有器件只能单向阻断及开启电压高的问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，钝化层左侧设有源极；势垒层和钝化层的右侧设有凹槽阳极；钝化层和凹槽阳极的上表面设有互连金属；互连金属下方设有N个左阵列块与M个右阵列块，这些阵列块的下部均位于过渡层内；源极与左阵列块之间的钝化层内部设有窗口，其内依次设有P型块和i‑GaN块和栅极，该栅极、源极、阵列块及凹槽阳极构成HEMT结构，并与由阵列块、凹槽阳极及与其接触的半导体材料所构成的二极管复合，形成双向阻断器件。本发明能降低开启电压，实现双向阻断并提升阈值电压，可用于电力电子系统。
交错调制双向阻断器件及其制作方法

[发明专利]基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED器件及制备方法-CN202210657492.6在审
发明人：许晟瑞;胡琳琳;王雨佳;张涛;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于In原子扩散进入多量子阱的红光LED及制备方法，主要解决现有红光LED高In组分InGaN生长困难，In原子偏析严重，量子限制斯塔克效应显著，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底层(1)、AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、InxGa1‑xN/GaN多量子阱(4)、电子阻挡层(6)和p型层(7)，该p型层上设有正电极(8)，该n型GaN层上设有负电极(9)，该多量子阱与电子阻挡层之间溅射有金属In层(5)，通过热扩散，使得多量子阱层中In组分增加，发射波长变长。本发明提高了发光二极管效率，可用于制作高效率的发射红光器件，实现氮化物的全色显示。
基于 in 原子扩散进入多量红光 led 器件制备方法

[发明专利]一种基于GaN MIS-HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法-CN202210384985.7在审
发明人：刘志宏;唐从威;樊雨佳;陈淑莹;邢伟川;冯欣;杨伟涛;段小玲;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN MIS‑HEMT结构的太赫兹探测器及其制备方法，太赫兹探测器包括：衬底层；复合缓冲层，设置于所述衬底层之上；沟道层，置于所述复合缓冲层之上；势垒层，设置于所述沟道层之上；源电极、漏电极和栅电极，所述源电极、所述漏电极和所述栅电极均设置于所述势垒层之上，且所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；绝缘介质层，设置于所述势垒层和所述栅电极之间。本发明在太赫兹探测器里面引用基于半导体领域的GaN MIS‑HEMT结构，并在GaN HEMT太赫兹探测器的栅电极下面引入绝缘介质层，利用GaN MIS‑HEMT结构降低栅电流，降低栅极闪烁噪声，从而达到改善太赫兹探测器噪声等效功率的性能，提升探测器的灵敏度。
一种基于 gan mis hemt 结构赫兹探测器及其制备方法

[发明专利]一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法-CN202210269820.5在审
发明人：朱家铎;尚蔚;许晟瑞;党魁;张金风;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种GaN/BGaN/GaN结构的PIN多用途二极管及其制备方法，通过使用MOCVD工艺在GaN的N型层2上生长B含量可调的BGaN本征层3，来高效调制本征层载流子寿命，满足快恢复、微波开关等多种需求。同时本发明使得BGaN/GaN异质结处二维电子气浓度降低，可以减小器件的寄生电容。
一种 gan bgan 结构 pin 多用途二极管及其制备方法

[发明专利]基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法-CN202210183114.9在审
发明人：许晟瑞;彭若诗;江青聪;范晓萌;苏华科;张涛;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-02-27 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于C掺杂电流扩展层的GaN基发光二极管及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底层上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长U型GaN层；在U型GaN层上生长第一层n型GaN层；在第一层n型GaN层上生长第二层C掺杂GaN层；在第二层C掺杂GaN层上生长第三层n型GaN层；在第三层n型GaN层上生长多量子阱结构；在多量子阱结构上生长p型GaN层；刻蚀n型电极接触区，以暴露第一层n型GaN层；在n型电极接触区的第一层n型GaN层上沉积n型电极和在p型GaN层上沉积p型电极，以完成GaN基发光二极管的制作。本发明提出一种基于C掺杂的GaN基发光二极管的制备方法，用掺C的GaN层作为电流扩展层，提高LED的性能和可靠性，方法简单，无需引入额外生长源和工艺步骤。
基于掺杂电流扩展 gan 发光二极管及其制备方法

[发明专利]具有漏电极埋层的氮化镓基晶体管结构及制备方法-CN202210425090.3在审
发明人：徐美;刘志宏;冯时;李凯;邢伟川;周瑾;李祥东;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有漏电极埋层的氮化镓基晶体管及制作方法，主要解决现有技术漏电极泄露电流大，器件击穿电压低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、复合缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)和钝化层(5)，该复合缓冲层中设有P型埋层(6)，该势垒层表面设置有源电极(7)、漏电极(8)和栅电极(9)。其中沟道层与势垒层之间形成异质结界面，漏电极依次穿过势垒层和沟道层，进入复合缓冲层中的P型埋层。本发明通过引入与漏电极相连接的P型埋层，有效抑制了关断状态时从漏电极泄露的电子，降低了漏电极泄露电流，且辅助器件沟道中的二维电子气耗尽，扩展了器件的空间电荷区，提高了关态击穿电压，可用于电力电子系统。
具有漏电极埋层氮化晶体管结构制备方法

[发明专利]基于SiC衬底的准垂直GaN PIN与SBD集成式器件-CN202210577589.6在审
发明人：周弘;杨慧玲;党魁;张进成;霍树栋;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SiC衬底的准垂直GaN PIN与SBD集成式器件，主要解决现有技术分立式PIN二极管用于多级限幅电路时功率容量受限，响应速度慢，集成度低的缺点。本发明碳化硅衬底(1)的上方淀积n+层(2)，n+层(2)的上方并列淀积n‑层(31)、公共阴极(5)、n‑层(32)，n‑层(31)的上方依次淀积p+层(4)、PIN结阳极(6)，n‑层(32)的上方淀积肖特基结阳极(7)。本发明将GaN PIN与SBD通过共阴极的方式集成在同一碳化硅衬底上，同时PIN管与SBD管均设置为准垂直结构。本发明器件耐压特性好，频率响应快，用于限幅电路时可显著提升功率容量，降低响应时间，可应用于大功率限幅电路中。
基于 sic 衬底垂直 gan pin sbd 集成器件

[发明专利]一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202210232493.6在审
发明人：李祥东;袁嘉惠;王萌;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中，势垒层的两侧分别设置有第一隔离区和第二隔离区；第一隔离区和第二隔离区的内侧分别设置有漏电极和源电极，漏电极和源电极的至少一部分均镶嵌在势垒层中，漏电极和源电极的下表面均与沟道层接触；漏电极与源电极之间的势垒层上开设有栅极区凹槽，栅极区凹槽的内表面及势垒层的上表面涂覆有双层钝化层；位于栅极区凹槽内的双层钝化层上设置有栅电极。本发明通过双层钝化层在垂直沟道方向形成绝缘层，阻断了载流子在垂直方向的运输，使得器件具有界面态缺陷密度低，PBTI效应小，阈值电压稳定的特性。
一种 gan 双层钝化凹槽增强 mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]基于硅钝化的p-GaN栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202210233913.2在审
发明人：李祥东;王萌;袁嘉惠;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅钝化的p‑GaN栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次设置的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，所述势垒层的两侧分别开设有隔离区，所述隔离区自所述势垒层的上表面延伸至所述缓冲层的上表面；所述势垒层的上表面的中间位置自下而上依次设置有帽层、钝化层、氧化层和栅电极，所述势垒层的上表面两侧分别设置有源电极和漏电极。本发明通过在帽层上淀积钝化层，能够隔离氧化层与势垒层，大幅度钝化p‑GaN材料的表面态和缺陷，有效提升p‑GaN栅极耐压性，改善器件的阈值电压漂移，增大输出电流，减小栅极泄露电流。
基于钝化 gan 增强 mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202010814955.6有效
发明人：许晟瑞;艾立霞;马德濮;张雅超;段小玲;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种低欧姆接触电阻的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，其中，该晶体管包括：自下而上依次层叠的衬底层、Ga极性GaN层和势垒层；源区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部；漏区，位于Ga极性GaN层和势垒层内部，且与源区间隔设置；源极，设置在源区的上表面；漏极，设置在漏区的上表面；栅极，设置在势垒层的上表面，且位于源极和漏极之间；其中，势垒层的材料为n型AlxGa1‑xN，其中，0≤x≤1，源区和漏区均包括自下而上依次层叠的氮化的蓝宝石层和N极性GaN层。本发明的晶体管，采用了Ga极性GaN材料来实现AlxGa1‑xN/GaN异质结，保证高的电子迁移率，在N极性GaN材料上制作了源漏区欧姆接触电极，实现良好的欧姆接触，有效地降低了欧姆接触电阻。
欧姆接触电阻 gan 电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种基于GaN的横向结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202010887566.6有效
发明人：赵胜雷;朱丹;张进成;张春福;王中旭;张苇杭;吴银河;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GaN横向结势垒肖特基二极管及其制备方法，此势垒肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；P注入区，设置于缓冲层、插入层和势垒层内，位于缓冲层、插入层和势垒层的一端，P注入区包括若干P区和若干N区，且两个相邻所述P区之间未进行P注入的区域由于存在二维电子气即为N区；阳电极，位于P注入区的上表面；阴电极，位于势垒层的上表面，且位于势垒层远离阳电极的一端。本势垒肖特基二极管及其制备方法，通过P注入区与二维电子气形成梳状的横向PN结，有效屏蔽低势垒高度的肖特基结，可以抑制肖特基势垒降低效应及控制反向漏电流，提高击穿电压，同时保持较低的开启电压。
一种基于 gan 横向结势垒肖特基二极管及其制备方法