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[发明专利]一种基于P型氮化物隔离的P-GaN晶体管及其制备方法-CN202310840388.5在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;于龙洋;王中旭;宋秀峰;刘志宏;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种基于P型氮化物隔离的P‑GaN晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、位于势垒层上的源极和漏极、位于势垒层上的隔离层、氮化物层以及钝化层以及位于氮化物层上的栅极；源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触，钝化层位于源极和氮化物层之间、氮化物层与漏极之间；隔离层与沟道层形成pn结，用于耗尽沟道层中的二维电子气，形成器件之间的隔离；栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例提供一种新型器件隔离方法，取消了常规P‑GaN器件的台面刻蚀工艺，不仅减小了刻蚀损伤，还降低了成本；同时还能够降低泄漏电流，提高器件的击穿电压。
一种基于氮化物隔离 gan 晶体管及其制备方法

[发明专利]一种土木建筑用夯实器-CN202311113847.6在审
发明人：刘军华;刘培香;殷化臣;钟学轩;王中旭 -专利权人：济南一建集团有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： E02D3/046 文献下载
摘要：本发明公开了一种土木建筑用夯实器，属于施工设备技术领域，包括松土筛石一体的夯土头、电机仓、减震自降尘机构、液压伸缩杆和车体。本发明具体是指一种土木建筑用夯实器；本发明通过对传统夯实器进行改良，将松土机构、筛石机构和夯土头一体设计，并将降尘功能添加至减震机构中，在添加多种功能的同时保证了夯实器的灵活性，操作简单，可在多种场景中使用，解决了传统夯实器功能单一与多功能夯土器体积较大的缺点，减少了作业中人力与机器的成本并通过夯土前的松土、筛石以及初次压平提升了夯实后地基的质量。
一种土木建筑夯实

[发明专利]一种电路板的制备方法以及电路板-CN202310459626.8在审
发明人： 王中旭 -专利权人： 王中旭
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明属于电路板制备技术领域，尤其涉及一种电路板的制备方法以及电路板，该方法包括以下步骤：步骤二：将丝印完成的PCB板添加到制备装置中，利用遮挡件对PCB板上的焊点和焊盘部位进行遮挡；步骤三：对PCB板上的绝缘涂层进行烘干处理，使得焊点和焊盘部位的绝缘漆处于半烘干状态，其他部位处于完全烘干状态；步骤四：利用覆盖件对除焊点和焊盘的其他部位进行覆盖，将焊点和焊盘部位露出；步骤五：使用清洗液对PCB板露出的绝缘漆进行清洗处理，去除焊点和焊盘部位半烘干的绝缘漆；该方法能够在清洗焊点和焊盘部位的绝缘漆时对其他部位进行遮挡，避免清洗液将PCB板其他部位的绝缘漆稀释。
一种电路板制备方法以及

[发明专利]锂离子电池三元正极材料表面包覆碳的处理方法及燃烧装置-CN202111147814.4有效
发明人： 王中旭 -专利权人：陕西君普新航科技有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池三元正极材料表面包覆碳的处理方法及燃烧装置，该处理方法为：将碳源置于乙醇和丙酮的混合溶液，磁力搅拌后过滤，获得黑色溶液；将氢氧化锂(LiOH)、柠檬酸溶于所述黑色溶液中，搅拌均匀后烘干，获得第一黑色粉末；将所述第一黑色粉末、NCM正极材料粉体以及PVA混合，球磨后，获得第二黑色粉末；将所述第二黑色粉末在燃烧装置内经火焰燃烧法，即可得到表面包覆碳的NCM三元正极材料粉体。本发明所制备的三元NCM正极材料具有良好的循环稳定性，采用火焰燃烧法，快速固化腐殖酸，既形成了有效的碳包覆，又通过臭氧的强氧化作用防止烧结过程中包覆碳对NCM表面氧的夺取，有效抑制了晶格氧的逸失。
锂离子电池三元正极材料表面包覆碳处理方法燃烧装置

[发明专利]一种交直流避雷器实时在线监测装置-CN201710261792.1有效
发明人：尹立群;胡军;郭丽娟;王中旭;张玉波;欧阳勇;张炜;何金良;颜海俊;王善祥 -专利权人：广西电网有限责任公司电力科学研究院;清华大学
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种交直流避雷器实时在线监测装置，涉及电力系统量测和在线监测技术领域。所述的交直流避雷器实时在线监测装置，采用霍尔传感器与罗氏线圈实现互补监测避雷器的接地引出导线的电流信号，并将监测到的信号传输给信号处理系统进行分析计算，最后通过LoRa无线通讯模块将计算结果传输给远程控制系统，实现了避雷器无人值守式智能化监控，保证电力系统安全可靠的运行；所述的霍尔传感器和罗氏线圈均采用非侵入式安装，不仅不会影响避雷器正常运行的性能，而且互补监测能够测量到直流电流，实现了避雷器的泄漏电流波形及冲击电流波形的实时在线监测。
一种直流避雷器实时在线监测装置

[外观设计]扫码盒子-CN202330065810.5有效
发明人： 王中旭 -专利权人：西安翻译学院
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：扫码盒子。2.本外观设计产品的用途：用于扫码。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
盒子

[发明专利]一种具有对称金属支撑体的陶瓷氧泵及其制备方法-CN202211565494.9在审
发明人： 王中旭;滕越;占忠亮;唐龙江;仝永成;励刚;陈国宏;缪春辉;王缔 -专利权人：国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;中国科学技术大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M8/1226 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有对称金属支撑体的陶瓷氧泵及其制备方法，所述陶瓷氧泵包括从上到下烧结而成的金属支撑体、阳极功能层、电解质隔膜、阴极功能层、金属支撑体，所述阳极功能层和阴极功能层的内表面覆盖有纳米催化剂颗粒。所述电解质隔膜是具有较高氧离子电导率的固体氧化物，所述金属支撑体是由主要成分为Fe和Cr元素组成的不锈钢合金，所述阳极功能层和阴极功能层都是不锈钢与电解质构成的复合物，所述纳米催化剂是结构式为ABO3的钙钛矿或双钙钛矿材料，其中A稀土元素的一种或多种，B为过渡金属元素的一种或多种。本发明可以提升陶瓷氧泵的机械强度，增强陶瓷氧泵的抗热冲击性能。
一种具有对称金属支撑陶瓷及其制备方法

[发明专利]珊瑚状半导化钛酸锶粉体的制备方法-CN202110988659.2有效
发明人： 王中旭 -专利权人：陕西君普新航科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种珊瑚状半导化钛酸锶粉体的制备方法，该方法为：采用锶源、钛源和葡萄糖制得干凝胶；将所述干凝胶置于坩埚中发生自蔓延反应，获得黑色粉料；将所述黑色粉料与淀粉、聚乙烯醇(PVA)混合球磨，经热处理冷却后，获得黑色粉体；对所述黑色粉体经过洗涤、过滤后，获得半导化纳米SrTiO3粉体。本发明能够获得具有珊瑚状形貌特征且电阻率在50～250Ω·cm的SrTiO3粉体。
珊瑚状半导化钛酸锶粉体制备方法

[发明专利]基于数字孪生的混凝土3D打印成形质量检测方法及装置-CN202211436229.0在审
发明人：周诚;陈权要;周燕;王宇向;文世峰;王中旭 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明属于混凝土3D打印相关技术领域，其公开了一种基于数字孪生的混凝土3D打印成形质量检测方法，方法包括：固定TOF深度相机和RGB相机两者的位置并进行标定；不断的移动TOF深度相机和RGB相机获取不同位置视角下打印结构的深度点云数据和关键帧图像，进行增量式SfM处理获取全局三维结构的点云数据；采用OpenMVS技术进行稠密重建获得3D打印的点云网格模型，对点云网格模型进行后处理得到打印过程中的包含三维重建虚拟模型的数字孪生场景；将打印结构的STL模型导入数字孪生场景中并计算STL模型和三维重建虚拟模型的几何误差，基于几何误差对打印过程进行调整。本申请可以实现打印构建的数字孪生模型，进而可以与打印预设模型进行实时比对，实现及时矫正。
基于数字孪生混凝土打印成形质量检测方法装置

[外观设计]二维码收款音箱-CN202230629546.9有效
发明人： 王中旭 -专利权人：西安翻译学院
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：二维码收款音箱。2.本外观设计产品的用途：用于二维码收款的播报音箱。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
二维码收款音箱

[发明专利]一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211014478.0在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;南继澳;刘爽;宋秀峰;王中旭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有超结结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括：衬底以及依次堆叠在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层；位于势垒层上的源极和漏极，且源极和漏极分别与势垒层形成欧姆接触；位于势垒层上的氮化物层和钝化层；至少一个位于氮化物层和漏极之间的超结结构，超结结构的材料与氮化物层的材料相同，且超结结构的顶面低于氮化物层的顶面，或超结结构的顶面与氮化物层的顶面齐平；位于氮化物层上的栅极，栅极的底部与氮化物层形成欧姆接触或肖特基接触。本申请实施例能够解决解决传统的P型氮化物栅HEMT器件电场集中的问题，提高器件的击穿电压。
一种具有结构电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有浅超结的P-GaN高电子迁移率晶体管及方法-CN202211014883.2在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;南继澳;刘爽;宋秀峰;王中旭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管及方法,具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管从下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层；所述势垒层上表面的中部设有P‑GaN层，所述势垒层上表面的两侧分别设有源极、漏极，P‑GaN层和源极、漏极之间设有钝化层；P‑GaN层的上表面设有若干个凹槽，每个凹槽上生长N型GaN，或者，P‑GaN层的上表面离子注入N、F、B等离子形成N型GaN；在P‑GaN层的上部设有栅极。本发明提出一种具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管，P‑GaN层进行凹槽刻蚀，刻蚀出一些凹槽，在凹槽中生长N型GaN，或P‑GaN层的上表面离子注入形成N型的GaN，这样就会在此处形成许多pn结的耗尽区，这些耗尽区的电场分布可以影响肖特基栅的电场分布，来缓解高栅压下P‑GaN处的高电场，增加阈值电压稳定性。
一种具有浅超结 gan 电子迁移率晶体管方法

[发明专利]一种晶体管及其制备方法-CN202211032435.5在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;南继澳;刘爽;宋秀峰;王中旭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种晶体管及其制备方法。常规器件电场集中使得器件击穿电压低，抗单粒子特性很差，因此限制P‑GaNHEMT器件在高压工作模式和宇航环境的应用。本申请提供了一种晶体管，包括本体，所述本体包括氮化物材料层，所述氮化物材料层包括相互连接的N型氮化物材料层和P型氮化物材料层，所述N型氮化物材料层设置于所述P型氮化物材料层上，所述P型氮化物材料层一侧、第一钝化层与源极依次连接，所述P型氮化物材料层另一侧、第二钝化层与漏极依次连接，所述N型氮化物材料层与所述漏极相向设置。提高器件的击穿电压以及抗单粒子特性。
一种晶体管及其制备方法

[发明专利]超级电容器电极粉体材料及其制备方法-CN202110847881.0有效
发明人： 王中旭 -专利权人：陕西君普新航科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级电容器电极粉体材料及其制备方法，该超级电容器电极粉体材料由以下物质制成：钴源、铁源、硒源、粘结剂；按照摩尔比为0.5～1.15:0.05～0.3:0.45～1.1的钴源、铁源、硒源，粘结剂和钴源的质量比为3～6:1。本发明能够获得微米尺度表现出良好球形度，在纳米尺度具有良好的空隙率且流动性、分散性高的粉体材料。
超级电容器电极材料及其制备方法

[发明专利]片层状硒化钴纳米片阵列电极的自主装制备方法-CN202110847876.X有效
发明人： 王中旭 -专利权人：陕西君普新航科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种片层状硒化钴纳米片阵列电极的自主装制备方法，对FTO玻璃进行清洁处理，之后，浸入溶液中进行预处理，获得预处理的FTO玻璃；步骤2、在所述预处理的FTO玻璃上形成种子层；步骤3、将所述步骤2获得的FTO玻璃同时置于反应釜中并且浸没在反应釜溶液中，进行溶剂热反应，冷却后取出，用无水乙醇冲洗3～5次，干燥后得到片层状硒化钴纳米片阵列电极。本发明通过自主装的方式，选择合适的种子层诱导，并结合特定工艺的溶剂热法，可以在无模板条件下制备择优生长的纳米片层状CoxSe阵列并形成电极片；制备出CoxSe纳米片阵列太阳能电极，具有择优生长取向，可以显著提高电池的性能。
层状硒化钴纳米阵列电极自主制备方法

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