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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种LED外延结构生长方法及该方法制备的芯片-CN202210951603.4在审
发明人：王淑姣;郭园;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种LED外延结构生长方法，在衬底表面依次层叠生长的第一缓冲层、N型半导体层、第二缓冲层、高温量子阱层、低温多量子发光层、P型半导体层，所述低温多量子发光层的生长方法为：循环生长n个多量子阱发光层；n个多量子阱发光层包含n对多量子阱层和多量子垒层，且n个多量子阱层和多量子垒层的温度递减生长。本发明在生长低温多量子发光层时，设置依次生长多量子阱层的每个阱温依次递减0.5～1度，该阱温条件下生长的多量子阱层，会使靠前的阱能带高，靠后的能带低，从而后面的能隙较小，使得电子空穴更易复合；并且电子和空穴集中于最后
一种 led 外延结构生长方法制备芯片

[发明专利]一种高亮度发光二极管的多量子阱结构-CN201310562955.1有效
发明人：李淼;游桥明;沈志强 -专利权人：西安神光皓瑞光电科技有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种高亮度发光二极管的多量子阱结构，以实现器件整体性能的提升。该多量子阱结构的四个多量子阱层中，第一多量子阱层的量子阱禁带宽度最小，第二多量子阱层的量子阱禁带宽度最大，第三和第四多量子阱层的量子阱禁带宽度介于第一多量子阱层与第二多量子阱层的量子阱禁带宽度之间；第四多量子阱层的量子垒禁带宽度比其他多量子阱层的量子垒禁带宽度小但大于第四量子阱层的量子阱禁带宽度本发明的多量子阱结构设计对于各方面的优化结果对于电子空穴的注入效率，迁移速度，浓度分布和复合位置等均有明显改善，进而对器件的整体性能有了较大的提升效果。
一种亮度发光二极管多量结构

[发明专利]一种氮化物发光二极管结构-CN201810194487.X在审
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。
多量子阱层量子垒氮化物发光二极管缓冲层量子阱衬底内量子效率量子限制发光阱减薄

[发明专利]一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板-CN202210317411.8有效
发明人：岳大川;蔡世星 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板，属于MicroLED领域，方法步骤包括，设置第一阻隔层将第一多量子阱层分隔成多个第一多量子阱；在第一阻隔层中设置阳极，阳极包括与第一P层接触的第一阳极、与N层接触的第二阳极；键合并除去第一衬底直至暴露出N层；在N层上设置顶面具有第二P层的多个第二多量子阱，第二多量子阱位于第二阳极外周；设置与第二P层和第二阳极接触且与第二多量子阱隔离的延伸电极，第一多量子阱和第二多量子阱共阴极，二次外延时所需温度低，能够保护第一多量子阱和金属引线，第一多量子阱和第二多量子阱都能被有源驱动，实现彩色显示。
一种 microled 显示面板制作方法

[实用新型]一种氮化物发光二极管结构-CN201820323961.X有效
发明人：刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。
多量子阱层量子垒氮化物发光二极管本实用新型缓冲层量子阱衬底内量子效率量子限制发光阱减薄

[发明专利]一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法-CN202210536830.0在审
发明人：张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种绿光发光二极管的外延片及其制备方法，绿光发光二极管的外延片，包括多量子阱层，还包括多量子阱准备层，多量子阱层生长于多量子阱准备层之上，多量子阱准备层包括依次外延生长的AlGaN层、InAlGaN层、InGaN层和InN层，多量子阱层生长于InN层之上。本发明通过在多量子阱之前先生长一层特殊结构设计的多量子阱准备层，成功减少了量子阱中缺陷，并使得底层与量子阱的晶格更加匹配，释放了绿光多量子阱层的应力，而且提供了富In环境，增加了绿光In组分的并入，减少了量子阱内的极化效应
一种发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构-CN201920102072.5有效
发明人：董延;李马惠;穆瑶;卫思逸;杨亚楠;任鹏强;伍成阳;韦盼;焦富翔 -专利权人：陕西源杰半导体技术有限公司咸阳分公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构，包括基板、分布式反馈‑多量子阱、电吸收‑多量子阱、光栅层、电隔离区和包层；基板的上表面并排设置有分布式反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱，分布式反馈‑多量子阱的末端和电吸收‑多量子阱的首端相接；反馈‑多量子阱和电吸收‑多量子阱的上表面设置有光栅层，光栅层上方沉积设置有包层；包层上刻蚀设置有电隔离区；本实用新型实现了对信道切换间的窜扰的隔离。
多量子阱电吸收分布式反馈光栅层包层关断半导体激光器芯片本实用新型电隔离区连续调谐上表面基板并排设置信道切换信号隔离刻蚀首端沉积隔离芯片反馈

[实用新型]LED磊晶片结构-CN202120636445.4有效
发明人：谷鹏军;杨顺贵;林雅雯 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED磊晶片结构，其中，上述结构包括：多量子阱MQW有源层；所述多量子阱MQW有源层包括前多量子阱MQW有源层和后多量子阱MQW有源层，所述前多量子阱MQW有源层和所述后多量子阱MQW有源层中均具有交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述后多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度均大于所述前多量子阱MQW有源层中每层量子阱层的厚度。
led 晶片结构

[发明专利]一种发光二极管及其制造方法-CN201510874393.3在审
发明人：胡任浩;郭炳磊;谢文明;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，多量子阱层包括若干第一多量子阱子层和层叠在若干第一多量子阱子层上的第二多量子阱子层，第一多量子阱子层包括量子阱层和层叠在量子阱层上的量子垒层，第二多量子阱子层包括依次层叠在若干第一多量子阱子层上的量子阱层、量子垒层、掺杂Mg的量子垒层，第二多量子阱子层中的量子垒层和掺杂Mg的量子垒层的厚度之和等于第一多量子阱子层中的量子垒层的厚度
一种发光二极管及其制造方法

[发明专利]具有单边渐变多量子阱的高阻氮化镓基缓冲层及制备方法-CN201811405399.6有效
发明人：房育涛;刘波亭;张恺玄;杨健;蔡文必 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了具有单边渐变多量子阱的高阻氮化镓基缓冲层，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、成核层、具有单边渐变多量子阱氮化镓基高阻缓冲层和GaN缓冲层：所述具有单边渐变多量子阱氮化镓基高阻缓冲层包含多个多量子阱应力传递层，所述多个多量子阱应力传递层中Al的含量由下至上依次减少；所述多量子阱应力传递层中包括多个多量子阱周期，每一个多量子阱周期中进一步包括Al组分渐变的AluGa_{Ga1‑aN势垒层和/低Al组分AlbGa1‑bN势阱层，使得所述多量子周期中每一层中Al组分含量单边递增或递减；所述多量子周期的个数为3‑100。}
具有单边渐变多量氮化缓冲制备方法

[发明专利]宽频谱GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201610382974.X在审
发明人：刘恒山;陈立人;冯猛 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种宽频谱GaN基LED外延结构及其制造方法，所述LED外延结构依次包括衬底及位于衬底上的n型GaN层、应力释放层、超晶格多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述超晶格多量子阱发光层的包括至少两层多量子阱发光层，不同的多量子阱发光层的半宽HW不同，每层多量子阱发光层由若干对InGaN层与GaN层依次堆叠组成。本发明中超晶格多量子阱发光层包括半宽HW不同的多层多量子阱发光层，可以达到宽频谱的效果，超晶格多量子阱发光层半宽HW可控制在40~60nm之间；还可根据实际应用调整频谱范围，在育林、养鱼等产业有着广泛的应用
宽频 gan led 外延结构及其制造方法

[发明专利]氮化镓发光二极管外延片-CN201510003033.6有效
发明人：刘伟;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓发光二极管外延片，包括在衬底上自下而上依次生长的低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱结构、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其中，所述多量子阱结构包括N个多量子阱，所述N个多量子阱中的每两个多量子阱之间设置有一个隧道结，所述隧道结由以石墨烯为基底的氮化镓基组成。由于多量子阱结构由多层多量子阱组成，在多量子阱结构中每一对电子—空穴，会发生多次复合，产生多个光子，从而提高了氮化镓发光二极管的发光效率。
氮化发光二极管外延

[发明专利]一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法-CN202010967184.4在审
发明人：宋伟东;罗幸君;李述体;曾庆光;陈钊 -专利权人：五邑大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体工艺和器件领域，公开了一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法。所述InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底表面进行蚀刻，得到倒梯形凹槽；(2)在倒梯形凹槽的侧壁上依次沉积AlN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱和P型GaN层，得到带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底；(3)将带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底放入剥离液中，释放得到所述InGaN/GaN多量子阱微米线。采用上述制备方法，能够制得极性和半极性的InGaN/GaN多量子阱微米线，并具有高效和低成本的优点。
一种 ingan gan 多量微米制备方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法-CN202210753881.9有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基发光二极管的外延结构及其制备方法，外延结构包括：包括衬底及在衬底上依次外延生长的低温缓冲层、未掺杂的U型GaN层、掺杂Si的N型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层和掺杂Mg的P型GaN层；多量子阱有源层包括第一多量子阱有源层、多量子阱间插入层和第二多量子阱有源层，多量子阱间插入层包括第一插入子层、第二插入子层和第三插入子层。本发明的第二插入子层能够为距离掺杂Mg的P型GaN层较远的多量子阱有源层部分提供更多的空穴，第一插入子层和第三插入子层用来匹配第二插入子层与多量子阱有源层的晶格。
一种 gan 发光二极管外延结构及其制备方法

[实用新型]宽频谱GaN基LED外延结构-CN201620524657.2有效
发明人：刘恒山;陈立人;冯猛 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种宽频谱GaN基LED外延结构，所述LED外延结构依次包括衬底及位于衬底上的n型GaN层、应力释放层、超晶格多量子阱发光层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，所述超晶格多量子阱发光层的包括至少两层多量子阱发光层，不同的多量子阱发光层的半宽HW不同，每层多量子阱发光层由若干对InGaN层与GaN层依次堆叠组成。本实用新型中超晶格多量子阱发光层包括半宽HW不同的多层多量子阱发光层，可以达到宽频谱的效果，超晶格多量子阱发光层半宽HW可控制在40~60nm之间；还可根据实际应用调整频谱范围，在育林、养鱼等产业有着广泛的应用
宽频 gan led 外延结构

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