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[发明专利]低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202211656341.5在审
发明人：薛军帅;孙文博;吴冠霖;姚佳佳;袁金渊;郭壮;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低射频损耗硅基氮化镓高电子迁移率晶体管，主要解决现有硅衬底上氮化镓材料与硅衬底界面漏电及器件射频损耗大的问题。其自下而上包括硅衬底、射频损耗抑制层、沟道层、AlN插入层、势垒层，该势垒层上依次设有绝缘栅介质层和栅电极，两侧为源、漏电极。该射频损耗抑制层为AlN与过渡金属氮化物ScYAlN复合叠层结构，过渡金属氮化物层组分沿生长方向从AlN渐变到与沟道层面内晶格常数匹配的组分。本发明能避免硅衬底上采用MOCVD高温生长AlN成核层时铝原子与硅衬底的回熔刻蚀，抑制异质外延界面漏电和器件射频功率损耗，提高硅基氮化镓器件击穿电压和可靠性，可用于微波毫米波射频集成电路和高能效功率开关。
射频损耗氮化电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳电池与锂硫电池的集成系统及其制备方法-CN202211351985.3在审
发明人：常晶晶;杨文广;郭兴;张苗;林珍华;魏葳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01M10/46 文献下载
摘要：本发明为一种钙钛矿太阳电池与锂硫电池的集成系统及其制备方法，系统包括钙钛矿太阳电池、直流升压器与锂硫电池；直流升压器连接于钙钛矿太阳电池与锂硫电池之间，将钙钛矿太阳电池的输出电压上升到与锂硫电池的工作电压匹配，钙钛矿太阳电池对锂硫电池进行恒流充电，锂流电池将电能转换为化学能，实现电能存储以及稳定的能量供应。本发明通过钙钛矿太阳电池与直流升压器的串联，可以减少因系统连接方式导致的能量损耗。通过掺入硼和磷可以分别提高碳材料的表面极性和稳定性，且避免引入高活性杂原子导致的碳结构破坏，以此提升锂硫电池的电化学性能，使其更好地作为自充电系统的储能设备提高自充电系统的整体性能。
一种钙钛矿太阳电池电池集成系统及其制备方法

[发明专利]基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法-CN202211261766.6在审
发明人：张涛;苏华科;许晟瑞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法，方法包括：对衬底层进行热处理；在热处理后的衬底层上依次生长成核层、缓冲层、背势垒层、p型GaN层，刻蚀器件形成器件的台面隔离；对器件栅极区域的p型GaN进行部分刻蚀形成栅凹槽；在栅凹槽中淀积n型掺杂扩散层；在p型GaN层和n型掺杂扩散层上生长保护层；对器件进行退火扩散；去除所有的保护层，以及残余的n型掺杂扩散层；在源极、漏极区域分别沉积源金属和漏金属形成源电极和漏电极；在完成源电极和漏电极的器件表面淀积介质层；在栅极区域沉积栅金属形成T型栅电极，并腐蚀掉源、漏电极接触区域的介质层。本发明提高了GaN增强型PMOS器件性能。
基于退火扩散 gan 增强 pmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种MXene与NiO2-CN202211573279.3在审
发明人：宁静;黄晶晶;冯欣;王东;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括以下步骤：首先通过混合法制备MXene‑NiO2水悬浮液；再利用等离子氧设备对目标衬底进行表面清洁处理，并旋涂一层APTES增强目标衬底的粘附性；然后水悬浮液旋转涂覆在目标衬底上，并高温退火；最后利用电子束蒸发设备在MXene‑NiO2复合材料薄膜上沉积金属顶电极。本发明制作的忆阻器是简单的三明治结构，易于三维集成，与CMOS等器件兼容，能够实现电阻阈值转换的功能，并可实现作为人工突触用于神经网络。
一种 mxene nio base sub

[发明专利]U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法-CN202211598148.0在审
发明人：薛军帅;郭壮;吴冠霖;姚佳佳;李祖懋;袁金渊;李泽辉;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管量子阱能带倾斜、集电极耗尽区宽度大导致透射系数小和隧穿电流低的问题。其包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、两个势垒层、U型量子阱层、渐变组分隔离层、n+InN集电极欧姆接触层和电极；U型量子阱层采用铟组分以8％‑15％的间隔从第一势垒层递减到第二势垒层的InGaN；两个势垒层采用组分一致、厚度相同的BAlPN；渐变组分隔离层采用铟组分以2％‑5％的间隔从第二势垒层递增到n+InN集电极欧姆接触层的InGaN。本发明器件峰值电流和工作频率高，输出功率大，可用在太赫兹辐射源和高速数字电路。
量子氮化共振二极管及其制作方法

[发明专利]一种氢终端金刚石/氧化镓异质集成互补器件及制备方法-CN202211534911.3在审
发明人：任泽阳;祝子辉;张金风;苏凯;马源辰;杨智清;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢终端金刚石/氧化镓异质集成互补器件及制备方法，CMOS反相器包括：金刚石衬底层、氧化镓衬底层、第一源电极、第一漏电极、第一介质层、第一栅电极、氢终端表面层、第二源电极、第二漏电极、第二介质层和第二栅电极。本发明实施例通过异质集成的方法将氢终端金刚石PMOS和氧化镓NMOS结合在一起制备超宽禁带半导体CMOS器件，有效解决了金刚石难以实现n型掺杂、氧化镓难以实现p型掺杂的关键难题，保证了器件的各自的高性能和整体的高质量，实现了适合超高温、强辐照环境应用的高性能超宽禁带半导体CMOS反相器。
一种终端金刚石氧化镓异质集成互补器件制备方法

[发明专利]基于单一结构的光电/摩擦电混合纳米发电机及其制备方法-CN202211542925.X在审
发明人：常晶晶;焦勇;林珍华;郭兴;胡赵胜;苏杰;魏葳;赵雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02S10/10 文献下载
摘要：本发明为一种基于单一结构的光电/摩擦电混合纳米发电机及其制备方法，混合纳米发电机包括正极部分和负极部分，正极部分包括依次贴合布设的第一衬底、正电极和电子传输层、正摩擦层；负极部分包括依次贴合布设的负摩擦层、负电极和第二衬底；正摩擦层与负摩擦层相对且二者之间具有间距；正摩擦层为Ag NWs@BaTiO3/Cs0.1MA0.2FA0.7PbI3复合膜。本发明通过正摩擦层的材料设计，增大钙钛矿复合膜介电常数的同时在膜内构建肖特基结，不仅满足了通过单一结构同时收集光能和太阳能的功能，而且还有效的增大了正摩擦层的表面电荷密度，从而提升了混合纳米发电机的输出性能。
基于单一结构光电摩擦混合纳米发电机及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211460659.6在审
发明人：周龙;李鑫磊;张娇娇;林珍华;常晶晶;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：对基底依次采用生活用水和玻璃清洗剂的混合液、生活用水、无水乙醇各超声清洗，再用氮气吹尘枪吹干，再通过紫外‑臭氧装置处理；在处理后的基底表面旋涂电子传输层；将碘化铅、甲脒氢碘酸盐、甲基碘化胺、甲胺氯、碘化铯、碘化铷、L‑α‑磷脂酰胆碱和苯乙基氯化胺溶于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜和乙二醇单甲醚的混合液中，获得钙钛矿前驱体溶液，将钙钛矿前驱体溶液刮涂至电子传输层的表面，形成钙钛矿层；在钙钛矿层表面旋涂空穴传输层；在空穴传输层和基底的表面蒸镀电极层。本发明在提高刮涂速度提升工艺制备效率的同时保证了良好的器件性能和稳定性。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种氮化物高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202110543404.5有效
发明人：薛军帅;孙志鹏;郝跃;张进成;杨雪妍;姚佳佳;吴冠霖;李祖懋 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物电子器件在高压高功率工作时热积累效应和散热问题。其自下而上包括高热导率衬底(1)、沟道层(4)、插入层(5)、势垒层(6)，其中，该衬底(1)与沟道层(4)之间设有键合层(2)和背势垒层(3)，该势垒层(6)的上部依次设有势垒保护层(7)和绝缘栅介质层(8)，该绝缘栅介质层(8)上设置栅电极；该插入层(5)至绝缘栅介质层(8)的两侧均为欧姆接触区，其上分别设置源电极和漏电极。本发明器件输出功率高，极大地改善器件自热效应，提高器件散热能力和工作可靠性，且制作工艺简单，一致性高，可用于高频微波功率放大器和微波毫米波集成电路。
一种氮化物电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法-CN202110651144.3有效
发明人：薛军帅;李祖懋;吴冠霖;姚佳佳;孙志鹏;杨雪妍;张赫朋;刘芳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性面氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮极性面氮化镓共振隧穿二极管材料生长极性控制难度大、位错密度高，器件自热效应及微分负阻效应稳定性和重复性退化问题。其自下而上包括金刚石衬底、SiN过渡层、GaN支撑层、n+GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一势垒层、GaN量子阱层、第二势垒层、第二GaN隔离层、n+GaN发射极欧姆接触层和发射极电极，第一GaN隔离层两侧设有环形集电极电极，第一GaN隔离层到发射极电极的外部包裹有钝化层。本发明器件材料质量高，器件可靠性和稳定性高，能改善器件自热效应并降低器件剥离转移工艺难度，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。
一种极性氮化共振二极管及其制作方法

[发明专利]基于纳米金刚石的碳基全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110369091.6有效
发明人：陈大正;张春福;田百川;朱卫东;任泽阳;习鹤;苏凯;张金风;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米金刚石的碳基全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括：选取导电衬底并对导电衬底进行预处理；在预处理后的导电衬底上表面旋涂氧化物胶体溶液，形成电子传输层；在电子传输层上表面旋涂钙钛矿前驱体溶液并进行退火，形成钙钛矿导电有源层；在钙钛矿导电有源层上表面旋涂碳纳米结构前驱体悬浮液并进行退火，形成界面修饰层；在界面修饰层的上表面利用丝网印刷形成界面顶电极；在界面顶电极上形成封装保护层。本发明采用碳基全无机钙钛矿结构，在保证载流子高速传递的同时，提升了器件的整体稳定性，另外掺杂了碳纳米材料进行界面修饰，进一步减缓载流子的复合，提升了电池的光伏性能。
基于纳米金刚石碳基全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法-CN202211575030.6在审
发明人：薛军帅;姚佳佳;吴冠霖;郭壮;刘仁杰;赵澄;李泽辉;袁金渊;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了多区域微分负阻特性的氮化镓基共振隧穿二极管及制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管难以实现多区域微分负阻特性、串联集成度低和微分负阻特性一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、发射极欧姆接触层、多层复合有源区、集电极欧姆接触层和集电极电极；多层复合有源区是由N层有源区和N‑1层n+GaN串联层交替排列组成的复合结构；每一层有源区自下而上包括隔离层、势垒层、量子阱层、势垒层、隔离层；势垒层均采用宽带隙半导体材料。本发明具有多个峰值电流相同的微分负阻效应，器件性能稳定，微分负阻效应一致性好，可靠性和集成度高，能消除平面串联工艺的金属互联，可用于多值逻辑数字电路和存储器中。
区域微分特性氮化共振二极管制作方法

[发明专利]一种Ga2-CN202111179484.7有效
发明人：冯倩;王正兴;蔡云匆;田旭升;张春福;周弘;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3金属氧化物半导体场效应管及制备方法，主要解决现有MOSFET器件阈值电压低、击穿电压小及工艺复杂、制作难度大的问题。其自下而上包括衬底、缓冲层、外延层以及栅介质层，外延层上方的左右两侧分别为源、漏电极，绝缘栅介质层上方为栅电极。所述栅介质采用高k介质层与电荷存储层交替堆叠的结构，且电荷存储层的长度按照自下而上的顺序从靠近源极一侧到靠近漏极一侧逐渐减小。本发明通过采用上述栅介质层结构，使栅介质层电子在不同程度上耗尽沟道电子，不仅提高了阈值电压，而且能有效平滑沟道电场分布、抑制沟道尖峰电场强度，进一步提高器件击穿电压，且降低制作成本和难度，可用于功率器件和高压开关器件。
一种 ga base sub

[发明专利]一种MXene/NiO2-CN202211574214.0在审
发明人：冯欣;黄晶晶;宁静;王东;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种MXene/NiO2异质结材料忆阻器的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括以下步骤：首先将六水硝酸镍与乙酰丙酮混合融入乙二醇甲醚溶液中，制备前驱体溶液，再将MAX粉末加入HF溶液中后干燥，分散制成MXene溶液；然后利用等离子氧设备对目标衬底进行表面清洁处理，并旋涂一层APTES增强目标衬底的粘附性；再将前驱体溶液旋转涂覆在目标衬底上，并高温退火；最后利用电子束蒸发设备在MXene‑NiO2复合材料薄膜上沉积金属顶电极。本发明制作的忆阻器使用了三明治结构，结构简单，易于三维集成，单个器件便可以模拟神经突触，实现神经突触的短期记忆功能。
一种 mxene nio base sub

[发明专利]一种氢终端金刚石/氧化镓异质横向二极管及制备方法-CN202211521460.X在审
发明人：任泽阳;祝子辉;张金风;苏凯;马源辰;杨智清;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢终端金刚石/氧化镓异质横向二极管及制备方法，横向二极管包括：金刚石衬底层、n型Ga2O3层、氢终端金刚石表面层、阴极和阳极，其中，所述n型Ga2O3层位于所述金刚石衬底层上的一侧，所述氢终端金刚石表面层位于所述金刚石衬底层上的另一侧，所述阴极位于所述n型Ga2O3层上，所述阳极位于所述氢终端金刚石表面层上。该横向二极管通过异质集成的方法将p型电导金刚石和n型电导Ga2O3结合在一起，制备超宽禁带半导体异质集成准垂直二极管器件，有效解决了金刚石难以实现n型掺杂、氧化镓难以实现p型掺杂的难题，提高了二极管的击穿电压，实现了超宽禁带半导体互补导电器件。
一种终端金刚石氧化镓异质横向二极管制备方法