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[发明专利]一种基于CsPbBr3-CN202210240777.X在审
发明人：常晶晶;林珍华;陈曦;焦勇;胡赵胜;苏杰;魏葳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明属于新材料以及新能源技术领域，具体涉及一种基于CsPbBr3的具有光电响应的压电纳米发电机及其制备方法和应用。基于CsPbBr3的具有光电响应的压电纳米发电机包括依次层叠设置的衬底、CsPbBr3钙钛矿层和电极层，在衬底上依次旋涂CsPbBr3钙钛矿层和电极层组成压电器件，然后采用封装层进行封装。本发明利用全无机铯铅溴钙钛矿材料，其具有扩散长度长、吸收系数大、载流子寿命长、压电系数高等优异的光学、电学和压电性能，作为压电薄膜制备具有光电响应的压电纳米发电机，利用压电‑光电效应，在保证高输出电压的同时实现了高探测率和高响应速度，从而制得了一种单结构多性能的压电纳米发电机器件。
一种基于 cspbbr base sub

[发明专利]一种有效减少钙钛矿组分中铅含量的方法-CN202110361560.X有效
发明人：常晶晶;林珍华;王璐;郭雨佳;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效减少钙钛矿组分中铅含量的方法，主要解决现有单一掺杂减铅效果不理想,造成光电性能及稳定性差的问题。其方案是：将Zn、Mn、Cu、Ni、Ge、Sn、Au、Ti、Zr元素中的任意两种或两种以上，按不同的组合方式对铅基钙钛矿进行共掺杂，包括Zn与Mn共掺杂、Zn与Cu、Ni、Ge、Sn、Au、Ti、Zr中的一种或多种共掺杂、Ge、Sn中的一种或两种与Cu、Ni、Au、Ti、Zr中的一种或多种共掺杂、Mn与Cu、Ni、Au、Ti、Zr中的一种或多种共掺杂，以减少钙钛矿组分中的铅含量。本发明降低了钙钛矿毒性，保证了光电性能和稳定性，可广泛的用于吸光层材料的低铅化处理。
一种有效减少钙钛矿组分含量方法

[发明专利]具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管-CN202210037578.9在审
发明人：张涛;李若晗;段小玲;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有混合P型材料欧姆阴极的横向肖特基势垒二极管，包括：从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、帽层；其中，帽层的右上方设有一P型阴极岛结构；P型阴极岛结构的右侧和器件的左侧分对应设置有阴极凹槽和阳极凹槽；阴极凹槽内的沟道层上设置阴电极，P型阴极岛结构上表面设有阴极板，阴极板与阴电极相连接，以形成混合P型材料欧姆阴极；阳极凹槽内的沟道层上设置有阳电极；在帽层上表面，凹槽阳极附近一定长度范围内设置有与阳电极相连的阳极场板；阳极场板与P型阴极岛之间的帽层上覆盖有一层钝化层。本发明提供的二极管对抑制电流崩塌有显著的作用，改善了器件的动态导通电阻退化现象。
具有混合材料欧姆阴极横向肖特基势垒二极管

[发明专利]一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2-CN202210221675.3在审
发明人：赵胜雷;舒磊;张进成;刘爽;李同德;苏杰;王亮;赵元富;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
一种粒子效应加固印刷转移 gan ga base sub

[发明专利]一种单片集成GaN/Ga2-CN202210221722.4在审
发明人：赵胜雷;刘爽;张进成;舒磊;赵杜钧;李同德;王亮;赵元富;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
一种单片集成 gan ga base sub

[发明专利]异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法-CN202110843254.X有效
发明人：段小玲;王树龙;王刚;张进成;张涛;刘志宏;赵胜雷;许晟瑞;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区，载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区，沟道区包括“一”部和“1”部，“1”部包括与“一”部连接的第一连接端，以及与第一连接端相对设置的第二连接端，第二连接端通过漏区连接漏极，“1”部的两侧设置有两个栅极，两个栅极与“1”部之间分别设置有两个第一异质介质，栅极和第一异质介质垂直于第二异质介质设置，且第一异质介质与第二异质介质的高度之和与“1”部相等，栅极与第一异质介质高度相等，“一”部两侧分别设置有两个源极。
异质栅介质异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]垂直结构Ga2-CN202010683643.6有效
发明人：周弘;燕庆龙;张进成;张春福;许晟瑞;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，主要解决现有同类器件源漏之间因热扩散产生泄漏电流的问题。其实现为：在清洗后的外延片上淀积SiO2；通过光刻，刻蚀去除部分SiO2，形成待退火区；将刻蚀完成的外延片放入O2环境中退火；之后用HF洗掉剩余的SiO2；在源极区域下方进行浅结的N++Si离子注入并退火；再通过ALD生长Al2O3栅介质；通过光刻刻蚀去掉源极区域Al2O3；光刻形成源极和漏极区域，蒸发源漏电极金属并退火，形成欧姆接触；光刻形成栅极区域并蒸发栅电极金属，完成器件制作。本发明能实现源漏区域的电学隔离，提高了击穿电压和电流，可用于制作氧化镓大功率器件。
垂直结构 ga base sub

[发明专利]全无机钙钛矿纳米线自供能-短波光电探测器及制备方法-CN202010725697.4有效
发明人：朱卫东;柴文明;张春福;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种全无机钙钛矿纳米线自供能‑短波光电探测器及制备方法，依次在处理好的FTO导电玻璃衬底上旋涂TiO2溶胶前驱体，得到致密的TiO2电子传输层；然后利用溶液法生长微米级的CsPbIxCl3‑x钙钛矿纳米线，并制备光电探测器。器件结构自上而下包括玻璃衬底、FTO电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和电极。本发明基于CsPbIxCl3‑x纳米线碳基钙钛矿光电探测器同时具有高灵敏度，快速响应和良好的稳定性，在300～520nm范围内具皮秒级的暗电流和0.2A/W的优异光电探测度。
无机钙钛矿纳米自供短波光电探测器制备方法

[发明专利]无需助粘剂的瞬态胶带转印方法-CN201910224900.7有效
发明人：张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无需助粘剂的高效率和保真度的瞬态胶带转印法，主要解决现有基于PDMS的转印技术转印效率低、保真度低、操作难度大的问题。其实现方案是：1)在SOI基片上制备单晶硅薄膜；2)在单晶硅薄膜上制备光刻胶锚点，并对SOI基片的埋氧化层进行刻蚀；3)取用瞬态胶带拾取SOI基片上的单晶硅薄膜；4)将带有单晶硅薄膜的瞬态胶带与接收衬底耦合；5)将耦合后的体系放入丙酮溶液中浸泡后再捞出吹干去除其胶带溶解的残留物，完成高效率、高保真度的转印。本发明改变了传统的转印方式，增强了转印技术的可靠性，降低了工艺难度和成本，具有更高的转印效率与保真度，可用于异质集成芯片制作。
无需助粘剂瞬态胶带方法

[发明专利]基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法-CN202011322843.5在审
发明人：许晟瑞;杜金娟;苏华科;张金风;彭若诗;周弘;张春福;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于溅射AlON/金刚石基板的HEMT器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取金刚石衬底并进行预处理；在所述金刚石衬底表面形成溅射AlON过渡层；在溅射AlON过渡层上依次生长GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及GaN帽层；在GaN帽层上制作金属电极以完成器件的制备。本发明通过在金刚石衬底与GaN缓冲层之间引入溅射AlON过渡层，可以实现在金刚石衬底上直接生长GaN及其异质结构，避免了传统方法中的衬底剥离和键合技术对器件造成的影响，提高了器件性能，且工艺简单。
基于溅射 alon 金刚石 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]采用低温脉冲层在金刚石上外延β-Ga2-CN202210009984.4在审
发明人：张雅超;李一帆;张进成;马金榜;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用低温脉冲层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备低温脉冲层(2)；在所述低温脉冲层(2)上制备薄膜层(3)。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入低温脉冲层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延层质量，降低了外延层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。
采用低温脉冲金刚石外延 ga base sub

[发明专利]采用预铺Ga层在金刚石上外延β-Ga2-CN202210009987.8在审
发明人：李一帆;张雅超;张进成;姚一昕;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用预铺Ga层在金刚石上外延β‑Ga2O3薄膜的制备方法及结构，方法包括：制备衬底层(1)；在所述衬底层(1)上制备预铺Ga层(2)；在所述预铺Ga层(2)上制备薄膜层(3)。本发明解决了高温下无法在金刚石衬底层上外延β‑Ga2O3的问题。本发明通过引入预铺Ga层，极大减少了氧气对衬底的刻蚀作用。同时显著提升外延β‑Ga2O3层质量，降低了外延β‑Ga2O3层的位错与缺陷，显著提高氧化镓外延层的热导率，对后续的氧化镓异质外延与大功率以及高频电力电子器件提供了良好的材料性能支撑。
采用 ga 金刚石外延 base sub

[发明专利]一种赝竖式金刚石雪崩二极管及其制备方法-CN202011076947.2有效
发明人：何琦;张金风;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种赝竖式金刚石雪崩二极管及其制备方法，包括：本征金刚石衬底；第一P型金刚石层，位于本征金刚石衬底上；本征金刚石层，位于第一P型金刚石层的中心；欧姆电极，位于第一P型金刚石层上且环绕本征金刚石层；第二P型金刚石层，位于本征金刚石层上，本征金刚石层与第二P型金刚石层共同形成台面结构；肖特基电极，位于第二P型金刚石层上。该雪崩二极管通过采用金刚石作为雪崩二极管的衬底材料，并使得二极管形成贋竖式PIP结构，提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流及响应速度，抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。
一种赝竖式金刚石雪崩二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法-CN202011077757.2有效
发明人：张金风;何琦;苏凯;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法，该雪崩二极管包括：本征金刚石层，本征金刚石层为高纯本征金刚石层，本征金刚石层上形成有第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面凸起且位于第二台面的中心；欧姆电极，形成在第二台面的表面且环绕第一台面；肖特基电极，形成在第一台面的表面。该雪崩二极管提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流、响应速度，并且抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。
一种基于高纯征单晶金刚石雪崩二极管制备方法

[发明专利]基于m面4H-SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法-CN202011290925.6有效
发明人：许晟瑞;许文强;张金风;张雅超;贠博祥;张怡;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于m面4H‑SiC异质外延非极性AlGaN/BN的PN结紫外探测器及制备方法，主要解决现有技术由量子限制斯塔克效应导致外量子效率下降和失配导致的外延层开裂问题。其自下而上包括：m面4H‑SiC衬底(1)和n型AlGaN外延层(2)；该n型AlGaN外延层采用Al组分为85％‑95％，掺杂浓度为1017‑1018cm‑3的AlGaN，其上同时设有掺杂浓度为1018‑1020cm‑3的p型BN外延层(3)和n型欧姆接触电极(4)；该p型BN外延层上设有p型欧姆接触电极(5)。本发明减小了材料的缺陷密度，提高了p型层空穴浓度，提升了器件的可靠性和外量子效率，可用于紫外探测设备中。
基于 sic 外延极性 algan bn pn 紫外探测器制备方法