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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202211066109.6在审
发明人：菊地巧也;永田裕也;戸田将也;今村克平;今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高含铟化合物膜的加工性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法中，在形成于衬底之上的含铟化合物膜(24X)上形成电极层(22)，在电极层(22)之上形成掩模层，在对掩模层进行加工之后，对电极层(22)进行蚀刻，直到化合物膜(24X)的至少一部分露出为止，其后以覆盖掩模层的上表面、掩模层及电极层(22)的侧面、以及化合物膜(24X)的上表面的方式形成间隔膜(26)，对位于掩模层的上表面、及化合物膜(24X)的上表面的间隔膜(26)进行蚀刻，对露出的化合物膜(24X)，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，并使用药液对进行了还原处理的化合物膜(24Y)进行蚀刻。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种混合蒸汽发生系统-CN202111469260.X有效
发明人：万帮勇;刘国强;吴求 -专利权人：苏州智程半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合蒸汽发生系统，包括蒸汽发生装置，浓度补偿装置，以及输送管道；蒸汽发生装置包括第一蒸汽输出通道，第一蒸汽输出通道通过流道控制元件与输送管道连通；浓度补偿装置包括载气补偿管路；控制流道控制元件，以将蒸汽发生装置中产生的小于预设浓度阈值的混合蒸汽作为载气源，经输送管道和载气补偿管路注入浓度补偿装置以进行二次反应。采用该混合蒸汽发生系统，使其所供给的混合蒸汽浓度稳定，从而得到较好的干燥效果。
一种混合蒸汽发生系统

[发明专利]用于封装应力敏感MEMS的结构和方法-CN201780006618.0有效
发明人： K·P·沃切特勒;M·吉野;A·库洛达;B·E·古德里;K·柯姆斯;B·库克;G·亚诺;S·贾克博森 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：在所描述的示例中，封装的微机电系统(MEMS)器件(100)包含电路芯片(101)，其被附接到带有引线(111)的衬底的焊盘(110)上；以及MEMS(150)，其通过低模量硅酮化合物层(140)被垂直地附接到芯片(101)表面。在芯片(101)表面上，MEMS器件(100)被聚酰亚胺环(130)围绕，该聚酰亚胺环(130)具有憎硅酮化合物的表面。固化的低模量硅酮材料的圆顶形球状物(160)覆盖MEMS(150)和MEMS端子键合线跨越(180)。球状物(160)被限制于聚酰亚胺环(130)内部的芯片(101)表面区域，并且具有对环氧基模塑化合物无粘合性的表面。聚合物模塑化合物的封装(190)包封嵌入MEMS(150)的球状物(160)、芯片(101)和部分衬底的垂直组装；该模塑化合物对球状物(160)表面无粘合性，但对所有其他表面有粘合性。
用于封装应力敏感 mems 结构方法

[发明专利]基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法-CN202310151217.1在审
发明人：李伯昌;刘艳;杨学峰;张嘉豪;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：基于光催化辅助的氧化镓晶圆片化学机械抛光方法，将待抛光的氧化镓衬底固定于透光背膜上进行化学机械抛光，在所述化学机械抛光的过程中，利用波长λ250nm的紫外光照射所述氧化镓衬底，以激发生成电子空穴对，所述电子空穴对集聚在氧化镓表面，并在空穴的作用下使得氧化镓发生氧化分解反应。本发明解决了抛光时间过长、抛光过程中易发生解理的问题，并可进一步降低表面粗糙度。
基于光催化辅助氧化镓晶圆片化学机械抛光方法

[发明专利]改进的填充受限单元PCM器件-CN202180069014.7在审
发明人： P·阿杜苏米利;M·J·布赖特斯基;G·M·科恩;R·L·布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：一种用于制造相变存储器件的方法，包括：提供包括多个底部电极的衬底；图案化衬底以在衬底中形成从衬底的表面延伸到底部电极的多个孔；在衬底上沉积相变材料；在相变材料中注入Ge、Sb和Te中的一种或多种以使孔内的相变材料的至少一部分非晶化，平坦化该器件以暴露衬底的表面，以及在孔上形成与相变材料接触的多个顶部电极。
改进填充受限单元 pcm 器件

[发明专利]一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法-CN202011281223.1有效
发明人：李易伟;查钢强;张文玉;汪雅伟;曹昆;李阳;李磊;田亚杰 -专利权人：西北工业大学;中广核工程有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：本发明涉及一种CZT辐射探测薄膜材料的表面处理方法，配置专用的粗抛液和细抛液，对薄膜材料采用外8字磨抛法磨粗抛和细抛薄膜表面，配置专用的腐蚀液，按照腐蚀30s后取出，然后用甲醇超声清洗30s，再用丙酮、酒精和蒸馏水超声波清洗20min，最后用氮气吹干的工艺完成腐蚀；再进行氧离子和氩气刻蚀完成对薄膜材料的表面。本方法通过对CZT多晶厚膜表面进行抛光、腐蚀和刻蚀表面处理，使得CZT多晶膜表面度提高，大幅度提高了厚膜探测器的光电性能。
一种 czt 辐射探测薄膜材料表面处理方法

[实用新型]一种用于刻划薄膜太阳能电池的刻针-CN202222750044.9有效
发明人：李松;钱亦辰;刘顺;刘云;卞鹏 -专利权人：泰州锦能新能源有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于刻划薄膜太阳能电池的刻针，包括刻针本体，所述刻针本体包括依次连接的柄部、主体部和刻划部，所述柄部和主体部均呈圆柱形，所述刻划部呈圆锥形，所述刻划部的尖端设置有针尖平面，所述针尖平面边缘设置有弧形倒角；所述刻划部的尖端涂覆有耐磨涂层。本实用新型针尖平面边缘的弧形倒角设计，使针尖呈圆弧状，刻针歪斜时，弧面接触膜层，不会划伤薄膜电池基底；尖端涂覆耐磨涂层，减缓刻针磨损，提高刻针寿命；柄部直径略大于与主体部直径形成台阶，配合下宽度略大于上宽度设计的刻针夹片，即可夹持卡住刻针，避免刻针下移导致的针尖加速磨损，延长刻针使用寿命。
一种用于刻划薄膜太阳能电池

[发明专利]一种碲锌镉晶片的抛光方法-CN202210971012.3在审
发明人：邓波浪;李玉萍 -专利权人：安徽承禹半导体材料科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶片的抛光方法，包括如下步骤：步骤一：配制抛光液；步骤二：实施物理机械抛光；步骤三：去除保护层，在高温高压条件下加热步骤二处理的碲锌镉晶片，熔化碲锌镉晶片表面的保护层，并用乙醇、去离子水依次冲洗；步骤四：实施化学腐蚀抛光，选用步骤一制备的化学腐蚀抛光用抛光液，将步骤三处理后的碲锌镉晶片置入后，按照所确定的抛光参数进行抛光；抛光结束后，清洗碲锌镉晶片；步骤五：检测碲锌镉晶片抛光质量。本发明实施例的碲锌镉晶片的抛光方法运用机械和化学抛光方法，提高抛光效果，整个抛光方法过程简单，易于实施，实用价值高。
一种碲锌镉晶片抛光方法

[发明专利]一种表面P型氧化镓的制备方法-CN202211026540.8在审
发明人：常晶晶;袁海东;苏杰;林珍华;高香香;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺，采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓，降低了成本，简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入，不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓，通过界面强烈的电荷转移实现，对氧化镓表面进行有效的空穴注入，从而实现更加有效的P型氧化镓。
一种表面氧化制备方法

[发明专利]一种制备二维材料异质结的方法-CN202210633473.X在审
发明人：冯宝杰;吴克辉;孙振宇;黄元 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：本发明提供一种制备二维材料异质结的方法，其包括如下步骤：(1)将目标二维材料在真空装置中进行机械解理；(2)将底层材料在所述真空装置中进行预处理；(3)在所述真空装置中将目标二维材料转移至预处理的底层材料上；其中所述真空装置的真空度小于1×10‑7Pa。本发明的方法可以形成各种普适性的二维材料异质结，这些异质结的界面不仅拥有很高的质量如没有气泡和杂质，还可以是高度不稳定的如易氧化的界面。实施本发明的技术方案可解决现有二维材料异质结制备技术导致的界面质量不够理想、种类较单一的问题。实施本发明的技术方案，可以实现各种高度洁净的、易氧化界面、复杂界面的二维材料异质结的制备。
一种制备二维材料异质结方法

[发明专利]一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法-CN202210730245.4在审
发明人：王少青;刘祥泰;王海安;程妮妮;陈海峰 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形化氧化镓的方法，具体涉及一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，本发明提供了一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，包括如下步骤：S1，制备氧化镓层；S2，制备光刻胶掩膜图形层；S3，制备铝金属层；S4，形成图形化的金属铝掩膜层；S5，制备二氧化硅掩膜层；S6，制备得到图形化的二氧化硅掩膜层；S7，湿法刻蚀氧化镓层；S8，湿法刻蚀去除二氧化硅掩膜层。本发明解决了目前氧化镓的湿法刻蚀中存在掩膜层二氧化硅湿法刻蚀速率快、不易控制的技术问题以及采用二氧化硅干法刻蚀成本高的问题，本发明利用金属铝刻蚀完成二氧化硅图形化，大大降低了湿法刻蚀图形化氧化镓额工艺成本，提高了图形的精确度。
一种湿法刻蚀图形氧化方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜刻蚀方法-CN202210400657.1在审
发明人：郑煜;唐昕;成杰;段吉安 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-04-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，包括硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂芯层、第一铬金属阻挡层；针对现有的干法刻蚀重新对氟基气体和氩离子刻蚀环节进行优化，以氟基气体为主的化学物理作用侧重于提高刻蚀效率和增加刻蚀深度，以氩离子为主的物理作用侧重于去除前一种刻蚀方法中生成的氟化锂固体沉积物，两者相互结合以实现铌酸锂薄膜的高效和高质量刻蚀。尤其是对于大膜厚的铌酸锂薄膜，在上述刻蚀方法的作用下，也可以起到明显的作用和效果。因此本发明的刻蚀方法适用于所有膜厚的铌酸锂薄膜，具有工艺方案改造成本低、兼容性高、可靠性好及实施便捷等优点。
一种铌酸锂薄膜刻蚀方法

[发明专利]用于铌酸锂材料的刻蚀方法-CN201810320107.2有效
发明人：张海苗 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于铌酸锂材料的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供铌酸锂基片；提供工艺气体，所述工艺气体包括氯基气体；对所述工艺气体进行电离获得等离子体，并对所述铌酸锂基片进行刻蚀。所述用于铌酸锂材料的刻蚀方法可以提高刻蚀速率且使刻蚀面光滑平整。
用于铌酸锂材料刻蚀方法

[发明专利]二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法-CN202210023131.6在审
发明人：刘明岩;万逸;阚二军;赵益彬 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法。所述方法先配置聚乙烯吡咯烷酮和聚乙烯醇溶液，并机械剥离制备薄层二维半导体材料，然后依次使用聚乙烯吡咯烷酮溶液和聚乙烯醇溶液对薄层二维半导体材料进行旋涂，最后使用胶水将柔性基底和旋涂后的SiO2/Si基片粘贴在一起，静置后将柔性基底与SiO2/Si基片分离，得到二维半导体材料高效应变柔性衬底。本发明实现了衬底和二维半导体材料间的紧密粘连，避免在施加应变的过程中样品发生滑移，将使用传统方法施加的应变上限由2％提高到7％。
二维半导体材料高效应变柔性衬底及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法-CN202210080620.5在审
发明人：江安全;敖孟寒 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。
一种铌酸锂纳米器件刻蚀方法

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