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[发明专利]使用接近加热器的存储器擦除-CN202280018429.6在审
发明人： G·M·科恩;安藤崇志;龚南博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：具有存储器单元的存储器阵列可具有在存储器单元之间集成到存储器阵列中的一个或多个加热器。与加热器通信的处理器可以通知加热器在触发事件发生时激活。
使用接近加热器存储器擦除

[发明专利]使用铁电场效应晶体管（FeFET）作为用于存储器内计算的电容性处理单元-CN202180085602.X在审
发明人：龚南博;G·M·科恩;安藤崇志;李宇龙 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电子电路包括：多条字线；多条位线(703‑1，703‑2)，其在多个网格点处与所述多个字线(701‑1，701‑2)相交；以及多个存储器内处理单元，其位于所述多个网格点处。所述存储器内处理单元中的每个包括第一开关，所述第一开关具有耦合到所述字线中的对应字线的第一端子和第二端子；第二开关，所述第二开关具有耦合到所述第一开关的所述第二端子的第一端子和耦合到所述位线中的对应位线的第二端子；以及非易失性可调谐电容器，所述非易失性可调谐电容器具有耦合到所述第一开关的所述第二端子和所述开关的所述第一端子的一个电极，并且具有耦合到地的另一电极。
使用电场效应晶体管 fefet 作为用于存储器计算电容处理单元

[发明专利]使用互补开关的存储器内电阻式随机存取存储器XOR逻辑-CN202180082357.7在审
发明人：安藤崇志;龚南博;G·M·科恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在使用或形成半导体结构的方法中。该半导体结构可包括具有第一电极和第二电极的电阻式随机存取存储器(RRAM)栅极。RRAM栅极还可包括开关层，该开关层包括具有开关层k值和开关层热导率的电介质材料。RRAM栅极还可包括互补开关(CS)缓解层，该CS缓解层具有低于开关层k值的CSk值和高于开关层热导率的CS热导率的材料。
使用互补开关存储器电阻随机存取存储器 xor 逻辑

[发明专利]改进的填充受限单元PCM器件-CN202180069014.7在审
发明人： P·阿杜苏米利;M·J·布赖特斯基;G·M·科恩;R·L·布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：一种用于制造相变存储器件的方法，包括：提供包括多个底部电极的衬底；图案化衬底以在衬底中形成从衬底的表面延伸到底部电极的多个孔；在衬底上沉积相变材料；在相变材料中注入Ge、Sb和Te中的一种或多种以使孔内的相变材料的至少一部分非晶化，平坦化该器件以暴露衬底的表面，以及在孔上形成与相变材料接触的多个顶部电极。
改进填充受限单元 pcm 器件

[发明专利]生物用户认证-CN202180055349.3在审
发明人： G·M·科恩;L·霍雷什;R·霍雷什;D·J·法兰克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F21/32 文献下载
摘要：本文的实施例公开了用于对用户进行认证的计算机实现的方法、计算机程序产品和计算机系统。计算机实现的方法可包括接收对应于用户的传记数据。可基于用户传记数据确定变化速率。计算机实现的方法可以包括：在第一时间从用户接收具有时变特性的第一生物特征数据；以及在晚于第一时间的第二时间从用户接收具有时变特性的第二生物特征数据。进一步，计算机实现的方法可以包括：至少基于第一生物特征数据、第二时间和时变特性来确定第三生物特征数据；以及如果第三生物特征数据在第二时间在第二生物特征数据的预定阈值内，则对用户进行认证。
生物用户认证

[发明专利]基于传递长度相变材料（PCM）的桥接单元-CN202111262203.4在审
发明人： G·M·科恩;安藤崇志;龚南博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开涉及基于传递长度相变材料(PCM)的桥接单元。一种可调谐非易失性电阻性元件，其中通过改变相变材料与电阻性衬垫之间的接触的长度来调制所述设备电导。通过选择小于传递长度的接触长度，获得电导的线性调制。
基于传递长度相变材料 pcm 单元

[发明专利]具有含锗的释放层的III-V族化合物和锗化合物纳米线悬置-CN201610170232.0有效
发明人： G·M·科恩;I·劳尔;A·雷兹奈斯克;J·W·斯莱特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种器件包括：衬底层；限定nFET(n型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第一集合；限定pFET(p型场效应晶体管)区域的源极/漏极部件的第二集合；第一悬置纳米线，至少部分地悬置在nFET区域中的衬底层之上并且由III‑V族材料制成；以及第二悬置纳米线，至少部分地悬置在pFET区域中的衬底层之上并且由含锗材料制成。在一些实施例中，通过在含锗的释放层的顶部上添加合适的纳米线层并且随后移除含锗的释放层以使得纳米线悬置而制造第一悬置纳米线和第二悬置纳米线。
具有释放 iii 化合物纳米悬置

[发明专利]用于纳米桥弱链接的硅化纳米线-CN201610143130.X有效
发明人：张慎明;P·常;G·M·科恩;M·A·圭罗恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。
用于纳米链接

[发明专利]用于治疗III型戈谢病的组合物和方法-CN201380019869.4在审
发明人： E·克罗姆贝兹;K·比兰基;G·M·科恩 -专利权人：夏尔人类遗传性治疗公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： A61K38/46 文献下载
摘要：本发明描述了用于治疗戈谢病的方法和组合物。
用于治疗 iii 谢病组合方法

[发明专利]用于太阳能电池模块的集成背板-CN201210385602.4无效
发明人：刘泽琳;疏引;左刚;G·M·科恩 -专利权人：杜邦公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：本发明涉及用于太阳能电池模块的集成背板，具体地公开了用于制备所述集成背板的一种聚合物组合物的制备方法，包括：(a)将约3-50重量%的小片无机纳米填料与载体混合物熔融混合形成母料，其中所述母料中包含的所有组分的总重量%合计100重量%，并且其中所述载体混合物包含约5-50重量%的第一离聚物和约50-95重量%的第一乙烯/(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物；(b)将约5-40重量%的步骤(a)中获得的母料与聚合物基料熔融混合形成聚合物组合物，其中所述聚合物组合物中包含的所有组分的总重量%合计100重量%，并且其中所述聚合物基料包含第二乙烯/(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物，所述第二乙烯/(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物与所述第一乙烯/(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物)相同或不同。
用于太阳能电池模块集成背板

[发明专利]用于将微结构接合到半导体衬底的方法及其半导体结构-CN200510117242.X有效
发明人： G·M·科恩;P·M·穆尼;V·K·帕鲁许里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-10-31 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于使用吸引力如疏水性、范德华和共价键将微结构接合到半导体衬底的方法。该微结构在接合工序过程中保持它们彼此的绝对位置并垂直地转移在晶片表面上。在此，微片的垂直转移也称为“就地接合”。还公开了包括吸引地接合的微结构和衬底的半导体结构。
用于微结构接合半导体衬底方法及其结构

[发明专利]具有慢光载流子的阻挡层的高速光电二极管及其形成方法-CN200310121283.7有效
发明人： G·M·科恩;Q·C·欧阳;J·D·肖布 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本申请公开了具有慢光载流子的阻挡层的高速光电二极管及其形成方法。一种结构(以及形成结构的方法)包括光检测器、形成在所述光检测器下面的衬底、以及形成在所述衬底上的阻挡层。埋置的阻挡层优选包括单或双p－n结，或气泡层，用于阻止或消除漂移场较低的区域中的慢光生载流子。
具有载流子阻挡高速光电二极管及其形成方法

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