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[发明专利]衬底硬化方法及所得器件-CN200680014752.7有效
发明人：佛朗克斯·J·海恩勒;哈丽·罗伯特·柯克;詹姆斯·安德鲁·苏利凡 -专利权人：硅源公司
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含一个或多个器件(例如，光电器件、集成电路)的多层衬底结构。该结构具有操作衬底，该操作衬底具有预定厚度并且杨氏模量为约1MPa－约130GPa。该结构还具有连接至操作衬底的充分结晶材料层。优选地，该充分结晶材料层的厚度为约100μm－约5mm。该结构在充分结晶材料层上具有分裂表面，并且分裂膜的表面粗糙度小于200。在材料层上设置有至少一个或更多个光电器件。
衬底硬化方法所得器件

[发明专利]晶片卡盘和抛光/电镀托座之间的测量对准-CN200380105515.8无效
发明人：王晖;沃哈·努齐 -专利权人： ACM研究公司
申请日： 2003-12-09 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：一种用于电抛光和/或电镀半导体晶片上金属层的装置，包括含有多个分段壁的一个托座。该装置包括一个晶片卡盘，配置为夹住半导体晶片并在托座中定位半导体晶片，使得半导体晶片的一个表面靠近多个分段壁的顶部。该装置还包括第一多个传感器，配置为测量多个分段壁中一个的中心到晶片卡盘中心之间的对准，这样就测量了半导体晶片的中心。
晶片卡盘抛光电镀托座之间测量对准

[发明专利]使用蚀刻掩模堆叠的多掩模处理-CN200680023375.3有效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：提供一种用于在基片上的蚀刻层中形成蚀刻特征的方法。在该蚀刻层上形成蚀刻掩模堆叠。在该蚀刻掩模堆叠上形成第一掩模。在该第一掩模上形成侧壁层，其减小由该第一掩模限定的间距的宽度。穿过该侧壁层将第一特征组蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。去除该掩模和该侧壁层。执行额外的特征步骤，包括在该蚀刻掩模堆叠上形成额外掩模，在该额外掩模上形成侧壁层，将第二特征组至少部分蚀刻入该蚀刻掩模堆叠。穿过该蚀刻掩模堆叠中的第一特征组和第二特征组将多个特征蚀刻入该蚀刻层。
使用蚀刻堆叠多掩模处理

[发明专利]修改布局以消除由线材料收缩引起的线弯曲-CN200680022124.3无效
发明人：弗拉迪米尔·阿莱克谢耶维奇·乌克兰采夫;马克·E·梅森;詹姆斯·沃尔特·布拉奇福德;布赖恩·阿什利·史密斯;布赖恩·爱德华·霍尔农;德克·诺埃尔·安德森 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2006-06-26 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置和一种用于制造具有减少的线弯曲的半导体装置的方法。所述方法可包含形成第一层并在所述第一层上沉积光致抗蚀剂层。可将所述光致抗蚀剂层图案化，使得所述图案化包括邻近于隅角特征(250)的外侧设置的至少一个支撑特征(271)。
修改布局消除线材收缩引起弯曲

[发明专利]微机械运动传感器的制造方法以及微机械运动传感器-CN200680021779.9无效
发明人： A·布洛姆奎斯特 -专利权人： VTI技术有限公司
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：本发明关于用于测量物理量如加速度、角加速度或角速度的测量装置，更精确地是关于微机械运动传感器。本发明运动传感器元件的晶片平面内的面积小于被方形切割且翻转90°的运动传感器元件的面积。相应地，本发明运动传感器元件(该元件已翻转90°)的高度在接合方向上小于由接合的晶片形成的晶片堆的厚度。本发明的目的是提供一种微机械运动传感器改进的制造方法，尤其是用于小型微机械运动传感器方案。
微机运动传感器制造方法以及

[发明专利]存在常规低k和/或多孔低k介电材料时的光刻胶剥除方法-CN200680015723.2有效
发明人：海伦·朱;R·萨亚迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：公开了一种用于从基片剥除光刻胶材料的两步处理方法，其中基片包括位于光刻胶材料之下的低k介电材料以及覆盖在光刻胶材料和低k介电材料上的聚合物膜。两步处理的第一步骤使用氧等离子体以去除聚合物膜。两步处理的第二步骤使用氨等离子体以去除光刻胶材料，其中第二步骤在第一步骤完成后开始。两步光刻胶剥除处理中的每个步骤分别由特定的处理参数值限定，这些处理参数包括化学成分、温度、压力、气流率、射频功率、以及频率和持续时间。
存在常规多孔材料光刻剥除方法

[发明专利]等离子体增强原子层沉积系统和方法-CN200680009127.3有效
发明人：松田司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中、将第一处理材料引入工艺室内以及将第二处理材料引入工艺室内。该方法还包括在第二处理材料的引入期间将电磁功率耦合到工艺室，以生成促进在衬底表面处第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。该方法还包括将反应性净化气体引入工艺室内，所述反应性净化气体与工艺室中的污染物发生化学反应以从工艺室部件或衬底中的至少一个中释放出污染物。
等离子体增强原子沉积系统方法

[发明专利]干蚀刻氧化物半导体膜的方法-CN200710140773.X有效
发明人：张建六 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：提供了含有至少In、Ga和Zn的氧化物半导体膜的干蚀刻法，其包括在含有卤素基气体的气氛中蚀刻氧化物半导体膜。
蚀刻氧化物半导体方法

[发明专利]光刻胶和刻蚀残留物的低压去除-CN200580046337.5有效
发明人：稻沢刚一郎;瓦迪亚纳森·巴拉苏布拉马尼恩;畑村安则;萩原正明;西村荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：提供了一种用于等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氢气体的两步等离子体工艺，其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留物，并且从室表面上刻蚀并去除有害的氟碳残留物。在第二清洁步骤中向衬底施加增大的偏置以从衬底上去除剩余的光刻胶和刻蚀残留物。在第二清洁步骤中采用了小于20mTorr的室压强。两步工艺减少了常在传统的一步灰化工艺中观察到的记忆效应。一种结束点检测方法可以用于监视灰化工艺。
光刻刻蚀残留物低压去除

[发明专利]氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法-CN200710017888.X无效
发明人：张景文;高群;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌紫外探测焦平面成像阵列制作中氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过氯化铵水溶液进行刻蚀，其中为了改善刻蚀效果还可以对刻蚀液进行水浴加热。上述刻蚀方法中，由于采用氯化铵溶液作为刻蚀剂，因此它具有以下优点：(1)刻蚀表面平整度高；(2)刻蚀的选择性非常好(对光刻胶没有腐蚀性)；(3)可以达到非常好的纵横比要求；(4)对要刻蚀的样品没有任何杂质离子的污染，对器件的性能没有影响；(5)并且只需改变氯化铵溶液的浓度，就可以在保证刻蚀表面平整和比较好的纵横比的前提下，得到不同的刻蚀速率，操作非常简单；(6)可以通过控制刻蚀时间来控制刻蚀深度。
氧化锌紫外平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法

[发明专利]蚀刻与清洗衬底的系统和方法-CN200580028522.1无效
发明人： M·克罗立克;J·M·柏依;K·蜜可海丽;M·瑞夫肯;F·C·瑞德克;J·M·德赖瑞厄斯 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：一个实施例提供了一种处理衬底的方法。该方法包括将一种溶液施加到衬底的表面。通过将能量(如光)作用于该溶液而由该溶液的离解产生至少一种反应组分。使衬底上的第一材料发生反应，并除去反应后的该第一材料。也描述了用于处理衬底的系统。
蚀刻清洗衬底系统方法

[发明专利]在无源电子元件衬底上形成划线的方法-CN200480019718.X有效
发明人： E·J·斯万森;Y·孙;M·K·萨米;J·C·约翰逊;D·加西亚;R·M·安克里卡 -专利权人：电子科学工业公司
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：一种形成具有尖锐断裂线(44)的划线(36)的方法，包括沿着陶瓷或类似陶瓷的衬底(10)引导UV激光束(14)，从而除去衬底(10)的厚度(24)的一部分。所述UV激光束在所述衬底中形成划线而不会使衬底发生明显的熔融，因而清晰确定的断裂线形成高应力集中区，该集中区延伸到衬底厚度内。因此，多个深度方向的裂纹会响应于施加到所述沟槽任一侧的分裂力，从而向所述高应力集中区中衬底的厚度方向延伸传播，使所述衬底整洁地分裂成单独的电路元件。这个集中区的形成便于以更高的精确度分裂所述衬底，同时在施加分裂力的期间和施加分裂力之后保持每个电路元件衬底内部结构的完整性。
无源电子元件衬底形成划线方法

[发明专利]经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管-CN200380110945.9有效
发明人： T·藤井;Y·高;E·L·胡;S·中村 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2003-12-09 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：一种氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)，其中光通过所述LED的氮面(N面)(42)被提取并且所述N面(42)的表面被粗化形成一个或多个六角形锥面。所述粗化表面减少了在所述LED内部的光反射的重复发生，并因此在所述LED外部提取到更多的光。所述N面(42)的所述表面通过各向异性蚀刻进行粗化，所述蚀刻包括干式蚀刻或者光致化学(PEC)蚀刻。
表面高效氮化发光二极管

[发明专利]在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法-CN200480024282.3有效
发明人： C·丹格洛 -专利权人：纳米传导公司
申请日： 2004-08-25 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：公开了采用碳纳米管或纳米线阵列以减小在集成电路芯片和散热器之间热接触电阻的散热器结构。碳纳米管阵列与布置在纳米管之间的导热金属填料结合。这个结构产生了具有高轴向和横向导热性的热界面。
集成电路冷却器设计制造使用组装纳米结构系统方法

[发明专利]具有凹陷的对准标记的平面磁隧道结衬底-CN03826962.7有效
发明人：迈克尔·C.·盖蒂斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-06-24 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：一种形成用于半导体器件的对准标记结构(148)的方法，该方法包括：在半导体器件衬底的选定层面处形成对准凹陷(130)。在所述选定的衬底层面上方以及在所述对准凹陷(130)内形成第一金属层(140)，其中所述对准凹陷(130)被形成为使得所述第一金属层(140)仅部分地填充所述对准凹陷(130)的深度。在所述第一金属(140)上方形成第二金属层(142)，使得所述对准凹陷(130)被完全填充。对所述第二金属层(142)和所述第一金属层(140)平面化，向下达到所述选定的衬底层面，从而在所述对准凹陷内产生所述第二层材料的牺牲柱塞(144)。按照基本上不使所述选定的衬底层面处经平面化后的表面变粗糙的方式去除所述牺牲柱塞(144)。
具有凹陷对准标记平面隧道衬底