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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202211066109.6在审
发明人：菊地巧也;永田裕也;戸田将也;今村克平;今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高含铟化合物膜的加工性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法中，在形成于衬底之上的含铟化合物膜(24X)上形成电极层(22)，在电极层(22)之上形成掩模层，在对掩模层进行加工之后，对电极层(22)进行蚀刻，直到化合物膜(24X)的至少一部分露出为止，其后以覆盖掩模层的上表面、掩模层及电极层(22)的侧面、以及化合物膜(24X)的上表面的方式形成间隔膜(26)，对位于掩模层的上表面、及化合物膜(24X)的上表面的间隔膜(26)进行蚀刻，对露出的化合物膜(24X)，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，并使用药液对进行了还原处理的化合物膜(24Y)进行蚀刻。
半导体装置制造方法

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