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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202211066109.6在审
发明人：菊地巧也;永田裕也;戸田将也;今村克平;今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高含铟化合物膜的加工性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法中，在形成于衬底之上的含铟化合物膜(24X)上形成电极层(22)，在电极层(22)之上形成掩模层，在对掩模层进行加工之后，对电极层(22)进行蚀刻，直到化合物膜(24X)的至少一部分露出为止，其后以覆盖掩模层的上表面、掩模层及电极层(22)的侧面、以及化合物膜(24X)的上表面的方式形成间隔膜(26)，对位于掩模层的上表面、及化合物膜(24X)的上表面的间隔膜(26)进行蚀刻，对露出的化合物膜(24X)，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，并使用药液对进行了还原处理的化合物膜(24Y)进行蚀刻。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法-CN202210730245.4在审
发明人：王少青;刘祥泰;王海安;程妮妮;陈海峰 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形化氧化镓的方法，具体涉及一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，本发明提供了一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，包括如下步骤：S1，制备氧化镓层；S2，制备光刻胶掩膜图形层；S3，制备铝金属层；S4，形成图形化的金属铝掩膜层；S5，制备二氧化硅掩膜层；S6，制备得到图形化的二氧化硅掩膜层；S7，湿法刻蚀氧化镓层；S8，湿法刻蚀去除二氧化硅掩膜层。本发明解决了目前氧化镓的湿法刻蚀中存在掩膜层二氧化硅湿法刻蚀速率快、不易控制的技术问题以及采用二氧化硅干法刻蚀成本高的问题，本发明利用金属铝刻蚀完成二氧化硅图形化，大大降低了湿法刻蚀图形化氧化镓额工艺成本，提高了图形的精确度。
一种湿法刻蚀图形氧化方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜刻蚀方法-CN202210400657.1在审
发明人：郑煜;唐昕;成杰;段吉安 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-04-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，一种铌酸锂薄膜刻蚀方法，包括硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂芯层、第一铬金属阻挡层；针对现有的干法刻蚀重新对氟基气体和氩离子刻蚀环节进行优化，以氟基气体为主的化学物理作用侧重于提高刻蚀效率和增加刻蚀深度，以氩离子为主的物理作用侧重于去除前一种刻蚀方法中生成的氟化锂固体沉积物，两者相互结合以实现铌酸锂薄膜的高效和高质量刻蚀。尤其是对于大膜厚的铌酸锂薄膜，在上述刻蚀方法的作用下，也可以起到明显的作用和效果。因此本发明的刻蚀方法适用于所有膜厚的铌酸锂薄膜，具有工艺方案改造成本低、兼容性高、可靠性好及实施便捷等优点。
一种铌酸锂薄膜刻蚀方法

[发明专利]一种Ga2-CN202111614449.3在审
发明人：马永健;张晓东;何涛;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3材料的图案化方法，该图案化方法包括：在Ga2O3材料层上设置图案化掩膜层，以形成所述Ga2O3材料层的刻蚀区域；向所述刻蚀区域通入镓蒸汽，以对所述刻蚀区域进行刻蚀。与现有技术相比，本发明的图案化方法不存在任何等离子体轰击造成的损伤，而且还避免了晶格结构损伤，有效地降低了界面态密度。
一种 ga base sub

[发明专利]氧化物半导体膜的蚀刻方法和等离子体处理装置-CN202110086878.1在审
发明人：山﨑政宏;田原慈 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明提供在氧化物半导体膜的蚀刻中能够提高掩模选择比的氧化物半导体膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。氧化物半导体膜的蚀刻方法包括：提供基片的工序，该基片在至少含有铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体膜上具有作为含硅膜的掩模；供给处理气体的工序，该处理气体包含含溴(Br)气体和含碘(I)气体中的至少一者；以及用上述处理气体的等离子体对上述氧化物半导体膜进行蚀刻的工序。
氧化物半导体蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]半导体制备工艺方法-CN201910012214.3有效
发明人：高鹏;李向峰;王帅毅 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体制备工艺方法，该方法包括：提供基体，所述基体自上向下依次包括阻挡层、半导体层和绝缘层；其中，所述阻挡层的部分表面覆盖有掩膜；采用干法刻蚀，对所述阻挡层和所述掩膜进行刻蚀，以去除、蚀刻、除掉未被所述掩膜覆盖的阻挡层并让掩膜蚀刻为图案化掩膜；对所述半导体层进行刻蚀，以去除未被阻挡层覆盖的半导体层；对所述图案化掩膜未覆盖的阻挡层进行刻蚀，以形成穿透阻挡层但未穿透半导体层的凹槽；采用清洗方式，去除所述图案化掩膜。本实施例提供的方法能够解决半导体制备工艺步骤繁琐复杂，费时费力的问题。
阻挡层半导体层掩膜图案化掩膜刻蚀去除半导体制备工艺蚀刻穿透覆盖绝缘层表面覆盖干法刻蚀除掉清洗费力申请

[发明专利]氧化镓材料表面缺陷修复方法-CN201911035749.9在审
发明人：龙世兵;熊文豪;徐光伟;向学强;赵晓龙 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓材料表面缺陷修复方法，其特征在于，所述方法包括：向所述氧化镓材料表面引入阴离子，使所述阴离子与镓结合，以减少所述氧化镓材料表面中的氧空位缺陷。通过该方法，可以有效降低氧化镓材料表面的界面态。
氧化镓阴离子氧空位缺陷缺陷修复界面态引入

[发明专利]有源层的制作方法、氧化物薄膜晶体管及其制作方法-CN201611192417.8在审
发明人：肖鹏;陈国杰 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源层的制作方法、氧化物薄膜晶体管及其制作方法，该有源层的制作方法，包括以下步骤在基板上沉积氧化物薄膜，并对所述氧化物薄膜进行图形化处理获得氧化物层；在基板上制作覆盖于所述氧化物层上的光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图形化处理使所述氧化物层露出沟道区；将所述基板置于电解液中，所述基板作为阳极，采用金属Pt作为阴极，对所述基板进行阳极氧化处理，所述沟道区上氧化物层经阳极氧化后形成有源层；将基板取出，去除光刻胶层。本发明通过阳极氧化的处理方法降低有源层的载流子浓度，实现器件阈值电压的正移，使得器件处于“常关”状态，从而获得高稳定性、低功耗器件。
有源制作方法氧化物薄膜晶体管及其

[发明专利]氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法-CN200710017888.X无效
发明人：张景文;高群;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌紫外探测焦平面成像阵列制作中氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过氯化铵水溶液进行刻蚀，其中为了改善刻蚀效果还可以对刻蚀液进行水浴加热。上述刻蚀方法中，由于采用氯化铵溶液作为刻蚀剂，因此它具有以下优点：(1)刻蚀表面平整度高；(2)刻蚀的选择性非常好(对光刻胶没有腐蚀性)；(3)可以达到非常好的纵横比要求；(4)对要刻蚀的样品没有任何杂质离子的污染，对器件的性能没有影响；(5)并且只需改变氯化铵溶液的浓度，就可以在保证刻蚀表面平整和比较好的纵横比的前提下，得到不同的刻蚀速率，操作非常简单；(6)可以通过控制刻蚀时间来控制刻蚀深度。
氧化锌紫外平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法

[发明专利]用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法-CN200510029961.6无效
发明人：叶振华;胡晓宁;陈兴国;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO₂)材料。SiO₂掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO₂薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO₂薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO₂掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵掩膜层制备方法

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