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[发明专利]具有双向阈值开关的相变存储单元-CN202180083147.X在审
发明人：龚南博;安藤崇志;R·L·布鲁斯;A·雷茨尼采克;B·赫克马绍尔塔巴里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种结构，包括底部电极(104)、垂直对准的相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(106)。一种结构，包括底部电极(104)、相变材料层(106)和在所述相变材料层(106)上方垂直对准的双向阈值切换层(118)、以及第二阻挡层(120，所述第二阻挡层将所述双向阈值切换层(118)与顶部电极(122)物理地分离。一种方法，包括：形成包括衬里的结构，所述衬里在第一阻挡层(108)上方垂直对准，所述第一阻挡层(108)在相变材料层(106)上方垂直对准，所述相变材料层(106)在底部电极(104)上方垂直对准；形成围绕所述结构的电介质(114)；以及在所述第一阻挡层(108)上形成双向阈值切换层(118)，所述双向阈值切换层(118)的垂直侧表面与所述第一阻挡层(108)、所述相变材料层(106)和所述底部电极(104)垂直对准。
具有双向阈值开关相变存储单元

[发明专利]集成的相变存储器单元突出衬垫和蚀刻停止层-CN202180074882.4在审
发明人： K·W·布雷弗;玉仁祚;I·R·萨拉夫;N·索尔尼尔;M·J·布里戈特斯基;R·L·布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种蘑菇型相变存储器(PCM)单元，包括位于PCM体积和底部电极之间的突出衬垫。突出衬垫从之前在PCM单元的制造期间和/或更高级IC器件的制造期间用作蚀刻停止层的层被保留。突出衬垫可以延伸超过PCM侧壁或侧边界。突出衬垫的该部分可以位于或掩埋在电介质或密封间隔件之下，并且可以增加位于PCM体积之下的突出衬垫的厚度均匀性。
集成相变存储器单元突出衬垫蚀刻停止

[发明专利]改进的填充受限单元PCM器件-CN202180069014.7在审
发明人： P·阿杜苏米利;M·J·布赖特斯基;G·M·科恩;R·L·布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/463 文献下载
摘要：一种用于制造相变存储器件的方法，包括：提供包括多个底部电极的衬底；图案化衬底以在衬底中形成从衬底的表面延伸到底部电极的多个孔；在衬底上沉积相变材料；在相变材料中注入Ge、Sb和Te中的一种或多种以使孔内的相变材料的至少一部分非晶化，平坦化该器件以暴露衬底的表面，以及在孔上形成与相变材料接触的多个顶部电极。
改进填充受限单元 pcm 器件

[发明专利]具有均匀且高纵横比的纳米间隙的柱阵列结构-CN201580060722.9有效
发明人： J·T·史密斯;R·L·布鲁斯;Y·A·阿斯迪尔;王超;B·H·万施 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： G01N33/68 文献下载
摘要：提供了涉及分选实体技术。入口被配置为接收流体，以及出口被配置为排出流体。连接到入口和出口的纳米柱阵列被配置为允许流体从入口流到出口。纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱。纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙。间隙被构造为在纳米尺度范围中。 1
纳米柱流体纳米柱阵列配置出口分离实体高纵横比纳米尺度纳米间隙入口流柱阵列分选排出

[发明专利]用于互连制造的氢氟烃气体辅助的等离子蚀刻-CN201680042427.5在审
发明人： R·L·布鲁斯;E·A·乔瑟夫;J·李;铃木健文 -专利权人：国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种用于互连制造的氢氟烃气体辅助的等离子体蚀刻方法包括提供介电材料层以及通过施加侵蚀性介质蚀刻气体和聚合蚀刻气体的混合物到介电材料层以在介电材料层中蚀刻沟槽。在另一个实施例中，集成电路包括多个半导体器件和连接该多个半导体器件的多条导线。多条导线的间距约为二十八纳米。
用于互连制造氢氟烃气体辅助等离子蚀刻

[发明专利]用于含氮电介质层的低能蚀刻方法-CN201280050854.X有效
发明人： M·布林克;R·L·布鲁斯;S·U·恩格尔曼;N·C·M·富勒;宫副裕之;中村昌洋 -专利权人：国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在衬底上形成自下而上包括含氮电介质层、互连层面电介质材料层和硬掩模层的叠层。通过蚀刻图形化所述硬掩模层和互连层面电介质材料层。采用图形化的硬掩模材料作为蚀刻掩模，通过穿透性的各向异性蚀刻图形化所述含氮电介质层，该各向异性蚀刻使用含氟代烃的等离子体穿透所述含氮电介质层。用于产生所述含氟代烃的等离子体的氟代烃气体产生富碳的聚合物残留物，该残留物与所述含氮电介质层反应以形成挥发性化合物。等离子体能量可以被降低到100eV以下，从而减少了对互连层面电介质材料层的物理暴露表面的损伤。
用于电介质低能蚀刻方法