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[发明专利]用于铌酸锂材料的刻蚀方法-CN201810320107.2有效
发明人：张海苗 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于铌酸锂材料的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供铌酸锂基片；提供工艺气体，所述工艺气体包括氯基气体；对所述工艺气体进行电离获得等离子体，并对所述铌酸锂基片进行刻蚀。所述用于铌酸锂材料的刻蚀方法可以提高刻蚀速率且使刻蚀面光滑平整。
用于铌酸锂材料刻蚀方法

[发明专利]一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法-CN202111531363.4在审
发明人：姚日晖;李依麟;宁洪龙;邹文昕;郭晨潇;吴振宇;张康平;苏国平;杨跃鑫;彭俊彪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温等离子后处理提高柔性氧化物TFT器件可靠性的方法。制备方法包括如下步骤：(1)制备栅极、绝缘层和有源层；(2)在较低温度下进行氧气气氛退火；(3)进行两步掩膜版等离子处理，第一步采用高能氮气等离子处理，第二步采用低能氮气+氧气混合气体等离子处理；(4)通过直流溅射制备铝源漏电极，得到TFT器件。本发明方法具有设备简单、可大面积处理、处理时间短、工艺温度低等优势，采用两步等离子处理方法，可以充分发挥其能量传递和界面反应的优化作用。低温工艺不会对柔性衬底造成损伤，其普遍适用于柔性AOS‑TFT器件的可靠性提高。
一种低温等离子处理提高柔性氧化物 tft 器件可靠性方法

[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法-CN201810381129.X有效
发明人：赵文达;戴超 -专利权人：南京京东方显示技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括在形成源极和漏极后，使用两种或两种以上气体对氧化物半导体层构成的沟道区域进行等离子体处理，其中至少包括一种非氧化性气体；本发明的制造方法有效避免了使用单种非氧化性气体进行等离子体处理导致的电弧放电问题和使用单纯氧化性气体进行等离子体处理导致的源漏极氧化问题，并且获得的薄膜晶体管具有优良的器件特性和均一性。
一种氧化物半导体薄膜晶体管制造方法

[发明专利]碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法-CN201910551761.9有效
发明人：黄健;黄柘源;胡艳;邹天宇;唐可;尚艺;别佳瑛;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底‑半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
碲锌镉晶体电感耦合等离子体刻蚀工艺方法

[发明专利]使用电场吸附法去除异物的系统和方法-CN201780002399.9有效
发明人：申东明;全相起;李范祐 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用电场吸附方案去除异物的系统和方法，该系统和方法在去除膜表面上的异物的处理过程中，能够通过使用微电流(数微安)电压驱动方法的电场吸附方案，而不是诸如等离子体放电处理、电晕放电处理和空气吹风处理等的对膜的表面造成损坏的表面处理方法，来容易地吸附并去除膜表面上的异物的，并且特别地，该系统和方法排除高压放电处理等，从而降低了操作者的安全事故的发生率，并且防止了膜的表面被划伤。
使用电场吸附去除异物系统方法

[发明专利]蚀刻处理方法、半导体装置制法、产品制法及蚀刻处理装置-CN202010607561.3在审
发明人：高桥勋 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻处理方法、半导体装置制法、产品制法及蚀刻处理装置。本发明提供了一种能够在工业上有利地对蚀刻对象物进行蚀刻处理的蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置。本发明涉及一种对蚀刻对象物(例如α‑Ga2O3、α‑Al2O3等)使用包含蚀刻液(例如氢溴酸等)的雾化液滴进行蚀刻处理的方法，通过在高于200℃的温度下进行蚀刻处理，从而对所述蚀刻对象物进行蚀刻处理。
蚀刻处理方法半导体装置制法产品

[发明专利]蚀刻处理方法及半导体装置的制造方法-CN202010607964.8在审
发明人：高桥勋 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻处理方法及半导体装置的制造方法。本发明提供了一种能够在工业上有利地对对象物进行蚀刻处理的蚀刻处理方法。本发明涉及一种蚀刻处理方法，使用蚀刻液对对象物(例如α‑Ga2O3等)进行蚀刻处理，其特征在于，所述蚀刻液包含溴，所述对象物至少包含铝或/和镓。
蚀刻处理方法半导体装置制造

[发明专利]暖机方法及基片的刻蚀方法-CN201510564602.4有效
发明人：张君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种暖机方法及基片的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够缩短暖机步骤的工艺时间，提高生产效率，减少暖机步骤所消耗的光胶片的数量，降低成本。其中所述暖机方法用于在刻蚀腔室内壁上覆盖聚合物以使刻蚀腔室达到刻蚀工艺所需的工作状态，该暖机方法包括：将光胶片置于刻蚀腔室中，并将刻蚀气体通入刻蚀腔室中，对光胶片进行刻蚀，在进行刻蚀的过程中，变化刻蚀腔室内的气体压力。本发明所提供的暖机方法用于基片的刻蚀工艺中。
方法刻蚀

[发明专利]使用氧等离子体刻蚀黑磷二维材料体的加工方法-CN201510475008.8有效
发明人：盖鑫;王贝贝 -专利权人：王贝贝
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用氧等离子体刻蚀黑磷二维材料体的加工方法，其包括步骤：使用氧等离子体对多层的黑磷二维材料体进行刻蚀反应，多层的黑磷二维材料体由于刻蚀反应成为了目标层数的薄层黑磷二维材料体且在所述薄层黑磷二维材料体的表面形成氧化磷保护层。可以实现精确的控制黑磷二维材料体的层数，大大增加了黑磷二维材料体在常温，空气环境中的有效存在时间，寿命会进一步增加。
使用等离子体刻蚀黑磷二维材料加工方法

[发明专利]氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板-CN201710171104.2有效
发明人：班圣光;曹占锋;姚琪;刘清召;董水浪;路达 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本文公开了一种氧化物半导体及氧化物薄膜晶体管制备方法和显示面板，包括：在进行第一层沉积之前，利用还原性气体对裸露的氧化物半导体进行处理，以消除初始耗尽层；进行第一层沉积。通过本申请提供的氧化物半导体制备方法，利用还原性气体对氧化物有源层表面的氧负离子进行反应，消除初始耗尽层，大大降低了半导体氧化物阻值的变化量，进而减小了Vth漂移，提高了作为有源层的氧化物的稳定性，从而增加氧化物TFT的信赖性。而且，本申请提供的技术方案工艺简单，有利于产线的大规模生产。
氧化物半导体薄膜晶体管制备方法显示面板

[发明专利]太阳能薄膜电池缓冲层的处理工艺及制备方法-CN201810373382.0在审
发明人：徐强 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能薄膜电池缓冲层的处理工艺及太阳能薄膜电池的制备方法，其中，所述缓冲层包括硫化镉薄膜，所述处理工艺包括将设置有表面处理剂的所述硫化镉薄膜进行退火处理；所述表面处理剂包含镉盐。本发明一实施方式中，通过对太阳能薄膜电池缓冲层进行处理，提升了太阳能电池的效率。
太阳能薄膜电池缓冲层处理工艺表面处理剂硫化镉薄膜制备太阳能电池退火处理镉盐

[发明专利]一种晶圆生产用表面化学刻蚀装置-CN201811208389.3在审
发明人：王昌华 -专利权人：江苏英锐半导体有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆生产制造附属装置的技术领域，特别是涉及一种晶圆生产用表面化学刻蚀装置，其可以使多组晶圆放置规整，防止多组晶圆相互叠放，使化学溶液在对多组晶圆进行冲洗的过程中与多组晶圆表面上的三氧化二铝和甘油混合液接触反应更加充分，提高化学刻蚀效果；其使用后的化学溶液可以进行收集储存处理，降低使用局限性；包括过渡箱、底板、顶板、左支撑板、右支撑板、左弧形板、右弧形板、左放置板、右放置板、前支撑轴、后支撑轴、带动轴、上支撑轴、左卡板、右卡板、左安装板、右安装板、两组左安装螺栓、两组右安装螺栓、收集箱、两组左滑轮、两组右滑轮、左滑轨、右滑轨、固定环、左销杆、右销杆、固定座、左弹簧和右弹簧。
晶圆两组安装螺栓表面化学化学溶液刻蚀装置放置板种晶底板三氧化二铝附属装置化学刻蚀接触反应晶圆表面上支撑轴右安装板右弧形板右支撑板左安装板左弧形板左支撑板规整带动轴固定环固定座过渡箱后支撑混合液前支撑收集箱右弹簧右滑轨右滑轮右卡板右销杆左弹簧左滑轨左滑轮左卡板左销杆甘油叠放冲洗生产储存制造

[发明专利]阻挡层的去除方法以及半导体结构的形成方法-CN201480082458.4在审
发明人：金一诺;代迎伟;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：本发明提供了一种阻挡层的去除方法，该阻挡层包括至少一层钴或钌层，该方法包括采用电抛光方法去除形成在半导体结构的非凹进区域上的钴或钌层。本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，包括提供一半导体结构，该半导体结构包括介质层、形成在介质层上的硬掩膜层、形成在硬掩膜层和介质层上的凹进区、形成在硬掩膜层上以及凹进区的侧壁和底部上且包括至少一层钴或钌层的阻挡层、形成在钴或钌层上并填满凹进区的金属层；采用电抛光方法去除非凹进区域上的金属层和钴或钌层；采用热流蚀刻方法去除硬掩膜层。
阻挡去除方法以及半导体结构形成

[发明专利]三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法-CN201210240072.4无效
发明人：翁占坤;袁安刚;米伟勋;王作斌;宋正勋;许红梅;刘兰娇;于淼;胡贞 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-07-12 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法，其特征在于，在恒定电流模式下，通过控制电化学参数，使电化学刻蚀InP过程中形成电压的自适应振荡，实现电化学可控制备InP三维纳米多孔阵列结构材料。本发明适于制备InP及其它化合物半导体材料三维纳米多孔阵列结构材料，最小单元特征尺寸可达到100纳米，所采用的电化学刻蚀工艺具有高效、廉价、简便、可在大气环境下进行等优点，便于推广和应用。
三维纳米多孔 inp 阵列结构材料制备方法

[发明专利]沉积后的晶片清洁配方-CN201080058890.1有效
发明人：阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/465 文献下载
摘要：提供用于从基底的表面清洁金属帽层的腐蚀产物的方法和系统。根据一个实施方式，处理溶液包含表面活性剂、络合剂和pH调节剂。配制所述表面活性剂以增强基底表面的润湿，并抑制所述帽层的进一步腐蚀。配制所述络合剂以与从所述晶片表面解吸的金属离子结合。配置所述pH调节剂以调节pH至所需水平，从而促进所述腐蚀产物从所述基底表面解吸。
沉积晶片清洁配方

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