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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202211066109.6在审
发明人：菊地巧也;永田裕也;戸田将也;今村克平;今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高含铟化合物膜的加工性的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法中，在形成于衬底之上的含铟化合物膜(24X)上形成电极层(22)，在电极层(22)之上形成掩模层，在对掩模层进行加工之后，对电极层(22)进行蚀刻，直到化合物膜(24X)的至少一部分露出为止，其后以覆盖掩模层的上表面、掩模层及电极层(22)的侧面、以及化合物膜(24X)的上表面的方式形成间隔膜(26)，对位于掩模层的上表面、及化合物膜(24X)的上表面的间隔膜(26)进行蚀刻，对露出的化合物膜(24X)，使用还原性气体的等离子体进行还原处理，并使用药液对进行了还原处理的化合物膜(24Y)进行蚀刻。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202210184207.3在审
发明人：李武;今村翼;板垣雄翔;赵珉吉 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：实施方式提供一种在利用干式蚀刻对被加工层进行加工时能够以高精度进行加工的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置制造装置具备：腔室；保持器，设置在腔室中，能够吸附衬底，且包含设置在表面的凹部、设置在凹部的第1孔、及设置在凹部的第2孔；第1气体通路，连接于第1孔；第2气体通路，连接于第2孔；第1阀，设置在第1气体通路上；第2阀，设置在第2气体通路上；第1气体供给配管，向凹部供给第1气体；以及气体排出配管，从凹部排出气体；第1气体通路及第2气体通路连接于第1气体供给配管，或第1气体通路及第2气体通路连接于气体排出配管。
半导体制造装置方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210078624.X在审
发明人：高桥笃史;今村翼;李武;板垣雄翔;赵珉吉 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的一实施方式提供一种在制造半导体装置时，能够在被加工层以较高的加工精度形成凹部的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法对形成在衬底之上的被加工层，通过使用第1气体的反应性离子蚀刻，来进行形成凹部的第1蚀刻处理，在第1蚀刻处理之后，在衬底的温度为200℃以上350℃以下的状态下，进行使用包含氢的第2气体对凹部供给氢自由基的第1处理，在第1处理之后，通过使用第3气体的反应性离子蚀刻，来进行对凹部的底面进行蚀刻的第2蚀刻处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110256127.X在审
发明人：守田峻海;大口寿史;泽敬一;山下博幸;柳瀬俊晃;今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明实施方式提供一种能够提高通道半导体层的性能的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备衬底及多个电极层，所述多个电极层在与所述衬底的表面垂直的第1方向上相互隔开设置。进而，所述装置具备依次设置在所述电极层的侧面上的第1绝缘膜、电荷累积层、第2绝缘膜、包含硅的第1半导体区域、及包含硅与碳的第2半导体区域，所述第1半导体区域与所述第2绝缘膜的界面包含氟。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]图案形成方法以及半导体装置的制造方法-CN202010146011.6在审
发明人： 今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：实施方式提供能够形成精细图案的图案形成方法以及半导体装置的制造方法。实施方式的图案形成方法为，在第一层的表面形成有机物层，该有机物层包含具有第一厚度和第一宽度的第一区域部分、具有第二厚度和第二宽度的第二区域部分、以及位于第一区域部分与第二区域部分之间且具有比第一厚度以及第二厚度小的第三厚度和第三宽度的第三区域部分，在反应性离子蚀刻装置的处理腔室之中，在有机物层的表面形成包含氧化硅的第二层，在处理腔室之中，以第二层为掩模对第三区域部分进行蚀刻。
图案形成方法以及半导体装置制造

[发明专利]蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法-CN202010692644.7在审
发明人：阿部知央;佐佐木俊行;林久贵;大村光広;今村翼 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻方法、半导体制造装置、及半导体装置的制造方法。实施方式的蚀刻方法具备交替地切换第1步骤与第2步骤的工序，所述第1步骤中，不供给高频电压地导入包含氟原子的第1气体，从而在以第1气体的液化温度以下的第1温度冷却的加工对象物的表面形成表面层，所述第2步骤中，导入不同于第1气体的在第1温度下为气体状态的第2气体，并供给高频电压，从第2气体产生等离子体并利用等离子体进行溅镀来蚀刻加工对象物。
蚀刻方法半导体制造装置

[发明专利]等离子体处理设备和等离子体处理方法-CN201310443329.0无效
发明人：宇井明生;林久贵;富冈和广;山本洋;今村翼 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。
等离子体处理设备方法