[发明专利]一种半导体封装方法及半导体器件

说明书

本发明公开了一种半导体封装方法及半导体器件，该方法包括步骤：将芯片粘接在基板上；对基板采用电镀金属铜或者焊接的方法，在基板表面的边缘形成碗杯；将所述芯片的电极通过键合线与基板的电极连接；将粘合剂均匀涂敷在所述碗杯的台阶处；将盖片放置在所述台阶处；在连片的基板上，对基板完成初步盖片封盖；将连片的基板放置到真空烘烤机内进行烘烤的同时，对封装腔进行抽真空处理；在粘合剂初步固化后，再转到烘烤箱进行长时间烘烤。本发明可以避免在烘烤时，由于封装腔内部与外部存在气压差而导致盖片移位，使得半导体器件具有更良好的气密性。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体封装方法及半导体器件。

背景技术

在现有技术中，半导体封装通常采用以下方式实现：在固晶、焊键合线后，点胶在金属/非金属碗杯台阶上，PP盖板之后利用阶段式烘烤，实现对半导体芯片的气密性封装；由于胶水烘烤温度达不到终端客户回流焊接时的温度，而密闭封装内部气压与外部气压差，取决于胶水烘烤温度以及室温；现有的半无机封装普遍存在内部空气受热膨胀的问题，导致半导体的封装腔内部和外部产生气压差，在气压差的作用下，盖片容易移位，当粘合剂固化后，盖片难以复位，造成封装腔的封闭性能较差，所以采用上述方式进行封装的半导体，回流焊接在PCB后，盖板会有一定概率掉落，或者碎裂，原因就是密闭器件内存在一定量的空气，也就是说，现有的半导体封装工艺仍存在一定缺陷。

发明内容

为了克服上述技术缺陷，本发明提供了一种半导体封装方法及半导体器件，其能解决半导体器件内存在空气的问题。

为了解决上述问题，本发明按以下技术方案予以实现的：

一种半导体封装方法，包括步骤：

将芯片粘接在基板上，其中基板表面的边缘处有碗杯；

将所述芯片的电极通过键合线与基板的电极连接；

将粘合剂涂敷在所述碗杯的台阶处；

将盖片放置在所述台阶处；

在连片的基板上，对基板完成初步盖片封盖；

将连片的基板放置到真空烘烤机内进行烘烤的同时，对封装腔进行抽真空处理；

在粘合剂初步固化后，再转到烘烤箱进行长时间烘烤。

作为本发明的进一步改进，所述将连片的基板放置到真空烘烤机内进行真空烘烤的步骤，包括如下步骤：

选取粘合剂粘度较低的时间范围，且在该粘合剂粘度较低时对应的环境温度，对封装腔进行抽真空；

待真空烘烤机腔内的真空度达到预设条件时，将真空烘烤机的温度调高，使真空烘烤机内温度缓慢上升至粘合剂至初步固化的水平。

作为本发明的进一步改进，对封装腔进行抽真空时，真空烘烤机腔内的温度为0℃-120℃。

作为本发明的进一步改进，所述粘合剂至初步固化的水平时，粘合剂的硬度在Shore A25–Shore D100之间。

作为本发明的进一步改进，对封装腔进行抽真空处理包括步骤：

对真空烘烤机进行抽真空，直至所述真空烘烤机的内部气压达到10-10³Pa。

作为本发明的进一步改进，将芯片粘接在基板上包括步骤：

采用共晶工艺或者点胶工艺，将所述芯片粘接在所述基板上。

作为本发明的进一步改进，将粘合剂均匀涂敷在所述碗杯的台阶处包括步骤：

通过连续吐胶的方式，将粘合剂均匀涂敷在所述碗杯的台阶处；