[发明专利]半导体器件的封装方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件的封装方法，所述半导体器件的封装方法，包括：提供第一衬底晶圆，所述第一衬底晶圆的上表面形成有多个芯片；在所述第一衬底晶圆上形成支撑层，所述支撑层内具有第一开口，所述第一开口贯穿所述支撑层暴露出所述芯片；在所述支撑层上形成封盖层，所述封盖层覆盖所述第一开口以形成空腔；切割所述封盖层、所述支撑层和所述第一衬底晶圆。本发明通过在第一衬底晶圆上形成支撑层、封盖层，以提高第一衬底晶圆和支撑层以及支撑层和封盖层的结合强度，从而提高有封盖层、支撑层和第一衬底晶圆围成的空腔结构的可靠性，确保空腔结构具备较好的气密性。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种半导体器件的封装方法。

背景技术

随着半导体集成电路的发展，半导体集成电路制造产业已经成为电子制造业的基础和核心，支持并推动着相关产业的繁荣与发展。支持半导体集成电路不断改进的原动力是芯片关键尺寸的不断缩小，而芯片需要先通过切割、测试，再将完好的、稳定的、足容量的晶粒取下封装形成。

通常，为便于分割芯片，需要在相邻支撑膜层之间形成切割道，再对切割道进行曝光显影，从而便于在封装完成后将其切割成多个独立的芯片。由于支撑膜层和盖膜层的材料收缩力、热膨胀系数不同，因此该膜层中靠近切割道附近的盖膜层容易发生剥落，从而使得位于支撑膜层上的空腔功能区失效，进而影响产品良率甚至造成产品报废。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的封装方法，能够提高材料的结合能力，避免材料收缩以及发生空腔失效、空腔变形等情形，从而增加良品率。

为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件的封装方法，包括：

提供第一衬底，所述第一衬底的上表面形成有多个芯片；

形成具有多个独立空腔的支撑层，所述支撑层覆盖所述第一衬底，且所述芯片位于所述空腔范围内；

提供封盖，所述封盖与所述支撑层键合，并覆盖所述空腔；

切割所述封盖、所述支撑层和所述第一衬底，以使每个所述芯片形成独立的封装。

本发明半导体器件的封装方法的有益效果在于：

通过在第一衬底晶圆上形成支撑层、封盖层，以提高第一衬底晶圆、支撑层以及支撑层和封盖层的结合强度，从而提高有封盖层、支撑层和第一衬底晶圆围成的空腔结构的可靠性，确保空腔结构具备较好的气密性以提高第一衬底晶圆和支撑层以及支撑层和封盖层的结合强度，以在对封盖层、支撑层和第一衬底晶圆进行一体切割时，避免切割时受收缩力不同的材料的影响造成封盖层剥离的情况，从而避免空腔与外界连通造成空腔功能区失效，提高了产品的成品率以及避免产品报废。

进一步地，将支撑层与第一衬底晶圆粘接，并通过后续固化工艺提高两者的结合度，从而便于在形成空腔后，确保空腔具备良好的密封效果，避免支撑层相对于第一衬底晶圆发生剥离，另外，采用有机材料形成支撑层，以便于后续对定位标记进行显影。

进一步地，通过采用有机材料作为封盖层，并将其粘接于支撑层，以提高封盖层和支撑层的结合能力，再通过固化工艺进一步提高两者的结合强度，从而提高空腔的密封性能，避免封盖层与支撑层发生剥离以致空腔功能区失效的情况。

进一步地，通过对支撑层进行图形化，以暴露位于第一衬底晶圆的定位标记，再通过对封盖层进行图形化，以便于将定位标记显影至封盖层上，进而便于后续根据封盖层暴露的定位标记进行切割。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。