[发明专利]半导体器件的封装方法在审

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申请号: 202011636677.6点击下载 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112820655A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 甄哲;武瑞杰;张瑞朋;丁敬秀 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/29
代理公司: 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 代理人: 刘亭
地址: 315800 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种半导体器件的封装方法,所述半导体器件的封装方法,包括:提供第一衬底晶圆,所述第一衬底晶圆的上表面形成有多个芯片;在所述第一衬底晶圆上形成支撑层,所述支撑层内具有第一开口,所述第一开口贯穿所述支撑层暴露出所述芯片;在所述支撑层上形成封盖层,所述封盖层覆盖所述第一开口以形成空腔;切割所述封盖层、所述支撑层和所述第一衬底晶圆。本发明通过在第一衬底晶圆上形成支撑层、封盖层,以提高第一衬底晶圆和支撑层以及支撑层和封盖层的结合强度,从而提高有封盖层、支撑层和第一衬底晶圆围成的空腔结构的可靠性,确保空腔结构具备较好的气密性。
搜索关键词: 半导体器件 封装 方法
【主权项】:
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